电容屏封边侧照，小线条型照射工艺要求。

【电源要求】220VAC 50/60Hz 2A.

【耗电功率】约5W.

【外型尺寸】270L*120D*180Hmm.

【电缆直径】Φ4mm. 【LED配置】单头至4头配置自选.

【连 接 器】6P连接器.

【时间设定】1~999秒.

【控制方式】自动或手动控制.

【光强调整】0-100%模拟调光性能.

【使用环境】0-40℃,湿度20-85%, 净化操作环境均可适用。

【耗电功率】约30W.

【外型尺寸】40---1100L*25D*70Hmm.

【照射面积】20--1000mm长，2---10mm宽.

【电缆长度】1m，2m,3m,5m,7m,

【采用光源】高功率LED紫外二极管(进口). 【输出波长】UV365±5nm或者UV395±5nm或者客户指定

【光源强度】200mw/cm2-----1000mw/cm2.

【光强调整】0-100%模拟调光性能.

【照射距离】5-30mm.

【使用环境】0-40℃,湿度20-85%, 净化操作环境均可适用.

UV LED线光源是UV LED光源的一种，线光源是只发光的模式。是通过专门设计使UV LED能发出一个完整连续紫外光带，满足封边，印刷等领域的生产需要。线光源有超长的寿命、冷光源、无热辐射、寿命不受开闭次数影响、能量高、照射均匀提高生产效率，不含有毒物物质比传统的光源更安全、更环保。

不同的应用领域需要不同尺寸的UV LED光源，一般可分为UV LED点光源、UV LED线光源和UV LED面光源，就光强度而言，三者依次递减。

1.UV LED点光源:分为UV LED风扇式点光源和UV LED笔式点光源，光斑直径可分为3mm 4mm 6mm 8mm和12mm。

2.UV LED线光源:光源形状为线形，线形长度可定制。

3.UV LED面光源:光源为平面，光源面积可定制，应用较为普遍。

◆ UV-LED线光源照射机介绍

UV LED线光源是UV LED光源的一种发光模式。是通过专门设计的光学镜头组输出一条狭长的紫外光带，满足封边，印刷等领域的生产需要。线光源在继承点光源特点的同时，更具有固化面积大，固化时间短的特点。超长寿命、冷光源、无热辐射、寿命不受开闭次数影响、能量高、照射均匀等优点。对比传统光源，UV-LED线光源不含有毒物物质，特显更安全、更绿化的环保理念。

◆ UV-LED线光源照射机的特性

○ LED光源为冷光源,无热辐射，被照射产品的温度几乎不变，不会对照射物产生损坏;

○ 不需预热瞬间点亮,即刻达到100%功率紫外输出，照射强度可达3000mW/ cm2，照射效果非常突出;

○ 本机采用超小机身，只有原先高压汞灯照射机的1/8的体积，照射头采用从机身背面引出的方式，使得设备能轻而易举的整合到全自动生产线和设备中，同时还节约了大量的工作空间;

○ 无有毒物质汞，也不会产生臭氧，更安全、更环保，是传统光源最佳代替品;

○ 降低成本、LED直接照射，设备简单，不需要输出光缆，减少了光缆损耗;

○ 国外进口的LED芯片，其光源寿命相当可观，达到25000小时以上;

○ 与传统照射方式方式不同，其UV-LED线光源照射机在可实现即开即关，不会出现无照射物时的浪费;

○ UV-LED可根据客户需求，在光学、驱动上系统集成客户需要的线光源;

○ 独立控制多个LED照射头可以同时应用于多个需要单头输出的独立工位，有效减少设备配置，多个LED照射头还可以通过电脑编程模式来控制次序照射，进一步支持高精度的接合需求，减少人为操作而导致的时间误差;

○ 风扇散热方式，稳定单次照射功率输出，延长使用寿命。

◆ 主要用途及应用:

○ 微电子、液晶、PCB、光通信、光学等线形光固化;

○ 高档家具UV漆固化;

○ 印刷防伪检测;

○ 工艺品喷涂固化;

○ TFT-LCD液晶面板灌晶口封装。

UV LED是LED的一种，是单波长的不可见光，一般在400nm以下。通过专门设计使UV LED能发出一个完整连续紫外光带，满足封边，印刷等领域的生产需要。线光源有超长的寿命、冷光源、无热辐射、寿命不受开闭次数影响、能量高、照射均匀提高生产效率，不含有毒物物质比传统的光源更安全、更环保。

组成

UVLED(紫外LED)由夹在较薄GaN三明治结构中给一个或多个InGaN量子阱组成，形成的有源区为覆层。通过改变InGaN量子阱中InN-GaN的相对比例，发射波长可由紫光变到其他光。AlGaN通过改变AlN比例能用于制作UVLED中的覆层和量子阱层，但这些器件的效率和成熟度较差。如果有源量子阱层是GaN，与之相对是InGaN或AlGaN合金，则器件发射的光谱范围为350~370nm。

当蓝色InGaN发光二极管泵处短的电子脉冲时，则产生紫外线辐射。含铝的氮化物，特别是AlGaN和AlGaInN可以制作更短波长的器件，获得系列波长的UVLED。波长可达247nm的二极管已经商业化，基于氮化铝、可发射210nm紫外线辐射的LED已研制成功，250~270nm波段的UVLED也在大力研制中。

III-V族金属氮化物基的半导体非常适合于制作紫外辐射源。以AlGaInN为例，在室温下，随着各组分比例的变化，电子和空穴在复合时所辐射的能量在1.89~6.2eV。如果LED的活性层单纯由GaN或AlGaN构成，则其紫外辐射效率很低，因为电子和空穴之间的复合为非辐射复合。如果在该层当中掺杂少量的金属In，活性层局部的能级就会发生变化，此时，电子和空穴就会发生辐射复合。因此，当在活性层中掺杂了金属铟之后，380nm处的辐射效率要比不掺杂的高大约19倍。