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MOS控制晶闸管

控制晶闸管是由MOSFET和晶闸管复合而成的一种电力电子器件,它的输人极由MOS管控制,故属场控器件。其驱动电路比GTO的驱动电路简单;通态压降与SCR相当,比IGBT和GTR都低。

MOS控制晶闸管基本信息

MOS控制晶闸管概述

直流电枢绕组分叠绕组、波绕组和蛙绕组3种。每个线圈的两个出线端连接到换向器的两个换向片上,两者在换向器圆周表面上相隔的距离称为换向器节距,用Ys表示。不同形式的绕组具有不同的换向器节距。

有单叠绕组和复叠绕组之分。单叠绕组是将同一磁极下相邻的线圈依次串联起来 ,构成一条并联支路,所以对应一个磁极就有一条并联支路。单叠绕组的基本特征是并联支路数等于磁极数。各条支路间通过电刷并联。单叠绕组线圈的换向器节距Ys=1。Ys>1者称复叠绕组。比较常用的是Ys=2的复叠绕组,又称双叠绕组。双叠绕组在一个磁极下有两条并联支路。例如一台四极直流电机,采用双叠绕组时,共有8条并联支路。各条支路间也是通过电刷并联。电刷组数等于电机的极数。其中一半为正电刷组,另一半为负电刷组。叠绕组的并联支路数较多,它等于极数或为极数的整倍数,所以又叫并联绕组。

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MOS控制晶闸管造价信息

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晶闸管控制焊机

  • CO2/MAG YM-350KR2HGE参数1:标准配置;系列:CO2焊机;说明:注:唐山松下专卖店以同样地价格销售唐山松下产品并提供服务,以上价格不含包装费、运费.;
  • 松下
  • 13%
  • 衡水天威机电设备有限公司
  • 2022-12-06
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晶闸管控制焊机

  • CO2/MAG YM-500KR2HGE参数1:标准配置;系列:CO2焊机;说明:注:唐山松下专卖店以同样地价格销售唐山松下产品并提供服务,以上价格不含包装费、运费.;
  • 松下
  • 13%
  • 衡水天威机电设备有限公司
  • 2022-12-06
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晶闸管控制焊机

  • CO2/MAG YM-200KR2HGE参数1:标准配置;系列:CO2焊机;说明:注:唐山松下专卖店以同样地价格销售唐山松下产品并提供服务,以上价格不含包装费、运费.;
  • 松下
  • 13%
  • 衡水天威机电设备有限公司
  • 2022-12-06
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晶闸管控制焊机

  • CO2/MAG YM-500GL5HGE参数1:配4.5米350A焊枪,不含加长线;系列:CO2焊机;说明:注:唐山松下专卖店以同样地价格销售唐山松下产品并提供服务,以上价格不含包装费、运费.;
  • 松下
  • 13%
  • 衡水天威机电设备有限公司
  • 2022-12-06
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晶闸管

  • 模块 MTC25A 600V
  • 13%
  • 西宁永信电力设备有限公司
  • 2022-12-06
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安稳控制

  • 子站安稳控制屏,110V
  • 广东2019年4季度信息价
  • 电网工程
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安稳控制

  • 子站安稳控制屏,110V
  • 广东2019年1季度信息价
  • 电网工程
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安稳控制

  • 子站安稳控制屏,110V
  • 广东2020年1季度信息价
  • 电网工程
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安稳控制

  • 子站安稳控制屏,110V
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  • 电网工程
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安稳控制

  • 子站安稳控制屏,110V
  • 广东2019年3季度信息价
  • 电网工程
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晶闸管单元

  • PSTNsm-60T/4
  • 36个
  • 1
  • 北京普世通、广东光达
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2022-05-09
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三相晶闸管

  • THY30A40
  • 48只
  • 1
  • 施耐德
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2021-04-19
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三相晶闸管

  • STK-55G
  • 48只
  • 1
  • 深圳赛源
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2021-04-19
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MOS场效应晶体测试仪

  • BJ2990
  • 6台
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2015-04-22
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MOS型场效应晶体瞬态热阻测试仪

  • BJ2989
  • 6台
  • 1
  • 中档
  • 含税费 | 不含运费
  • 2015-11-17
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MOS控制晶闸管产品特点

其驱动电路比GTO的驱动电路简单;通态压降与SCR相当,比IGBT和GTR都低。MCT具有高电压、大电流高输入阻抗低驱动功率、低通态压降、开关速度快以及开关损耗小等特点。另外,MCT承受di/dt和du/dt的能力极高,可使其保护电路得以简化。 2100433B

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MOS控制晶闸管产品介绍

MOS控制晶闸管是由MOSFET和晶闸管复合而成的一种电力电子器件,它的输人极由MOS管控制,故属场控器件。

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MOS控制晶闸管常见问题

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MOS控制晶闸管文献

MOS管的构造及MOS管种类和结构 MOS管的构造及MOS管种类和结构

MOS管的构造及MOS管种类和结构

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大小:19KB

页数: 1页

MOS 管的构造及 MOS 管种类和结构 随着社会的进步和发展, MOS 管在电子行业的应用越来越广泛,萨科微电子 SLKOR 作为能够研发生产碳化硅 SiC 产品的“碳化硅专家”,必须来科普一下这方面的知 识。 MOS 即 MOSFET 的简写,全称是金属氧化物场效应晶体管。 就是利用输入回路的电场效 应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 MOS 管的构造、原理、特性、符号规则和封 装种类等,大致如下。 1、MOS 管的构造: MOS 管的构造是在一块掺杂浓度较低的 P 型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺 制作两个高掺杂浓度的 N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极 D 和源极 S。然 后在漏极和源极之间的 P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅( Si02)绝缘层膜,在再 这个绝缘层膜上装上一个铝电极,作为栅极 G。这就构成了一个 N 沟道(NPN 型)增强 型 MOS 管

晶闸管整流弧焊机引弧及其数字控制设计 晶闸管整流弧焊机引弧及其数字控制设计

晶闸管整流弧焊机引弧及其数字控制设计

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针对直流电焊机引弧的工作环境和特点,分析了在焊接时采用旁路引弧的方法,同时在焊接时对焊机输出的电压、电流采样,并进行数字控制运算,适时稳定地控制焊机输出的电压、电流。其实现方法是采用C8051芯片处理器控制整个焊机的性能和功能,同时通过对负载电压、电流的采样进行双闭环控制。通过理论分析,实验验证了该焊接系统能根据焊接工艺要求设定输出焊接的电压、电流值,系统性能稳定、运行可靠,能提高焊接质量。

MOS控制型晶闸管简介

​MCT(MOS Controlled Thyristor)是将MOSFET与晶闸管组合而成的复合型器件。MCT将MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程和晶闸管的高电压大电流、低导通压降的特点结合起来,也是Bi-MOS器件的一种。一个MCT器件由数以万计的MCT元组成,每个元的组成为:一个PNPN晶闸管,一个控制该晶闸管开通的MOSFET,和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。

MCT具有高电压、大电流、高载流密度、低通态压降的特点。其通态压降只有GTR的1/3左右,硅片的单位面积连续电流密度在各种器件中是最高的。另外,MCT可承受极高的di/dt和du/dt,使得其保护电路可以简化。MCT的开关速度超高GTR,开关损耗也小。

总之,MCT曾一度被认为是一种最有发展前途的电力电子器件。因此,20世纪80年代以来一度成为研究的热点。但经过十多年的努力,其关键技术问题没有大的突破,电压和电流容量都远未达到预期的数值,未能投入实际应用。而其竞争对手IGBT却进展飞速,所以,目前从事MCT研究的人不是很多。

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光控制晶闸管简介

由于采用光触发保证了住电路与控制电路之间的绝缘,而且可以避免电磁干扰的影响,因此光控晶闸管目前在高压大功率的场合,如高压直流输电和倒牙核聚变装置中,占据重要的地位。

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控制极触发电路晶闸管控制极

晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又被称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和控制极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

控制极触发导通的晶闸管,总是在靠近控制极的阴极区域首先导通,然后逐渐向外扩展,直到整个面积导通。大面积的晶闸管需要50~100微秒以上才能全面积导通。初始导通面积小时,必须限制初始电流的上升速度,否则将发生局部过热现象,影响元件的性能,甚至烧坏。高频工作时这种现象更为严重。为此,仿造了集成电路的方法,在晶闸管同一硅片上做出一个放大触发信号用的小晶闸管。控制极触发小晶闸管后,小晶闸管的初始导通电流将横向经过硅片流向主晶闸管阴极,触发主晶闸管。从而实际强触发,加速了元件的导通,提高了耐电流上升率的能力。

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