2025-02-27
通过实验和数值器件仿真研究了钝化GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)、栅场板GaNHEMTs和栅源双层场板GaNHEMTs电流崩塌现象的物理机理,建立了电流崩塌强度与帽层中载流子浓度、陷阱电离率和电场的内在联系.研究结果表明,场板可以有效调制帽层中横向和纵向电场的强度分布,并可有效调制纵向电场的方向,减弱栅极附近电场强度,增加场板下方电场强度,这会减弱栅极附近自由电子的横向运动,增强场板下方自由电子的纵向运动,进而可以有效调制帽层中自由电子浓度的分布,提高陷阱的电离率,减小器件的电流崩塌.
针对医疗电子设备辐射电磁干扰噪声超标问题,本文分析了医疗电子设备系统线缆的辐射电磁干扰机理,建立了的辐射噪声预估模型,分析模型,了的抑制方法.最后,结合实案例,验证了理论方法的有效性.
介绍了一种新型电流抑制器的研制过程及制作方法,该抑制器通过运用玻璃丝包扁铜线绕制在圆形铁心上形成等效的电感为主要部件,从而达到限流的目的。该电流抑制器原理简单,易于制作,并在实际供电线路中验证了其限流效果,结果相当显著,可广泛应用于供配电线路。
链式变换器适合于实现中高压无变压器直接并网,然而取消变压器通常会导致直流分量超标。特别在中高压应用场合,常采用电流互感器采样并网电流,其隔直效应将进一步导致输出直流分量不受控。建立含电流互感器的链式statcom系统模型,分析电流互感器导致直流分量放大的机理,提出一种基于直流侧电压纹波检测的并网电流直流分量抑制方法,并给出该方法的原理和设计原则。在一台25电平的链式statcom实验平台上验证该方法的可行性,实验结果表明,该方法即使在采样环节无法直接采集直流电流的条件下,也可有效抑制并网电流直流分量。
电子技术发展的里程碑——晶体管 谈到晶体管,也许很多人会感到很陌生.然而,就是小小的晶体管的发明给电子学带来了一 场革命.这场革命发展之迅速、波及范围之广泛,完全超出了人们的想象. 现在晶体管和微型电路几乎无所不能,无处不在.小到人们日常生活中的助听器、收音机、 录音机和电视机,大到实验室仪器、工业生产及国防设备、计算机、机器人、宇宙飞盘等, 都离不开晶体管.可以毫不夸张地说,晶体管奠定了现代电子技术的基础. 可是,晶体管究竟是什么样的?它又是怎样发明出来的?必不可少的一步——电子管的问世 1883年,闻名世界的大发明家爱迪生发明了第一只白炽照明灯.电灯的发明,给一直生活 在黑暗之中的人们送去了光明和温暖.就在这个过程中,爱迪生还发现了一个奇特的现象: 一块烧红的铁会散发出电子云.后人称之为爱迪生效应.1884年的一天,一位叫弗莱明的 英国发明家,远涉重洋,风尘仆仆
电磁干扰会对电子设备的正常运行产生直接影响,从而影响设备的使用性能,因此研究抑制电磁干扰的措施就有着重要的现实意义。本文就针对该问题进行讨论,首先分析电磁干扰的来源,然后探究电磁干扰的抑制原理,最后针对不同干扰类型提出对应的解决措施。
电子设备在工作过程中因为内部或外部的各种电磁干扰而不能以正常的运行状态进行工作的现象并不罕见.工作环境中存在的电磁能量可能是人为造成,也可能是自然因素所导致的,都对电路正常工作具有不利影响.本文介绍了电子设备干扰及抑制的相关理论,并阐述了电子设备干扰的种类和抑制方法,以期助益电子设备发展和应用.
1 边坡工程安全等级为二级,采用“理正岩土计算”软件对边坡进行稳定性分析计算, 危岩体潜在滑动面为直线平面滑动。 (一)削坡后边坡稳定性验算 1、2-2剖面削坡后稳定性计算 [计算简图] ---------------------------------------------------------------------- [计算条件] ---------------------------------------------------------------------- [基本参数] 计算方法:通用方法 计算目标:计算安全系数 边坡高度:18.900(m) 不考虑水的作用影响: 安全系数计算范围:(0.500~10.000) [坡线参数] 坡线段数2 序号水平投影(m)竖向投影
电气工程综合训练——工业电机启动电流的抑制 电气工程综合训练 之 工业电机启动电流的抑制 一、任务书...................................................................................................错误!未定义书签。 二、实验心得.................................................................................................................................1 三、参考资料.........................................................................................
采用扫描电镜和金相显微镜研究钢-铝轧制复合界面化合物的合金化抑制机理。结果表明:通过在铝中加入合金元素硅,界面化合物的生成受到明显的抑制,特别是当硅含量达到6.0%(质量分数)时,抑制作用更强,即使在560℃加热时,界面层的厚度也仅为2~3μm,且主要是fe_2al_5;由于fe和al扩散均匀,界面化合物在界面处呈等宽连续分布。通过热力学原理阐述界面化合物的生成规律。
当永磁同步电机在转子磁场定向控制方法下运行时,由于电机齿槽以及逆变器死区效应等非理想因素的影响,d、q轴电流中会包含谐波。为了抑制电流谐波,该文采用在电流控制环上并联谐振调节器的方法对特定的谐波进行抑制。谐振调节器在给定的谐振频率下有无穷大的增益,因此可以对该频率的谐波进行完全抑制,但是当输入为阶跃信号时,电流响应会出现超调。为了消除超调,同时提高电流的动态响应速度,采用一种前馈控制方法,同时考虑数字控制延时的影响,达到了电流响应没有超调,快速跟踪的效果。为验证该文提出的方法,进行了仿真分析,并在1.25kw永磁同步电机实验平台进行了实验,验证了该文方法对电流谐波抑制及动态响应速度的提升作用。
介绍了一种输入浪涌电流抑制电路,从理论上对其工作机理进行了分析。根据此电路的工作原理,计算了限流电阻的相关参数,并通过仿真进行分析。提出了基于电阻热容量的优化设计方法,通过在10kw三相整流电源中应用,验证了限流电阻优化设计方法的可行性。
随着开关电源在各个领域的广泛应用,开关电源产生的噪音对电源的输入端电网、输出端供电装置的污染,导致设备工作异常的问题,引起大家重视。通过分析开关电源的工作原理,从噪音种类、产生噪音的方式、传递噪音的路径等几个方面,提出抑制噪音的方案和措施,并讨论了在应用中注意的问题。
1 崩塌、滑坡、泥石流监测规范 1范围 本规范规定了滑坡、崩塌变形与泥石流活动的监测内容、监测方法、监测点网 布设、监测资料整理,以及变形破坏或活动预报等技术要求。 本规范适用于已经发生过且可能继续或再次发生变形破坏和活动的滑坡、崩塌 与泥石流的监测,以及有可能发生崩滑的自然的或人工的斜坡和泥石流活动的沟槽 (或斜坡)的监测。 本规范以专业监测为主,部分内容可供群测群防监测参考。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用 文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然 而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不 注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。 dz滑坡防治工程勘查规范 dz泥石流灾害防治工程勘查规范 3术语和定义 3.1变形监测deformationsupe
普通pfc变换器启动的瞬间会产生过大的输入浪涌电流,会造成半导体性能衰减或损坏,导致设备寿命缩短或故障。提出了一种适用于pfc变换器的输入浪涌电流抑制电路,分析了该电路在变换器启动瞬间和稳态时的工作原理。仿真和试验验证表明,该电路具有良好的浪涌电流抑制效果。
针对电路启动阶段的瞬态浪涌电流产生过冲的问题,提出基于能量再生的瞬态浪涌电流抑制方法。构建瞬态浪涌电流过冲产生与抑制交流的等效模型,利用电路理论对构建的等效模型进行分析,利用能量再生的电流抑制的方法,基于传输线的理论与反射的理论,在对变频器输出的脉冲在电流上传输与反射的过程进行分析的基础上,对电机端的瞬态浪涌电流产生的机理以及幅值进行分析计算。当与浪涌单元进行连接之后,对浪涌抑制单元工作的原理进行分析,得出各器件电流与电压的波形,完成对电路启动阶段的瞬态浪涌电流抑制方法的研究。实验的结果表明,本文提出的方法能有效抑制瞬态浪涌电流产生的过冲谐波,且适应性比较强。
功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一,采用10mev电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时,以此来降低功率双极晶体管的关断损耗。在一个典型的充电器开关电源中,85v交流输入电压下,功率双极晶体管总损耗最多降低了42%,系统效率提高了2.1%。
本文提出利用ima测量介质膜中可动离子漂移迁移率的新方法,并用该方法测量了熔凝玻璃膜中na~+漂移迁移率,研究了na~+迁移率与温度的关系。
以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理.微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模拟,同时对单电子晶体管进行宏观电路等效,用一些常用元器件进行宏观建模.采用强大的模拟集成电路软件hspice进行分析模拟,大大减少了计算及仿真时间.通过分.析比较,两者曲线得到了较好的吻合,直观地反映了单电子晶体管的电学特性,为进一步研究复杂系统提供了理论依据.
以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模拟,同时对单电子晶体管进行宏观电路等效,用一些常用元器件进行宏观建模。采用强大的模拟集成电路软件hspice进行分析模拟,大大减少了计算及仿真时间。通过分析比较,两者曲线得到了较好的吻合,直观地反映了单电子晶体管的电学特性,为进一步研究复杂系统提供了理论依据。
职位:装修项目经理(一级建造师)
擅长专业:土建 安装 装饰 市政 园林
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