光电探测器件-光电子探测成像器件的设计

光电探测器原理及应用

光电探测器概述

常用光电探测器

要正确选择光电探测器，首先要对探测器的原理和参数有所了解。 1.光电探测器 光电二极管和普通二极管一样，也是由pn结构成的半导体，也具有单方向导电性， 但是在电路中它不作为整流元件，而是把光信号转变为电信号的光电传感器件。 普通二极管在反向电压工作时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极 管在设计和制作时尽量使pn结的面积相较大，以便接收入射光。光电二极管在反向电压工 作下的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增加到几十 微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化， 这就可以把光信号转换为电信号，称为光电传感器件。 2.红外探测器 光电探测器的应用大多集中在红外波段，关于选择红外波段的原因在这里就不再冗 余了，需要特别指出的是60年代激光的出现极大地影响了红外技术的发展，很多重要的激 光器件都在红外波段，

红外光电探测器的设计

4-3光电探测器的放大电路

最小标准模型(msm)结构的光电探测器主要分为光导型和肖特基型两种。制备得到了肖特基型的氮化镓(gan)msm结构紫外光电探测器,采用这种结构的器件主要是因为其暗电流低、响应时间快、响应度大、寄生电容小等优点。msm形状的叉指电极是通过传统的紫外光刻和湿法刻蚀得到的,并采用au作为金属电极。得到的肖特基型gan紫外光电探测器的暗电流在1v偏压下为3.5na,器件在1v偏压下的最大响应度值出现在362nm处,大小为0.12a/w,器件的上升时间小于10ns,下降时间为210ns。并对器件响应时间的影响因素进行了深入的分析。

第二章光电探测器1.

主要综述三代红外光电探测器的材料体系与研究现状,以及分析红外光电探测器的未来发展趋势。首先,简述红外光电探测器及其三个发展阶段。然后,论述适于三代红外光电探测器发展的碲镉汞(hgcdte)、量子阱光探测(qwips,quantum-wellphotodetectors)、二类应变超晶格(sls,type-ⅱstrained-layersuperlattices)和量子点红外光探测(qdips,quantumdotirphotodetectors)四个材料体系,以及介绍它们在三代红外光电探测器方面的研究进展。最后,分析未来红外光电探测器的材料选择及发展趋势。

2018光电成像器件原理与应用-光电成像应用举例-机器视觉测量

基于红外发光二极管hg505和光敏三极管3du5,设计了红外光电探测系统电路。该系统中传感器部分,红外信号采用单音脉冲方式发射、采用滤波和选通方法接收,增强了探测系统在工作时的抗干扰能力,适用于距离探测。

1 光电检测器件的性能比较与应用选择 1.光电检测器件的分类 根据光电检测器件对辐射的作用形式的不同（也就是工作机理的不同），可 将其分为热电检测器件和光子检测器件两大类。 热电检测器件目前常用的有热释电器件、热敏电阻、热电偶和热电堆等。他 们的特点如下。 （1）响应波长无选择性。对从可见光到远红外的各种波长的辐射，热电检 测器件都表现出同样的敏感。 （2）响应慢。热电检测器件吸收辐射后再产生信号所需要的时间长，一般 在几毫秒以上。 光电检测器件应用广泛，通常所说的光电检测器件指的就是光子检测器件。 这种器件可分两大类：一类是电真空或光电发射型检测器件，如光电管和光电倍 增管；另一类是固体或半导体光电检测器件，如光导型（光敏电阻）和光伏型（光 电池与光电二、三极管等）检测器件。它们的特点如下。 （1）响应波长有选择性，因这些器件都存在某一截止波长λ，超过此波长 则器件无响

阐述了光电探头线性测量原理和方法,提出了基于双光源叠加法,利用积分球混光完成辐照度叠加,测量了超高亮led随内部电流变化的光谱特性,测量结果证明:辐照光源使用超高亮led的可行性。设计中以计算机编程自动控制实现智能化和自动化完成光电探测器的线性测量为宗旨,对系统的各部分结构、原理、特点及创新性进行分析。讨论了测量系统的不确定度来源与处理方法。对硅光电探头进行多次线性测量,重复精度优于±0.5%,测量结果证明:该系统设计自动化程度和精度较高,可以作为光电探测器线性测量装置。

美国专利us7312450(2007年12月25日授权)本发明提供一种可在保持性能的同时降低功耗的红外探测器件。该器件由一个热释电元件、一个i/v转换电路、一个电压放大电路、一个探测电路、一个输出

第七章光电转换器件

光电转换器件知识分享

光电探测器概述(20201030132109)

photoconductivedetector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件.随着电子科学技术的日趋成熟,光电探测器的应用将更加广泛.本文阐述了光电探测器的发展、工作原理、结构、种类及应用.

采用宽带隙半导体材料sic,进行紫外光电探测器的制备。基于机械性能和化学稳定性考虑,增透抗反膜的制备采用sio2+al2o3工艺,同时对其表面钝化层和增透抗反膜工艺进行了研究讨论。

光电探测器是光电系统的核心组成部分,其性能直接影响着光电系统的性能。该文通过用探测器的脉冲响应特性测量响应时间,利用探测器的幅频特性确定其响应时间。该文分析了光电探测器的响应度不仅与信号光的波长有关,而且与信号光的调制频率有关,在提出测量探测器响应时间的方法的同时分析了误差的产生原因和解决办法。

意义：石墨烯是一种新型的二维材料，可以认为它是以六角点阵排列的单层碳原子。研究人员已经发现在石墨烯顶部放置了两个彼此非常靠近的金属线，并在这一结构上施加光照，可以产生电能。这一简单装置已用于太阳能电池。但这类前景广阔的设备进入实际应用还有一个主要障碍：效率低。由于石墨烯是世界上最薄的材料，几乎不吸收光（约3％），

据物理学家组织网4月14日报道,西班牙和美国科学家合作研制出一种基于石墨烯的光电探测器转化仪,其能在不到50飞秒(飞秒为千万亿分之一秒)的时间内将光转化为电信号,几乎接近光电转化速度的极限,将大力助推多个领域的发展。高效的光电转化技术,因为能让光所携带的信息转化成可在电子电路中进行处理的电信号,在从照相机到太阳能电池等多个关键技术领域发挥着重要作用,也是数据通讯应用的重要支撑。尽管石墨烯是一种拥有