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晶体三极管是由形成二个PN结的三部分半导体组成的,其组成形式有PNP型及NPN型。我国生产的锗三极管多为PNP型,硅三极管多为NPN型,它们的结构原理是相同的。 三极管有三个区、三个电极。其中基区(三极管中间的一层薄半导体)引出基极b;两侧有发射区引出发射极e及集电区引出集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。在电路符号上PNP型管发射极箭头向里,NPN型管发射极箭头向外,表示电流方向。
简介
晶体三极管是由形成二个PN结的三部分半导体组成的,其组成形式有PNP型及NPN型。我国生产的锗三极管多为PNP型,硅三极管多为NPN型,它们的结构原理是相同的。
三极管有三个区、三个电极。其中基区(三极管中间的一层薄半导体)引出基极b;两侧有发射区引出发射极e及集电区引出集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。在电路符号上PNP型管发射极箭头向里,NPN型管发射极箭头向外,表示电流方向。
接近光电PNP类的信号触发,有些是红外线的,有的是经过光的漫反射,有的是经过感应到铁来触发信号的。一般棕色的线接电源正极、兰色的线接电源的负极、黑色的是信号输出线,PNP类的接近开关输出的信号线是正,...
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,开关速度可以非常之快,在实验室...
只用一种载流子进行导电的晶体管称为单极型晶体管。
S波段RF功率晶体管
S波段500WRF器件2729GN~500越于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术,新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用,ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。
通常简称功率晶体管。 其中大容量型又称巨型晶体管,简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件,内含数十至数百个晶体管单元。图1是功率晶体管的符号,其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型,器件被分成NPN型和PNP型两种,硅功率晶体管多为前者。
晶体管分类:双极型晶体管和场效应管
双极型晶体管分类:NPN型管和PNP型管
电子制作中常用的三极管有9 0× ×系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31 (低频小功率锗管) 等,它们的型号也都印在金属的外壳上。
第一部分的3表示为三极管。 第二部分表示器件的材料和结构,A: PNP型锗材料 B: NPN型锗材料 C: PNP型硅材料 D: NPN型硅材料 第三部分表示功能,U:光电管 K:开关管 X:低频小功率管 G:高频小功率管 D:低频大功率管 A:高频大功率管。另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。