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封装工艺属于集成电路制造工艺的

2024-05-13

86封装工艺属于集成电路制造工艺的

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尽信书不如无书 -------#16---504 1、 封装工艺属于集成电路制造工艺的()工序。 2、 按照器件与电路板连接方式,封装可分为引脚插入型( PTH)和()两大类。 3、 芯片封装所使用的材料有许多,其中金属主要为()材料。 4、 ()技术的出现解决了芯片小而封装大的矛盾。 5、 在芯片贴装工艺中要求:已切割下来的芯片要贴装到引脚架的中间焊盘上,焊盘的尺寸 要与芯片的大小要() 。 6、 在倒装焊接后的芯片下填充,由于毛细管虹吸作用,填料被吸入并向芯片基板的中心流 动,一个 12.7mm 见方的芯片,()分钟可完全充满缝隙,用料大约 0.031ml。 7、 用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于()的毛刺。 8、 如果厚膜浆料的有效物质是一种绝缘材料,则烧结后的膜是一种介电体,通常可用于制 作()。 9、 能级之间电位差越大,噪声越() 。 10、 薄膜电路的顶层材料一般是() 。

集成电路制造工艺_百度文库(精)
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从电路设计到芯片完成离不开集成电路的制备工艺,本章主要介绍硅衬底上的 cmos集成电路制造的工艺过程。有些cmos集成电路涉及到高压mos器件 (例如平板显示驱动芯片、智能功率cmos集成电路等),因此高低压电路的兼 容性就显得十分重要,在本章最后将重点说明高低压兼 容的cmos工艺流程。 1.1基本的制备工艺过程 cmos集成电路的制备工艺是一个非常复杂而又精密的过程,它由若干单项 制备工艺组合而成。下面将分别简要介绍这些单项制备工艺。 1.1.1衬底材料的制备 任何集成电路的制造都离不开衬底材料——单晶硅。制备单晶硅有两种方法: 悬浮区熔法和直拉法,这两种方法制成的单晶硅具有不同的性质和不同的集成电路 用途。 1悬浮区熔法 悬浮区熔法是在20世纪50年代提出并很快被应用到晶体制备技术中。在悬浮 区熔法中,使圆柱形硅棒固定于垂直方向,用高频感应线圈在氩气气

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随着电子产品技术含量的不断升级,对于厚膜混合集成电路的制造工艺提出了更高的要求,从而产生了孔金属化的制造工艺。文章主要阐述了孔金属化的原理和制造工艺,并结合多年的生产经验,对影响孔金属化制造的因素进行探讨和总结。

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分别采用流体力学模型和漂移扩散模型对不同沟道长度的nmosfet进行衬底电流的提取,并以nmosfet沟道长度和ldd注入峰值综合对器件特性的影响为研究内容,介绍了集成电路可制造性设计中器件参数的优化与提取。

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本文介绍16nmfinfet工艺下集成电路的物理集成流程,分析了先进工艺下物理集成工程师所面临的问题和挑战。为了更好地适应新的要求,对我国高校ic人才培养的相关环节提出了探索性的建议。

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集成电路引线成形原本是集成电路封装的后道工序,成形质量将直接影响电子装联产品的可靠性,其关键工艺点在于成形的肩宽、站高、焊接长度和共面度等关键工艺参数的选择以及成形工艺装备的合理配置与优化。论述了目前表面贴装密脚间距qfp封装器件在应用中遇到的引线成形问题,介绍了该类器件成形中的相关技术要求及目前国内外器件成形的现状,提出了引线手工成形的解决方案。

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集成电路论文第1页 智能配电网中电力变压器的应用研究 摘要 为应对电力系统在新世纪面临的分布式电源并网、电网利用系数低,高可靠性,高 电能质量要求以及数字化技术应用等诸多挑战,智能电网成为未来电网的主要发展方向。 智能电网的建设离不开高级电力电子装置,因此电力电子变压器的研究对于建设绿色电 网,智能电网具有重要的意义。论文首先对智能电网的概念及功能特点进行了介绍,其 次,论文分析了电力电子变压器的基本原理和拓扑结构,最后,论文就ac/ac和ac /dc/ac这两种典型的电力电子变压器在智能配电网上的应用进行了研究。首先提出 了应用在配电网的基于ac/ac型电力电子变压器的自动电压稳压器。其次,论文分析 了应用在智能配电网中的基于ac/dc/ac型电力电子变压器的电能质量控制方案,构 建了系统的数学模型,详细分析了电力电子变压器输入级、中间隔离级和输出级的控制 策略。

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精华文档 封装工艺属于集成电路制造工艺的

集成电路测试

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第一章 集成电路的测试 1.集成电路测试的定义 集成电路测试是对集成电路或模块进行检测,通过测量对于集成电路的输出回应和预期 输出比较,以确定或评估集成电路元器件功能和性能的过程,是验证设计、监控生产、保证 质量、分析失效以及指导应用的重要手段。 .2.集成电路测试的基本原理 输入x输出回应y 被测电路dut(deviceundertest)可作为一个已知功能的实体,测试依据原始输入x 和网络功能集f(x),确定原始输出回应y,并分析y是否表达了电路网络的实际输出。因 此,测试的基本任务是生成测试输入,而测试系统的基本任务则是将测试输人应用于被测器 件,并分析其输出的正确性。测试过程中,测试系统首先生成输入定时波形信号施加到被测 器件的原始输入管脚,第二步是从被测器件的原始输出管脚采样输出回应,最后经过分析处 理得到测试结果。 3.集成电路故障与测

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复习题 1.ulsi中对光刻技术的基本要求? 答:一般来说,在ulsi中对光刻技术的基本要求包括五方面:①高分辨率。随着集成 电路集成度的不断提高,加工的线条越来越精细,要求光刻的图形具有高分辨率。在集成电 路工艺中,通常把线宽作为光刻水平的标志,一般也可以用加工图形线宽的能力来代表集成 电路的工艺水平。②高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。在集 成电路工艺中为了提高产品的产量,希望曝光时间愈短愈好。为了减小曝光所需的时间,需 要使用高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度与光刻胶的成份以及光刻工艺条件都有关系,而 且伴随着灵敏度的提高往往会使光刻胶的其它属性变差。因此,在确保光刻胶各项属性均为 优异的前提下,提高光刻胶的灵敏度已经成为了重要的研究课题。③低缺陷。在集成电路芯 片的加工过程中,如果在器件上产生一个缺陷,即使缺陷的尺

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以synopsys推出的tcad软件tsuprem-ⅳ和medici为蓝本,结合100nm栅长pmosfet的可制造性联机仿真与优化实例,阐述了超大规模集成电路dfm阶段所进行的工艺级、器件物理特性级优化及工艺参数的提取。

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随着集成电路制造装备的复杂度越来越高,设计一个符合semi标准的集成电路制造装置控制系统显得尤为重要。针对semi标准的要求,提出了一种控制系统的结构设计方法。设计的系统定义了semi标准中规定的控制模型与状态模型及其他操作,能够满足实际控制需要与semi标准的要求。

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乐税智库文档 财税法规 策划乐税网 乐税网(http://www.***.***/)邮箱:jiufu@leshui365.com 关于印发极大规模集成电路制造装备及成套工艺等科技重大专项 免税进口物资清单的通知 【标签】免税,大规模集成电路,制造装备及成套工艺,进口物资清单 【颁布单位】财政部,海关总署,国家税务总局 【文号】财关税﹝2012﹞6号 【发文日期】2012-05-29 【实施时间】2012-05-29 【有效性】全文有效 【税种】进出口货物监管 各省、自治区、直辖市、计划单列市财政厅(局)、国家税务局,新疆生产建设兵团财务局, 海关总署广东分署、各直属海关:   根据《财政部、科技部、国家发展改革委、海关总署、国家税务总局关于科技重大专项 进口税收政策的通知》(财关税[2010]28号)规定,

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介绍了浸泡清洗、超声清洗和等离子清洗三种主要封装清洗的主要工作机理,及其在封装过程中的重要作用,通过对清洗前后集成电路静态电源电流变化情况的对比分析,研究不同的清洗方法对集成电路静态电源电流(iddsb)的影响,为提高封装产品性能和封装质量提供数据支撑及理论依据,其对于产品可靠性的提升有着重要的意义。

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李莉

职位:房建工程标准员

擅长专业:土建 安装 装饰 市政 园林

封装工艺属于集成电路制造工艺的文辑: 是李莉根据数聚超市为大家精心整理的相关封装工艺属于集成电路制造工艺的资料、文献、知识、教程及精品数据等,方便大家下载及在线阅读。同时,造价通平台还为您提供材价查询、测算、询价、云造价、私有云高端定制等建设领域优质服务。PC版访问: 封装工艺属于集成电路制造工艺的
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