宽带pin二极管单刀双掷开关设计与实现

以0.25μmgaasphemt为基础,介绍了微波单片集成电路开关模型的设计、测试及建模过程,并以此平台开展了单刀双掷开关芯片的设计与研制。讨论了phemt开关建模的重要性,解决了建模中的关键问题,包括开关的设计、测试系统的校准、模型参数的提取,建立了毫米波范围内高精度的等效电路模型。单刀双掷开关的设计采用了并联式反射型电路拓扑,开关的测试采用了微波探针在片测试系统,在18~30ghz获得了优异的电性能,插入损耗il≤1.5db,输入/输出驻波比vswr≤1.5∶1,关断状态下的隔离度iso≥30db,芯片尺寸为1.2mm×1.8mm×0.1mm。

业界领先的射频、微波及毫米波产品供应商美国pasternack公司推出一系列适用于发射和接收信号路由应用的单刀双掷(spdt)高功率pin二极管射频开关新产品。这些产品的典型用途包括雷达系统、电子战、基站基础设施、中继器、军用/微波无线电、公共安全/陆地移动无线电、uhf/vhf无线电以及测试测量。

单刀双掷开关是生产、生活中常用的一种开关,也是初中学段一种较为复杂的开关.学生对这种开关的设计原理往往理解不透,对接线方法容易搞错.本文从学生熟悉的单刀单掷开关入手,通过一系列问题设计,逐步迁移到单刀双掷开关,从而使学生对为什么要设计单刀双掷开关、单刀双掷开关如何接线有了深刻的理解,便于学生掌握.

单刀双掷开关是生产、生活中常用的一种开关,也是初中学段一种较为复杂的开关.学生对这种开关的设计原理往往理解不透,对接线方法容易搞错.本文从学生熟悉的单刀单掷开关入手,通过一系列问题设计,逐步迁移到单刀双掷开关,从而使学生对为什么要设计单刀双掷开关、单刀双掷开关如何接线有了深刻的理解,便于学生掌握.

东芝公司推出一种新的小型低断面gaasmesfet、单刀双掷开关。这种小型开关非常适用于多波段/多模蜂窝天线开关组件、蓝牙组件和无线局域网。上述gaasmesfetmmic1ghz下插损0.35db(2ghz下0.40db),1ghz和2ghz下隔离24db。其功率性能优良,25ghz下1db压缩功率(p1db)为17dbm,对于极小型低断面封装而言,上述功率性能是非常之好了。这种tg2217ctb型单刀双掷开关采用甚小低断面无引线6针芯片级封

采用gaaspin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路。在gaaspin二极管建模阶段充分考虑寄生效应对模型的影响,获得高精度模型;在电路设计阶段采用gaaspin二极管单级并联结构,提高功率特性;在工艺加工阶段调整p+层、n+层的掺杂浓度和i层的厚度,获得低损耗、高功率特性的gaaspin二极管;最终制备的单刀双掷开关芯片在片测试表明,在25～40ghz范围内插入损耗小于1.0db,隔离度大于25db,输入输出电压驻波比小于2.0∶1,具有优异的宽带小信号特性;35ghz下承受功率高达34dbm,具有非常好的功率特性。

采用阶跃阻抗传输线和扇形微带短截线,实现了单刀双掷开关的直流偏置,使直流支路与毫米波支路之间的隔离度大于30db,带宽超过25%,在中心频率30ghz附近回波损耗大于40db。采用这种直流偏置电路和pin梁式引线二极管,基于ltcc工艺对单刀双掷开关串联结构进行仿真。设计结果表明在28.5～31.5ghz频率范围内,串联开关的插入损耗小于1.5db,回波损耗大于15db,隔离度大于20db。

本文介绍了一种利用单驱动电压控制通路选择的新型rfmems单刀双掷开关,利用三维仿真软件ansofthfss和ansys进行仿真和优化设计该开关的性能。仿真结果表明:驱动电压为22v,开关时间为22μs,在中心频率30ghz处,开关处于down状态下的插入损耗为0.42db,回波损耗为43db,隔离度为29db;而当开关处于up状态的插入损耗为0.53db,回波损耗为19db,隔离度为28db,该开关的性能仿真和优化设计达到理想情况。。

自动增益控制电路(agc)是微波接收机中常用的一种电路。为了提高器件使用效率,优化端口驻波匹配,可以使用单刀双掷开关来实现agc电路。单刀双掷开关采用pin二极管制作,其插入损耗小、隔离度较高、并且端口驻波较好。该开关采用串并联电路方式,并利用ansoft公司的serenade软件对其进行仿真优化,电路基板使用rogers的rt5880板材。经过实际测试,该agc电路的工作频率为9.5～10.5ghz,正常支路插损小于4db,带内平坦度0.5db,输入输出驻波比小于1.6。

custommmic公司是单片微波集成电路开发商,最近在其标准产品序列中又添加了一种新的单刀双掷开关-cmd230。据称,这是该公司单刀双掷开关中插入损耗最小的,为1.4db。cmd230是以芯片形式存在的通用宽带高隔离反射的mmicspdt。带宽涵盖dc-26ghz,具有低的插入损耗(1.4db),输入ip3为37dbm,13ghz时具

详细介绍了ma4p274系列pin二极管的特点,并把这些特点用在双向放大器电路设计中,取得预期的效果。

西安电子科技大学 硕士学位论文 双通道单刀双掷模拟开关的设计 姓名：黄丽芳 申请学位级别：硕士 专业：微电子学与固体电子学 指导教师：贾护军 20090101 双通道单刀双掷模拟开关的设计 作者：黄丽芳 学位授予单位：西安电子科技大学 本文链接：http://d.g.wanfangdata.com.cn/thesis_y1556615.aspx 下载时间：2010年4月14日

采用pin二极管工艺技术,设计、制作了一种微波单端匹配式pin单刀单掷功率开关芯片,并给出了详细测试曲线。该开关由四级pin二极管组成,采用单端匹配结构。工作频率8～10ghz,整个带内插入损耗小于0.7db,输出端口驻波比小于1.4:1,输入端口开关态驻波比均小于1.4:1,在9ghz点频下测得1db压缩点输入功率大于31dbm,芯片内部集成偏置电路,采用+5v/-5v供电,在+5v工作条件下,电流20ma。该芯片面积为2.0mm×1.4mm。

采用gaaspin二极管,完成1~26.5ghz的单刀单掷开关单片的设计、制作。spst开关单片带内插损小于0.5db,驻波优于1.1,隔离度大于27db,在10~26.5ghz,隔离度大于37db。开关单片采用mocvd生长的gaas纵向pin二极管材料结构,76mmgaas圆片工艺加工制作。

利用高衬底电阻率的180nm绝缘体硅(soi)cmos工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷(sp16t)天线开关。由于衬底电阻率高达1kω·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,十六路开关分支的插损0~3ghz频段内均小于2db,隔离度平均大于35db,回波损耗小于-20db,功率处理能力超过36dbm,完全满足设计要求。

isl54062是双0．5ωspdt开关，具有低导通电阻和低压操作的特点，可处理信号输入上的负电压信号。其工作电压为＋1．8v～＋6．5v，可传送低于正电压轨、最大摆幅达6．5v的信号。isl54062和该系列的其他产品，包括isl54063和isl54064，带有intersil的“咔哒”声消除电路。

对单刀双掷射频同轴继电器的工作原理和主要技术指标进行了介绍,重点阐述了产品结构、ttl电路控制系统、电磁系统及射频传输切换系统的设计方法,对同类产品的设计具有一定的参考意义。

本文将详细介绍高隔离度pin二极管开关在建设工程领域中的应用。首先，我们将解释高隔离度pin二极管开关的工作原理和特点。然后，我们将探讨其在建设工程中的优势和应用案例。最后，我们将对比高隔离度pin二极管开关与传统开关的差异，并总结文章内容。

单刀双掷（也称单开双控）开关 在照明电路中的应用 江苏省泗阳县李口中学沈正中 照明电路中的墙面板开关，一般有单（一）开单（一）控开关 （也称单刀单掷开关）、双（两）开单（一）控开关、三开单（一） 控开关、四开单（一）控开关、单（一）开双控开关（也称单刀 双掷开关）、双（两）开双（两）控开关、三开双（两）控开关、 四开双（两）控开关，这里的“单（一）开、双（两）开、三开、 四开”是指开关的个数。 双控开关可以作单控开关用，但单控开关不能作双控开关用。 单开双控开关接线原理图如下： 单开双控实物接线图如下： 下图是单开双控开关的实物图 下图是双开双控开关的实物： 注意，双控开关有3、6、9、12、,,个接线孔的，买开关时 要看清楚。 一开双控开关有四种接法，见下图。 上图中的四种接法虽然能达到控制灯的开与关，但前两种不太安 全，不建议使用这两种方法。因为灯关掉后，灯的两边（有可能）

二极管的开关原理

单刀双掷（也称单开双控）开关 在照明电路中的应用 江苏省泗阳县李口中学沈正中 照明电路中的墙面板开关，一般有单（一）开单（一）控开关 （也称

采用电磁场分析方法,研究在大功率工作条件下台面结构pin二极管管芯的工作模式,提取相应的s参数,以优化并联式开关电路的阻抗匹配网络,分析开关导通和关断时的电性能,以及大信号下的功率损耗,研制出了c波段大功率单刀四掷开关。在5.1~5.7ghz频带内,测得开关小信号插损小于0.67db、驻波比小于1.2、隔离度优于55db、开通时间优于380ns、关断时间优于230ns;大信号插损小于1.1db、检波延迟时间优于118ns,设计指标满足了工程应用的要求。