P系列线性光电二极管阵列图像传感器

为了实现高精度、大面积的立靶坐标测量,提出了一种大面积激光光幕子弹弹着点坐标测试的新方法.采用4个扇形激光光幕相互交叉组合成大面积矩形光幕,利用光电二极管阵列测量激光光幕的光强,当子弹穿过激光光幕时,相应的光电二极管接收到信号,经信号采集和处理电路计算出子弹弹着点的坐标.对有效靶区1m×1m的原理样机进行7.62mm枪弹实弹射击实验,实验结果表明坐标测量精度达到2mm.该方法结构简单,易构造较大面积的靶面,其最大有效靶区可达到10m×10m.

彩色电视摄像机CCD图像传感器

3.6图像传感器 3.6.1图像传感器发展历史 完成图像信息光电变换的功能器件称为光电图像传感器。光电图像传感器的 发展历史悠久，种类很多。 1934年：成功地研制出光电摄像管。 用于广播电视摄像。灵敏度很低，信噪比很低，需要高于10000lx的照 度才能获得较为清晰的图像，应用受到限制。 1947年：研制出超正析像管， 灵敏度有所提高，但是最低照度仍要求在2000lx以上。 1954年：高灵敏视像管 基本具有了成本低，体积小，结构简单的特点，使广播电视事业和工业 电视事业有了更大的发展。 1965年：氧化铅视像 发展了彩色电视摄像机，诞生了1英寸，1/2英寸，1/3英寸。 氧化铅视像管抗强光的能力低，余辉效应影响了采样速率。 1970年：电荷耦合器件（ccd） 美国贝尔电话实验室，使图像传感器从真空电子束扫描方式，发展成为固 体自扫描输出方式。 1976年

CCD和CMOS图像传感器性能比较

题目cmos图像传感器的工作原理及应用 姓名张兆龙 所在学院应用科技学院 专业班级电子信息工程2班 学号2010191213307 日期2011年12月3日 第1页共10页2 摘要 随着集成电路制造工艺技术的发展和集成电路设计水平的不断提高，基于 cmos集成电路工艺技术制造的cmos图像传感器由于其集成度高、功耗低、体 积小、工艺简单、成本低且开发周期较短等优势，目前在诸多领域得到了广泛 的应用，特别是数码产品如数码相机、照相手机的图像传感器应用方面，市场 前景广泛，因此对cmos图像传感器的研究与开发有着非常高的市场价值。 本文首先介绍了cmos图像传感器的发展历程和工作原理及应用现状。随后 叙述了cmos图像传感器的像元、结构及工作原理，着重说明了成像原理和图像 信号的读取和处理过程，以及在数

3.6图像传感器 3.6.1图像传感器发展历史 完成图像信息光电变换的功能器件称为光电图像传感器。光电图像传感器的 发展历史悠久，种类很多。 1934年：成功地研制出光电摄像管。 用于广播电视摄像。灵敏度很低，信噪比很低，需要高于10000lx的照 度才能获得较为清晰的图像，应用受到限制。 1947年：研制出超正析像管， 灵敏度有所提高，但是最低照度仍要求在2000lx以上。 1954年：高灵敏视像管 基本具有了成本低，体积小，结构简单的特点，使广播电视事业和工业 电视事业有了更大的发展。 1965年：氧化铅视像 发展了彩色电视摄像机，诞生了1英寸，1/2英寸，1/3英寸。 氧化铅视像管抗强光的能力低，余辉效应影响了采样速率。 1970年：电荷耦合器件（ccd） 美国贝尔电话实验室，使图像传感器从真空电子束扫描方式，发展成为固 体自扫描输出方式。 1976年

通过器件模拟并结合实验结果,在已有pin(positiveintrinsicnegative)和dpd(doublephoto-diodes)探测器电路模型基础之上,对带浅沟槽隔离(sti)准pin结构的dpd探测器电路模型进行了探讨。模拟了由深n阱和浅沟槽给dpd带来的性能上的改变,同时结合实验结果,从响应电流和探测器的等效串联电阻两方面对电路模型进行了修正,得到了符合该器件的较准确电路模型。

赛普拉斯公司日前宣布,推出一款用于高端机器视觉市场的高敏感度、高速cmos图像传感器。全新的250万像素vita25k传感器拥有市场上单器件最大的数据吞吐能力,并带有流水线和触发式全局快门。该传感器具有32个10-bit数字低压

二极管----------新晨阳电子有限--------光电二极管---------二极管的工作原理 光电二极管的工作原理及设计方案 光电二极管及其相关的前置放大器是基本物理量和电子量之间的桥梁。许多精密应用 领域需要检测光亮度并将之转换为有用的数字信号。光检测电路可用于ct扫描仪、血液分 析仪、烟雾检测器、位置传感器、红外高温计和色谱分析仪等系统中。在这些电路中，光 电二极管产生一个与照明度成比例的微弱电流。而前置放大器将光电二极管传感器的电流 输出信号转换为一个可用的电压信号。看起来好象用一个光电二极管、一个放大器和一个 电阻便能轻易地实现简单的电流至电压的转换，但这种应用电路却提出了一个问题的多个 侧面。为了进一步扩展应用前景，单电源电路还在电路的运行、稳定性及噪声处理方面显 示出新的限制。 本文将分析并通过模拟验证这种典型应用电路的稳定性及噪声性能。首先探讨电 路工作原

常见数码相机图像传感器（ccd）尺寸对照表 默认分类2009-02-1702:56:04阅读60评论0字号：大中小 2007-02-0112:29 ccd是指电荷藕合器件,英文单词为chargecoupleddevice。它使用一 种高感光度的半导体材料制成，能把光线转变成电荷，然后通过模数转换器芯片 将电信号转换成数字信号，数字信号经过压缩处理经usb接口传到电脑上就形 成所采集的图像。 了解什么是ccd后,我们再看看ccd的大小是怎么回事，其实是说感光器 件的面积大小，这里就包括了ccd和cmos。感光器件的面积大小，ccd/cmos 面积越大，捕获的光子越多，感光性能越好，信噪比越低。ccd/cmos是数码 相机用来感光成像的部件，相当于光学传统相机中的胶卷。 常见ccd尺寸对照表 ccd尺寸宽×高对角线 1

结合cmos图像传感器研究了cmos图像传感器卷帘式快门的具体应用。介绍了卷帘式快门的特点和工作原理,分析了具有卷帘式快门的cmos图像传感器的成像特性,并对其进行了成像实验。探讨了一种利用卷帘式快门相机拍摄的单精度视图来计算高速物体在三维空间中的位姿和速度的新方法。最后,提出了一个运动目标的透视投影模型,讨论了估计目标位姿和速度的方法。实验结果表明:具有卷帘式快门的cmos图像传感器对运动物体成像时会产生一定程度的畸变,畸变的程度与积分时间等传感器参数的设置有关。在误差最小化的情况下得到了运动物体的位姿和速度参数,计算误差在2.5%以内,测量精度为0.01rad/s。对实验结果的分析证明了方法的可行性。这种计算方法能够使得低价格、低耗能的cmos相机转化为一种新的速度传感器。

光电传感器 光纤传感器技术是伴随着光导纤维和光纤通信技术发展而形成的一门崭新 的传感技术。光纤传感器的传感灵敏度要比传统传感器高许多倍，而且它可以在 高电压、大噪声、高温、强腐蚀性等很多特殊情况下正常工作，还可以与光纤遥 感、遥测技术配合，形成光纤遥感系统和光线遥测系统。光纤传感技术是许多经 济、军事强国争相研究的高新技术，它可以应用于国民经济的很多领域。 光(导)纤(维)是20世纪70年代的重要发明之一，它与激光器、半导体探 测器一起构成了新的光学技术，创造了光电子学的新天地。光纤的出现产生了光 纤通信技术，特别是光纤在有线通信方面的优势越来越突出，它为人类21世纪 的通信基础——信息高速公路奠定了基础，为多媒体通信提供了实现的必需条 件。由于光纤具有许多新的特性，所以不仅在通信方面，在传感器等方面也获得 了应用。微电子技术，光电半导体技术，光导纤维技术以及光栅

1 光电压传感器原理 光电压传感器 　　光波是一种横波，它的光矢量与传播方向垂直。如果光波的光矢量方向不变，大小随相位改变，这样的光称为线 偏振光；如果光矢量的大小不变，而方向绕传播方向均匀的转动，这样的光称为圆偏振光；如果光矢量和大小都在有 规律的变化，且光矢量的末端沿着一个椭圆转动，这样的光称为椭圆偏振光。 　　在电场（或电压）的作用下，一些本身没有双折射现象的材料会产生双折射效应，使光波的两偏振分量之间出现 相位差，这就是电光效应。检测出相位差，就可以计算出电压或电场强度的大小。由于相位较难测量，故一般利用偏 光干涉原理将相位调制转化为强度调制，传感器输出光强的大小即能反映被测电压，这就是光电压传感器测量电压的 基本原理。 图示：一种实用的光电压传感器示意图 　　光电压传感器的检测原理类似于光电流传感器，由一个1/4波长板和两个偏振器组成的偏振检测系统将普克尔斯偏 振调制转化

光电门传感器

7光电式传感器

diode公司推出击穿电压为400v的四开关二极管阵列mmbd5004brm,旨在承受daa调制解调器正极和负极电话线接口和一般离线整流应用中最坏的线瞬变情况。mmbd5004brm二极管阵列结合了更快的开关速度(trr=50ns)和低结电容

传感器技术第2章光电式传感器

电源模块是cmos图像传感器芯片的一个重要组成部分,其性能直接影响着芯片的功耗以及所拍摄画面的质量.文中从cmos图像传感器的像素结构和列读出电路原理出发,提出了一种低功耗、可编程控制的电源模块设计思想,并采用0.18μmcmos工艺完成了电路设计.hspice仿真结果表明,电源模块在启动70ms后能够生成稳定、正确的电压,其平均功耗小于1mw.

发光二极管(led)失效分析 时间:2009-12-2715:17来源:unknown作者:11点击:1次 发光二极管(led)失效分析2009年06月27日星期六12： 17led(light-emitting-diode中文意思为发光二极管)是一种能够将电能转化 为可见光的半导体，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理，而 采用电场发光。据 发光二极管(led)失效分析2009年06月27日星期六12： 17led(light-emitting-diode中文意思为发光二极管)是一种能够将电能转化 为可见光的半导体，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理，而 采用电场发光。据分析。 led的特点非常明显。 寿命长、光效高、无辐射与低功耗。led的光谱几乎全部集中于可见光 频段。 其发光

1 姓名：刘玉东学号：2111403132电子与通信工程2班 led(发光二极管) 摘要 发光二极管led是一种能发光的半导体电子元件。是一种透过三价与五价元素所组成 的复合光源这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，被hp买价专利 后当作指示灯利用。之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红 外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着白 光发光二极管的出现，近年续渐发展至被用作照明。 1.led图片 2.led的发展史 20世纪50年代，英国科学家发明了第一个具有现代意义的led,并于60年代面世， 但此时的led只能发出不可见的红外光。在60年代末，发明了第一个可以发出可见的 红光的led。到了七八十年代，又发明出了可以发出橙光、绿光、黄光的led。90年代 由

led发光二极管 半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称led）、数码管、符号管、米字管及点阵式 显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单 元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 （一）led发光原理 发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas（砷化镓）、gap（磷化镓）、gaasp（磷砷 化镓）等半导体制成的，其核心是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性，即正向导 通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下， 电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部 分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。 假设发光是在p区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发 光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光

巧用发光二极管 发光二极管问世以来，在多数应用实例中，人们往往只 注意到它的发光指示用，对于发光二极管在某些场合下的特 殊用途，尚开发利用得很不够。本文针对这一问题，进行如 下的探讨。 根据发光二极管的内部结构和特性参数可知，发光二极 管的核心部分是ｐｎ结。因此它具有一般ｐ－ｎ结的ｉ－ｖ 特性，即正向导通，反向截止、击穿特性等。发光二极管的 正向压降约为１．５－３：ｏｖ，反向电压值有的还可达到 １００ｖ，正向电流值一般在１０－２０ｍａ，极限值可达 ３０－５０ｍａ，甚至大于５０ｍａ（高亮大功率）。 例１：发光二极管是一种降压元件 在日常生活和各种电子制作及电子实验中，有时我们需 要各种不同规格的电压值，利用发光二极管做降压元件，可 以弥补上述方法的不足。在小电流稳压时，常采用稳压二极 管来稳定电压，在设计电路时，还应考虑到稳压管的一些特 性。比如：稳定电流１＂是由额定功率ｐｚ和稳定电压ｖｚ