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KP型晶闸管又叫普通晶闸管,最基本的用途就是可控整流。不具备其他快速关断,双向等特点。
KP型晶闸管又叫普通晶闸管,最基本的用途就是可控整流。不具备其他快速关断,双向等特点。
特点:全扩散工艺
平板陶瓷封装
中心放大门极结构
双面冷却
特点:
1:全封闭陶瓷-金属螺柱型结构
2:全封闭玻璃-金属螺柱柱形结构
符号JB/T8949.2-1999标准
定义:应用PNPN四层半导体结构和三极(阴极,阳极,门极)实现可控整流功能。
一、作用:可控的导电开关,与二极管相比,不同之处是正向导通首控制极电流控制。二、什么是晶闸管:晶闸管导通条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管...
表示 普通可控硅的意思 艾维电气
晶闸管有四层半导体,三个极,相当于双晶体三极管模型。因此是双极型。
晶闸管T在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。
1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受和种电压,晶闸管都处于关短状态。
2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。
4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。
基于晶闸管的脉冲功率开关热模型研究
晶闸管作为脉冲功率开关器件时,其短时导通电流往往数倍于它的通态平均电流,短时积聚的损耗会使晶闸管结区累积大量热量,造成其结温瞬间陡升,试验表明极易使得晶闸管因结区过温而击穿。因此如何优化设计晶闸管脉冲功率开关阀体结构、最大限度快速散热、降低结区温升,具有重要意义。介绍了基于ABB的5STP 52U5200型晶闸管所构建的脉冲功率开关阀体结构及其柯尔热阻抗模型,并利用Matlab的SimuLink构建脉冲功率开关阀体的热网络仿真模型,获取晶闸管耗散功率与其最高结温、晶闸管耗散功率与其壳温的可视化关系曲线,归纳了脉冲功率开关导电极的热阻与热容对晶闸管最高结温的影响规律,为晶闸管脉冲功率开关阀体结构的优化设计提供了依据,并得到了试验验证。
Littelfuse推出新型16A SCR开关晶闸管
<正>全球电路保护领域的领先企业Littelfuse,近日推出了专为电动汽车车载充电(EVOBC)应用而设计的16ASCR(硅控整流器)系列开关型晶闸管。S8016x A系列SCR开关型晶闸管提供出色的交流处理能力和浪涌稳定性,使其能够处理120V条件下高达16ARMS的1级充电,以及100℃、240V条件下高达16ARMS以及80℃条件下高达25ARMS的2级充电。
MCT(MOS Controlled Thyristor)是将MOSFET与晶闸管组合而成的复合型器件。MCT将MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程和晶闸管的高电压大电流、低导通压降的特点结合起来,也是Bi-MOS器件的一种。一个MCT器件由数以万计的MCT元组成,每个元的组成为:一个PNPN晶闸管,一个控制该晶闸管开通的MOSFET,和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。
MCT具有高电压、大电流、高载流密度、低通态压降的特点。其通态压降只有GTR的1/3左右,硅片的单位面积连续电流密度在各种器件中是最高的。另外,MCT可承受极高的di/dt和du/dt,使得其保护电路可以简化。MCT的开关速度超高GTR,开关损耗也小。
总之,MCT曾一度被认为是一种最有发展前途的电力电子器件。因此,20世纪80年代以来一度成为研究的热点。但经过十多年的努力,其关键技术问题没有大的突破,电压和电流容量都远未达到预期的数值,未能投入实际应用。而其竞争对手IGBT却进展飞速,所以,目前从事MCT研究的人不是很多。
《新型晶闸管数据手册》是“速查速用半导体数据手册”丛书之一,《新型晶闸管数据手册》汇编了新型、常用晶闸管[包括普通型反向阻断晶闸管(SCR)、快速晶闸管、高频晶闸管、双向晶闸管(TRIAC)、门极关断晶闸管(GT0)]的型号、封装形式、厂商和主要电气参数(包括VGT、VDRM、VRRM、VT、VTM、VRGM、IDRM、JRRM、IGT、IT、T)。书后附有索引,便于读者速查速用。
《新型晶闸管数据手册》资料丰富,内容新颖,实用性强,可供广大电子技术从业人员、电子元器件生产和销售人员、电子产品维修人员和电子爱好者阅读参考。
普通型反向阻断晶闸管(SCR)
快速晶闸管
高频晶闸管
双向晶闸管(TRIAC)
门极关断晶闸管(GTO)
附录A 晶闸管厂商名称对照表
附录B 晶闸管封装外形尺寸
索引