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主要起草单位：南京电子器件研究所 。 2100433B
1999年8月2日，《半导体器件分立器件分规范》发布。
2000年3月1日，《半导体器件分立器件分规范》实施。
单极型晶体管属于电压控制型半导体器件，即场效应晶体管。特点:具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率...
二极管的基本特性就是单向导电性。检修测量时通过两个方向的截止和导通情况来判断是否损坏。二极管的主要参数有反向电压、持续正向电流、正向导通电压、耗散功率和反向恢复时间（决定适用工作频率）。不同型号的二极...
半导体元器件（semiconductor device）通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端...
用于半导体器件热超声球焊的铝丝
用于半导体器件热超声球焊的铝丝
在与金丝焊接使用的机器相当的引线焊接机上进行了铝丝热超声球焊实验。工业上作出的努力成功地改进了铝丝球焊机,相对来说,对优选金属细丝还注意不够。此文报道了实验中得到的拉力试验数据和金相检验结果。实验中,五种铝合金细丝被短暂地置于高温下。这样处理是想模拟电火花熄灭时直接在球上加热的金属细丝情况。并提出了一个解释铝球形成机理的新的物理模型,还提出了证据以证实其似乎是合理的。此报告中的资料表明了铝球金属细丝的发展方向。
目前，中国的半导体分立器件产业已经在国际市场占有举足轻重的地位并保持着持续、快速、稳定的发展。随着电子整机、消费类电子产品等市场的持续升温，半导体分立器件仍有很大的发展空间，因此，有关SIC基、GSN基以及封装等新技术新工艺的发展，新型分立器件在汽车电子、节能照明等热点领域的应用前景等成了广受关注的问题。当前全球分立器件市场总体保持稳步向上，而亚洲地区特别是中国市场表现犹为显眼。虽然受金融危机和行业周期性调整的影响，目前半导体分立器件行业市场发展处于低迷时期，但前景依然美好。从发展趋势看，无论是全球还是中国，分立器件在电子信息产品制造业中销售额度所占比例正在逐步下降，分立器件产量和产值的增长速率要低于整机系统的增长速率。另一方面，整机系统的快速发展，也为分立器件行业提供了新的市场商机。特别是全球电子整机对节能、环保需求的不断增长，这一方面带动了分立器件产品的需求增长，另一方面也带动了市场产品结构的快速升级。整机系统进一步向小型化、集成化方向发展的趋势，对分立器件也提出了新的要求，片式贴装器件已经成为行业发展的主流。中国企业要想在未来市场中竞争中掌握主动权，必须加强原始创新、集成创新和引进消化吸收再创新。
半导体分立器件制造行业竞争的不断加剧，大型半导体分立器件制造企业间并购整合与资本运作日趋频繁，国内优秀的半导体分立器件制造企业愈来愈重视对行业市场的研究，特别是对企业发展环境和客户需求趋势变化的深入研究。
2010年全球半导体市场将较上年同期低迷的水平实现有史以来最大规模的增长，这主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增长。2010年全球半导体市场规模达2910亿美元，同比增长约30%；2011年规模为3079亿美元，同比增长5.8%。这一切要归功于杀手级产品，如智能手机、平板电脑、电子书及游戏机等终端电子产品的推动,以及实际上半导体产业是受2008与2009年的两年下降,而积聚的向上能量。全球DRAM市场总体供过于求状况持续加剧，2011年全球DRAM市场位元产能将增长58.7%，高于需求增速31.5个百分点，过剩产能占比达28.2%。中国2012年LED市场规模将达605亿元，2008-2012年年复合增长率达34%。至2015年LED芯片自给率将达70%。2010年1-11月国内元器件各细分产品PCB、电容、电阻、电感器件、电声器件、磁材料及器件、电接插元件出口同比增长分别为32.74%、44.62%、41.30%、54.31%、36.04%、43.75%、39.59%。
半导体产业中有两大分支:集成电路和分立器件。
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