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IGBT吸收电容

IGBT吸收电容具有双面金属化薄膜、无感结构、低等效串联电感，可承受较高的du/dt 能承受高脉冲电，ESR小，具有自愈性。

IGBT吸收电容基本信息

中文名称IGBT吸收电容
温度范围-40°C~85°C
额定容量0.0047μF~10μF
额定电压700V.DC~3000V.DC

IGBT吸收电容材料用途

广泛变频器、SVG、混合动力车、逆变焊机、太阳能/风力发电变流器等行业的“across-the-bus”功率线路设计，适用所有IGBT模块区域尖峰电压的吸收保护

IGBT吸收电容造价信息

市场价
信息价
询价

智能电容

规格型号：
MJDTL-30GB/14
价格行情：
材料单位：
只
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
重庆宇轩机电设备有限公司
报价时间：
2022-12-08

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补偿器电容

规格型号：
YC-4,荧光灯用,配套支架及灯盘/4uf补
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
杭州市江干区吉易照明电器经营部
报价时间：
2022-12-08

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补偿器电容

规格型号：
YC-12,荧光灯用,配套支架及灯盘/12uf
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
杭州市江干区吉易照明电器经营部
报价时间：
2022-12-08

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自愈式低压并联电容

规格型号：
BSMJK0.4-15-3
价格行情：
材料单位：
只
材料品牌：
天正
材料税率：
13%
供应商：
广西玉林市易建商贸有限公司(玉林市厂商期刊)
报价时间：
2022-12-08

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4uf补偿器电容

规格型号：
YC-4,荧光灯用,配套支架及灯盘
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
华艺
材料税率：
13%
供应商：
中山市华艺灯饰照明股份有限公司福建经销商
报价时间：
2022-12-08

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荧光灯电容器

规格型号：
4.75mFb
价格行情：
材料单位：
十个
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年2月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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荧光灯电容器

规格型号：
3.7mFb
价格行情：
材料单位：
十个
材料税率：
地区时间：
韶关市2009年10月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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荧光灯电容器

规格型号：
3.7mFb
价格行情：
材料单位：
十个
材料税率：
地区时间：
韶关市2009年6月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

荧光灯电容器

规格型号：
4.75mFb
价格行情：
材料单位：
十个
材料税率：
地区时间：
韶关市2009年6月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

荧光灯电容器

规格型号：
3.7mFb
价格行情：
材料单位：
十个
材料税率：
地区时间：
韶关市2009年4月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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臭氧发生器IGBT电容

规格型号：
DcmC392M500DF2FS
需求量：
144.0个
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2014-04-10

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电容

规格型号：
电容50uF/440V/105℃
需求量：
1874台
报价数：
4
材料品牌：
亚牌
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-09-04

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电容箱

规格型号：
电容箱
需求量：
1台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2010-06-21

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电容柜

规格型号：
电容补偿柜 PO2
需求量：
1台
报价数：
3
材料品牌：
国产一线品牌
材料档次：
高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2017-06-01

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启动电容

规格型号：
30VF启动电容
需求量：
3396只
报价数：
2
材料品牌：
欧司朗
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-05-13

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IGBT吸收电容产品参数

额定电压 700V.DC~3000V.DC 额定容量 0.0047μF~10μF 温度范围 -40°C~85°C 容量偏差 ±5%, ±10% 极间耐电压 2Ur(DC) 10s 25±5℃ 极壳耐电压 3000V 50Hz 60S, 25±5℃ 损耗角正切 Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4，Cr＞1.0μF tgδ≤6×10-4 绝缘电阻 C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S 预期寿命 100000h at Ur and 70℃

IGBT吸收电容产品特点

双面金属化薄膜、无感结构、低等效串联电感、可承受较高的du/dt 能承受高脉冲电，ESR小，具有自愈性等。

IGBT吸收电容常见问题

吸收电容应该怎么选才好？

通常，应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢？笔者认为，应基于以 ...
吸收电容的作用主要是什么？

母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感，对IGBT 电路尤其是大功率IGBT 电路，有极大的影响。因此，希望它愈小愈好。要减小这些电感，需从多方面入...
IGBT的作用

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的英文缩写。可以翻译做绝缘栅双极晶体管。　　IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于...

IGBT吸收电容文献

高压双面金属聚丙烯薄膜吸收电容

高压双面金属聚丙烯薄膜吸收电容

高压双面金属聚丙烯薄膜吸收电容

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大小：1.3MB

页数： 3页

高压双面金属聚丙烯薄膜吸收电容

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IGBT并联技术详解

IGBT并联技术详解

IGBT并联技术详解

格式：pdf

大小：1.3MB

页数： 24页

IGBT 并联技术技术详解 IGBT 并联均流问题影响静态均流的因素 1、并联 IGBT 的直流母线侧连接点的电阻分量，因此需要尽量对称； 2、 IGBT 芯片的 Vce(sat) 和二极管芯片的 VF的差异，因此尽量采取同一批次的产品。 3、 IGBT 模块所处的温度差异，设计机械结构及风道时需要考虑； 4、 IGBT 模块所处的磁场差异； 5、栅极电压 Vge 的差异。影响动态均流的因素 1、 IGBT 模块的开通门槛电压 VGEth 的差异， VGEth 越高， IGBT 开通时刻越晚，不同模块会有差异； 2、每个并联的 IGBT 模块的直流母线杂散电感 L 的差异； 3、门极电压 Vge 的差异； 4、门极回路中的杂散电感量的差异； 5、 IGBT 模块所处温度的差异； 6、 IGBT 模块所处的磁场的差异。 IGBT 芯片温度对均流的影响 IGBT 芯片的温度对于动态均

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吸收电容作用

母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感，对IGBT 电路尤其是大功率IGBT 电路，有极大的影响。因此，希望它愈小愈好。要减小这些电感，需从多方面入手。第一，直流母线要尽量地短；第二，缓冲电路要尽可能地贴近模块；第三，选用低电感的聚丙烯无极电容，与IGBT 相匹配的快速缓冲二极管，以及无感泄放电阻；第四，其它有效措施。缓冲电路的制作工艺也有多种方式：有用分立件连接的；有通过印制版连接的；更有用缓冲电容模块直接安装在 IGBT 模块上的。显然，最后一种方式因符合上述第二、第三种降感措施，因而缓冲效果最好，能最大限度地保护IGBT 安全运行。 2100433B

IGBT Modules选择

IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。 IGBT Modules 在使用中的注意事项 由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极-发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近 IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。

吸收电容结构特点

双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路。 尺寸: 适合于各种IGBT保护。

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