开关二极管型号类别及其参数

开关二极管实用知识及应用电路分析 用于电子开关电路中的二极管称为开关二极管。 ? ?开关二管同普通的二极管一样,也是一个pn结的结构,不同之处是要求这种 二极管的开关特性要好。 ? ?小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等,也有在高温下还可能工作的 硅扩散型、台面型和平面型二极管。2ak型点接触型为中速开关管,2ck型平 面接触型为高速开关管,肖特基(sbd)硅大电流开关管正向压降小、速度快、 效率高。肖特基型二极管的开关时间特短,因而是理想的开关二极管。 ? ?1.开关特性 ? ?当给开关二极加上正向电压时,二极管处于导通状态,这相当于开关的通态。 当给开关二极管加上反向电压时,二极管处于截止状态,这相当于开关的断态。 开关二极管就是利用这种特性,且通过制造工艺,使这种二极管的开关特性更好,即 开关速度更快,pn结的结电容更小,导通时的

二极管的开关原理

精品文档 精品文档 led发光二极管参数 简介： led是发光二极管(lightemittingdiode,led)的简称，也被称作发光二极管，这种半 导体组件一般是作为指示灯、显示板，它不但能够高效率地直三丰光电接将电能转化为光能， 而且拥有最长达数万小时～10万小时的使用寿命，同时具备不若传统灯泡易碎，并能省电 等优点。 发光二极管简称为led。由镓（ga）与砷（as）、磷（p）的化合物制成的二极管，当 电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管，在电路及仪器中作为指 示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二 极管发黄光。 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为led。发光二极管与普 通二极管一样是由一个pn结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后， 从p区

百度文库 1 常用稳压二极管技术参数 型号稳压值(v) 稳定电流 (ma) 功率(mw)型号稳压值(v) 稳定电流 (ma) 功率(mw) ma103035400ma218018201000 ma10333.35400ma220020201000 ma10363.65400ma222022101000 ma10393.95400ma224024101000 ma10434.35400ma22702751000 ma10474.75400ma23003051000 ma10515.15400ma23303351000 ma10565.65400ma23603651000 ma10626.25400ma30474.75150

发光二极管主要参数与特性 www.***.***发布日期：2007-2-517:12:17信息来源：led 发光二极管主要参数与特性 led是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：i-v特性、c -v特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 1、led电学特性 1.1i-v特性表征led芯片pn结制备性能主要参数。led的i-v特性具有非线性、整流性 质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。 如左图： (1)正向死区：（图oa或oa′段）a点对于v0为开启电压，当v＜va，外加电场尚克服不少 因载流子扩散而形成势垒电场，此时r很大；开启电压对于不同led其值不同，gaas为1v， 红色gaasp为1.2v，gap为1.8v，ga

1 发光二极管技术参数定义 普通发光二极管的正向饱和压降为1.6v-2.1v,正向工作电流为5-20ma。 led电参数 1．极限参数的意义 （1）允许功耗pm:允许加于led两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超 过此值，led发热、损坏。 （2）最大正向直流电流ifm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 （3）最大反向电压vrm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击 穿损坏。 （4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围， 发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 2．电参数的意义 (1)正向工作电流if：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应 根据需要选择if在0.6·ifm以下。 (2)正向工作电压vf：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下

led发光二极管参数 简介： led是发光二极管(lightemittingdiode,led)的简称，也被称作发光二极管，这种半 导体组件一般是作为指示灯、显示板，它不但能够高效率地直三丰光电接将电能转化为光能， 而且拥有最长达数万小时～10万小时的使用寿命，同时具备不若传统灯泡易碎，并能省电 等优点。 发光二极管简称为led。由镓（ga）与砷（as）、磷（p）的化合物制成的二极管，当 电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管，在电路及仪器中作为指 示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二 极管发黄光。 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为led。发光二极管与普 通二极管一样是由一个pn结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后， 从p区注入到n区的空穴

led发光二极管技术参数常识 半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称led)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵 管)等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 (一)、led发光原理 发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas(砷化镓)、gap(磷化镓)、gaasp(磷砷化镓)等半导体制成的， 其核心是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定 条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区。进入对方区域 的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。 假设发光是在p区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后，再

二极管参数 普通发光二极管的正向饱和压降为１．６ｖ～２．１ｖ,正向工作电流为 ５～２０ｍａ led的特性 1．极限参数的意义 （1）允许功耗pm:允许加于led两端正向直流电压与流过它的电流之 积的最大值。超过此值，led发热、损坏。 （2）最大正向直流电流ifm：允许加的最大的正向直流电流。超过此 值可损坏二极管。 （3）最大反向电压vrm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光 二极管可能被击穿损坏。 （4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于 或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 2．电参数的意义 (1)正向工作电流if：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。 在实际使用中应根据需要选择if在0.6·ifm以下。 (2)正向工作电压vf：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流 下得到的。一般是在if=

1/8 led发光二极管参数 简介： led是发光二极管(lightemittingdiode,led)的简称，也被称作发光二极 管，这种半导体组件一般是作为指示灯、显示板，它不但能够高效率地直三丰 光电接将电能转化为光能，而且拥有最长达数万小时～10万小时的使用寿命， 同时具备不若传统灯泡易碎，并能省电等优点。 发光二极管简称为led。由镓（ga）与砷（as）、磷（p）的化合物制成的 二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极 管，在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管 发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光。 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为led。发光二 极管与普通二极管一样是由一个pn结组成，也具有单向导电性。当给发光二极 管加上正向电压后，从p区注入到n区的空穴和由n

型号 最大耗散功 率(w) 额定电压(v) 最大工作 电流(ma) 可代换型号 1n7080.255.640bwa54、2cw28-5.6v 1n7090.256.2402cw55/b、bwa55/e 1n7100.256.8362cw55a、2cw105-6.8v 1n7110.257.5302cw56a、2cw28-7.5v、2cw106-7.5v 1n7120.258.2302cw57/b、2cw106-8.2v 1n7130.259.1272cw58a/b、2cw74 1n7140.2510252cw18、2cw59/a/b 1n7150.2511202cw76、2dw12f.bs31-12 1n7160.2512202cw61/a、2cw77/a 1n7170.2513182cw62/a、2dw

二极管参数 普通发光二极管的正向饱和压降为１．６ｖ～２．１ｖ,正向工作电流为 ５～２０ｍａ led的特性 1．极限参数的意义 （1）允许功耗pm:允许加于led两端正向直流电压与流过它 的电流之积的最大值。超过此值，led发热、损坏。 （2）最大正向直流电流ifm：允许加的最大的正向直流电流。 超过此值可损坏二极管。 （3）最大反向电压vrm：所允许加的最大反向电压。超过此 值，发光二极管可能被击穿损坏。 （4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范 围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 2．电参数的意义 (1)正向工作电流if：它是指发光二极管正常发光时的正 向电流值。在实际使用中应根据需要选择if在0.6·ifm以下。 (2)正向工作电压vf：参数表中给出的工作电压是在给定 的正向电流下得到的。一般是在

共2页第1页 编号：1202 类别：电子技术 考核项目：二极管整流电路的焊接与调试 技术要求： 一、元件选择和检查:12分。（考生应按图选择及检查元件，如发现元件损坏务必及时更换。） 二、焊接工艺:20分。（由考评员现场打分：1.布局合理、美观，焊点光亮、圆滑，大小一致， 得20分；2.布局一般，焊点大小不一，得10分；3.布局杂乱，得5分。） 三、调试结果:40分。（在规定的考试时间内给予两次通电机会，得到考评员许或后，1.第一次 成功得40分；2.第二次成功得20分；3.第二次不成功或放弃不得分。） 四、电气测量:按表一中要求进行，18分。（调试成功后进行，由考评员抽查结果。每对一个得 3分。） 表一（未调试成功或未经考评员抽查，填写均无效） 条件电压u2u0考评员签名 k1断,k2断 k1合,k2断 k1合

发光二极管(led)失效分析 时间:2009-12-2715:17来源:unknown作者:11点击:1次 发光二极管(led)失效分析2009年06月27日星期六12： 17led(light-emitting-diode中文意思为发光二极管)是一种能够将电能转化 为可见光的半导体，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理，而 采用电场发光。据 发光二极管(led)失效分析2009年06月27日星期六12： 17led(light-emitting-diode中文意思为发光二极管)是一种能够将电能转化 为可见光的半导体，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理，而 采用电场发光。据分析。 led的特点非常明显。 寿命长、光效高、无辐射与低功耗。led的光谱几乎全部集中于可见光 频段。 其发光

1 姓名：刘玉东学号：2111403132电子与通信工程2班 led(发光二极管) 摘要 发光二极管led是一种能发光的半导体电子元件。是一种透过三价与五价元素所组成 的复合光源这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，被hp买价专利 后当作指示灯利用。之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红 外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着白 光发光二极管的出现，近年续渐发展至被用作照明。 1.led图片 2.led的发展史 20世纪50年代，英国科学家发明了第一个具有现代意义的led,并于60年代面世， 但此时的led只能发出不可见的红外光。在60年代末，发明了第一个可以发出可见的 红光的led。到了七八十年代，又发明出了可以发出橙光、绿光、黄光的led。90年代 由

led发光二极管 半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称led）、数码管、符号管、米字管及点阵式 显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单 元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 （一）led发光原理 发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas（砷化镓）、gap（磷化镓）、gaasp（磷砷 化镓）等半导体制成的，其核心是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性，即正向导 通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下， 电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部 分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。 假设发光是在p区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发 光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光

巧用发光二极管 发光二极管问世以来，在多数应用实例中，人们往往只 注意到它的发光指示用，对于发光二极管在某些场合下的特 殊用途，尚开发利用得很不够。本文针对这一问题，进行如 下的探讨。 根据发光二极管的内部结构和特性参数可知，发光二极 管的核心部分是ｐｎ结。因此它具有一般ｐ－ｎ结的ｉ－ｖ 特性，即正向导通，反向截止、击穿特性等。发光二极管的 正向压降约为１．５－３：ｏｖ，反向电压值有的还可达到 １００ｖ，正向电流值一般在１０－２０ｍａ，极限值可达 ３０－５０ｍａ，甚至大于５０ｍａ（高亮大功率）。 例１：发光二极管是一种降压元件 在日常生活和各种电子制作及电子实验中，有时我们需 要各种不同规格的电压值，利用发光二极管做降压元件，可 以弥补上述方法的不足。在小电流稳压时，常采用稳压二极 管来稳定电压，在设计电路时，还应考虑到稳压管的一些特 性。比如：稳定电流１＂是由额定功率ｐｚ和稳定电压ｖｚ

贴片LED白光二极管型号与主要参数

diodes公司新推出的dllfsd01x开关二极管系列为要求超低漏电流及超速开关的设计人员而设,适用于液晶显示器、便携式电子产品,以及多种电脑和消费性产品。新器件特别适用于高功率效率及低开关损耗的系统。全新dllfsd01x开关二极管系列配备一般低至5na的漏电流,能够大幅降低系统功耗并提高能源效益。这些器件具有

介绍了研制适合梁氏引线开关二极管用的硅外延材料的工艺过程,通过采用cvd化学气相外延生长技术,对硅源流量与掺杂剂浓度进行精确控制,解决了满足梁氏引线开关二极管用的薄层高阻硅外延材料问题。

本文将详细介绍高隔离度pin二极管开关在建设工程领域中的应用。首先，我们将解释高隔离度pin二极管开关的工作原理和特点。然后，我们将探讨其在建设工程中的优势和应用案例。最后，我们将对比高隔离度pin二极管开关与传统开关的差异，并总结文章内容。

本文将详细介绍在建设工程领域中隔离二极管的作用，包括其原理、应用场景和优势。通过对隔离二极管的深入了解，读者将能够更好地应用它来确保建设工程的安全和稳定性。