V型沟槽Si衬底上SrTiO-3薄膜制备

采用快速热化学气相沉积方法在氧化铝和氮化铝陶瓷衬底上制备多晶硅薄膜及太阳电池。多晶硅薄膜的晶粒尺寸在经过区再结晶后增大且霍尔迁移率提高,但随后的薄膜生长发现薄膜出现裂纹,影响了电池的效率,在al_2o_3衬底上得到196mv开路电压,1．93ma短路电流；在ain衬底上得到310mv开路电压,5．31ma短路电流。

采用磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了不同厚度的fepd合金薄膜。利用x射线衍射（xrd）,能谱（eds）和物理性能测试研究了薄膜厚度对结构和磁性能的影响。结果表明,在fepd合金薄膜中有序化过程发生在更厚的薄膜中。随着薄膜厚度从d=22.5nm增加到d=67.5nm,面内矫顽力刚开始急剧增大,然后随着薄膜厚度的进一步增加矫顽力会减小。在d=67.5nm时面内矫顽力最大约为3.2×79.6ka/m。

采用直流反应磁控溅射法在玻璃片上制备了tin薄膜,研究不同制备工艺条件与薄膜性能之间的关系。用紫外-可见光分光光度计测试了不同沉积时间和n2流量条件下tin薄膜透光率;用x射线衍射仪分析了不同n2流量和溅射功率条件下tin薄膜结构;用扫描电镜(sem)观察了tin薄膜的表面腐蚀形貌,用恒电位仪对tin薄膜的耐腐蚀性进行了分析。结果表明:当沉积时间为2min,n2流量为15ml/min时,在可见光区有较高的透光率,在近红外区的透光率很低;当n2流量为15ml/min,溅射功率为4kw时,tin薄膜的结晶最致密;当溅射功率为4kw时,tin薄膜具有较好的耐腐蚀性。

用溶胶-凝胶法在经过表面氧化处理的不锈钢基板上制备了含银的锐钛矿型二氧化钛复合薄膜,对薄膜进行了xrd、sem、光学显微镜等分析,并对不锈钢的抗菌性和其他性能进行了测定,讨论了样品中结构与性能的关系.

用溶胶凝胶法在经过表面氧化处理的不锈钢基板上制备了含银的锐钛矿型二氧化钛复合薄膜,对薄膜进行了xrd、sem、光学显微镜等分析,并对不锈钢的抗菌性和其他性能进行了测定,讨论了样品中结构与性能的关系

第４５卷第５期 ２００８年９月 真空ｖａｃｕｕｍｖｏｌ．４５，ｎｏ．５ ｓｅｐ．２００８ 收稿日期：２００７－１０－０３ 作者简介：王光伟（１９７１－），男，山东省滨州市人，副教授，博士。 ＊基金项目：天津市高校科技发展基金项目（ｎｏ．２００６０６０５）。 ｚｎｏ薄膜的制备方法、性质和应用＊ 王光伟，张建民，郑宏兴，杨斐 （天津工程师范大学电子工程系，天津３００２２２） 摘要：介绍了宽禁带半导体ｚｎｏ薄膜的制备工艺、主要性质和器件应用等几方面内容。ｚｎｏ薄膜的制 备方法大致分为物理法和化学法。前者主要包括溅射、脉冲激光沉积和分子束外延等；后者则涵盖化学气 相沉积、喷雾热解和溶胶－凝胶法等。从

对介质－金属组合的建筑节能薄膜进行了理论设计，给出了双层和三层膜的理论参数。用计算机模拟了大面积薄膜的膜厚均匀性分布，获得了最佳的蒸发源配置，实验上达到了满足实际使用的均匀性要求。最后给出了实际样品的光谱特性。

氧化物薄膜半导体材料的研制及应用 zno薄膜的结构、性能应用和制备 摘要：介绍了宽禁带半导体zno薄膜的结构、主要性质、制备工艺和应用等几方面内容。 关键词：zno薄膜；结构；性质；制备 abstract:thecrystalstructure，basicperformance,andpreparationofznofilms withwideforbiddenbandwerereviewed. keywords:znothinfilm；crystalstructure；nature；preparation 1引言 zno是ii-vi族宽禁带直接带隙化合物半导体,室温下禁带宽度约为3.3ev,激子束缚 能为60mev，可以实现室温下的激子发射。自1997年报道了zno薄膜紫外受

以镁(mg)为可燃物质,聚四氟乙烯(ptfe)为氧化剂,利用磁控溅射和真空蒸镀两种方法,制备薄膜烟火器件,研究两种制膜工艺在性能上的差异,并对其附着力、薄膜粒度和燃速进行了测量。结果表明,磁控溅射制得的薄膜附着力为35.88mn,粒度为0.1～0.5μm,燃速为(623.9±12.5)mm.s-1,其主要性能优于真空蒸镀法制得的薄膜。

hdpe/eva共混物在薄膜流延机上进行薄膜成型,制备了hdpe/eva共混物薄膜,对其薄膜的结构和性能进行了分析。其结果表明,随着eva中mah含量的增加,共混薄膜的力学性能得到提高,同时共混物薄膜的热粘合性能得到较大程度的提高,当mah的接枝含量为0.8%,重量比为30%时,hdpe/eva共混物薄膜的热粘合力可达到3.6n/15mm。

介绍了多晶si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率mosfet集成电路制造中两种主流多晶si工艺的优点和不足进行了分析和对比。从栅氧化层厚度分布和arrivingangle模型两个方面分析了沟槽中多晶si空洞的形成机制。阐述了金属通过多晶si空洞穿透si衬底导致器件失效的理论,并通过失效器件的fib分析对理论加以证实。最后基于arrivingangle模型理论,在试验中改变沟槽顶端和底部宽度,将沟槽刻蚀成倒梯形的结构,以多晶si填充沟槽经历高温退火工艺再进行sem分析。分析结果证实,改变沟槽顶端和底部宽度可彻底消除沟槽中多晶si的空洞,提高器件的可靠性。

采用母料法(二次挤出法)制备hdpe/poe/caco3共混物薄膜。比较了母料法与一次挤出法制得薄膜的力学性能与透光率。结果表明,在工艺参数相同时,母料法制备的薄膜力学性能比一次挤出法要好,而薄膜透光率基本相同。当poe、重质碳酸钙质量分数均为10%时,母料法制备的薄膜拉伸强度、断裂伸长率、单位冲击破损质量比纯hdpe薄膜分别提高了24.8%、27.5%、121%,比一次挤出法制备的薄膜力学性能分别提高了36.8%、14.1%、52.5%。

以piranha溶液处理玻璃基板,采用液相沉积技术,制备了钛酸锶晶态薄膜。改性基板的亲水性测定与偏光显微镜测试表明,piranha溶液能够有效改善玻璃基板的亲水性,并且基板表面的硅烷醇对钛酸锶薄膜的沉积具有积极指导作用;x射线衍射(xrd)与扫描电镜(sem)表征显示,制备成功的钛酸锶薄膜纯度高,结晶良好,样品表面均匀,在垂直基板表面方向上呈纤维花簇状生长。文章同时对基板表面硅烷醇形成过程进行了研究。

设计了一款55vn沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562v、阈值电压2.85v、特征导通电阻537.8mω·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。

溅射镀膜技术采用高能粒子轰击靶材,溅射出的粒子重新沉积凝聚在固体表面形成薄膜,这种技术在现代薄膜材料制备过程中得到广泛应用。本文阐述了目前直接利用辉光放电中产生的离子进行溅射镀膜技术在单原子金属、半导体材料、绝缘材料、化合物薄膜材料制备工艺的研究进展以及展望。

薄壁类零件的加工一直是机械加工行业的一道难题,如何选择正确的装夹方法和合理的切削用量都对加工效果起着决定性的作用。如图1所示,在φ89mm×1mm的不锈钢管上铣削一条680mm×10mm的直槽

titanpetchem(m)sdn.bhd. (co.no.154990w) (formerlyknownastitanpppolymers(m)sdn.bhd.) productdata titanpropm383 forboppfilm薄膜级pp characterpolypropylenehomopolymer. thebaseresinmeetstherequirementsoftheu.s.foodanddrugadministrationas specifiedin21cfr177.1520(a)(1)(i)and(c)1.1a.theadjuvantsmeettheir respectivefdaregulationsand21cfr177.15

不需要添加任何催化剂,直接在含有少量ni和cr成分的不锈钢衬底上,用微波等离子体化学气相沉积(mpcvd)方法沉积碳纳米管薄膜.在sem下观察,生成的碳纳米管取向无序,但浓度大、杂质含量少、直径小且分布均匀,其直径在50-60nm,为多壁碳纳米管.raman光谱实验证实了此碳纳米管中存在大量缺陷.场发射实验表明,本样品的开启电压低,电子发射均匀,发射电流大.当用ito玻璃作阳极且场强为11v/μm时,电流密度可达到31ma/cm2;当用荧光粉包覆的ito玻璃作阳极且场强为6v/μm时,电流密度可达到1.25ma/cm2,这时的电子可稳定发射,使该样品变成良好的电子发射体.

利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底和硅片衬底上制备出掺钛氧化锌(zno∶ti)透明导电薄膜。sem和xrd研究结果表明,两种衬底上的zno∶ti薄膜均为为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。讨论了衬底对掺钛氧化锌透明导电薄膜光学、电学性能的影响。当玻璃衬底薄膜厚度为568nm时,薄膜电阻率达到最小值1.64×10-4ω.cm,硅衬底上薄膜厚度为641nm时有最小电阻率2.69×10-4ω.cm。两种衬底所制备薄膜都具有良好的附着性能,玻璃衬底薄膜样品在波长为500~800nm的可见光中平均透过率都超过了91%,硅衬底上薄膜样品的折射率约为2.05,zno∶ti薄膜可以用作薄膜太阳电池的透明电极。

多晶硅薄膜太阳电池在提高电池效率和大幅度降低成本等方面具有极大潜力。陶瓷材料是高温路线制备多晶硅薄膜电池最常用的衬底材料之一。本文介绍了陶瓷衬底上多晶硅薄膜的制备方法及其电池结构和相关工艺,最后综述了当前该领域的最新研究进展。

利用直流反应磁控溅射在柔性衬底(聚乙烯对苯二酸脂,pet)上低温沉积了对可见光透明的低电阻率的zn_xcd_(1-x)o薄膜,并研究了zn含量x对zn_xcd_(1-x)o薄膜的结晶性能、电学性能及光学性能的影响.xrd分析结果表明,当x0.65时,薄膜为高度取向的zno结构.hall效应测试显示,当x≤0.5时,薄膜的载流子浓度很高,电阻率为10~(-3)ω·cm的数量级;迁移率随x增加先增大,在x=0.5处达到极大值,然后随x的增加而降低.紫外可见透射谱表明,掺zn后的zn_xcd_(1-x)o薄膜在整个可见光波段内的透过率远远高于纯cdo薄膜的透过率.综合分析结果表明,x=0.5是低温制备的低阻、高透光性能薄膜的最佳zn含量.

以废弃稻草为原料,采用碱性过氧化氢法提取了稻草中的半纤维素。以木糖醇为增塑剂,羧甲基纤维素钠(cmc)为共混组分,制备了一系列半纤维素共混薄膜(bf),对其结构进行了红外光谱(ftir)及x-射线衍射(xrd)分析,并研究了增塑剂及共混组分质量分数对半纤维素共混薄膜拉伸性能的影响。结果表明:适量添加木糖醇和增加cmc质量分数均有助于改善半纤维素薄膜的柔韧性。