使用标准电阻器时，要避免机械冲击及剧烈的温度变化，耗散功率一般应小于规定值，以保持其良好的稳定性。

英国伦敦纳米技术研究中心的科学家在《应用物理学杂志》上报告说，他们研制出了可用于纳米级量子电路的紧凑型高值电阻器，这种薄膜电阻有望推动量子计算器件和基础物理研究的发展。

需要应用到高值电阻的一个例子就是量子相滑移(quantumphase-slip)电路。量子相滑移电路是用超导材料制作的狭窄电线制成的，它利用一种基本的、违反直觉的量子力学特性--量子隧穿效应，克服了经典物理学中难以逾越的能垒，使磁通量在电线中来回移动。2006年，荷兰科维理纳米科学研究所的科学家提出，量子相滑移电路可用于从新定义电流的国际单位--安培，目前的安培测量技术却还延续着19世纪使用的宏观测量方法，因此测量精度有限。有其他科学团队也提出，可以将量子相滑移设备作为量子计算机的量子位。

标准电阻器一般用温度系数低、稳定度高的锰铜合金丝(片)绕在黄铜或其他材料的骨架上，再套上铜制外壳制成。外壳与骨架通常焊在一起，把电阻丝密封起来，以减少大气中的湿度等因素的影响。电阻器绕成后需退火处理，以消除绕制过程中产生的应力，改善其稳定性。电阻器的引线经密封的陶瓷绝缘子引出，与装在面板上的端钮相接。标准电阻器通常做成四端钮式(见图)。A、B为电流端，C、D为电位端。测量和使用时从 A、B两端通进电流，取出C、D两点的电压进行测量。此时需使电位端不流过电流，这样C、D两端钮的电位就分别等于α、β两点的电位，而标准电阻器的电阻值就被定义为 α、β两个结点之间的电阻值。这样，Aα，Cα，Bβ，Dβ四条引线的电阻的影响均被消除。

用电阻合金丝绕制的标准电阻器的自感及分布电容在使用时会引起一些不良效果。为了减少自感，可采用双线绕法。但对100千欧的高值电阻器，所用的电阻丝很长，采用双线绕法会导致较大的分布电容，因而多采用分段绕法，使自感和分布电容均较小。

对用于交流电路的标准电阻器，希望其自感和分布电容更小，因而需要采用一些特殊绕法;骨架也常使用云母、陶瓷等优质绝缘材料，以进一步减少分布电容和介质损耗。

70年代以来，已试制成了一系列比锰铜材料性能更优良的新型电阻合金，其特点是在更宽的温度范围内具有很低的温度系数。用这些合金制成的标准电阻器可在一般室温条件下达到以前只能在恒温室中达到的测量准确度。在结构工艺方面，试制成了高准确度的薄膜电阻器，其自感及分布电容均比线绕电阻小得多，特别适用于交流测量。薄膜电阻器的稳定性已逐步接近传统的线绕电阻器。

四臂结构是直流电桥的基本形式。电桥由直流电源供电，平衡时，相邻两桥臂电阻的比值等于另外两相邻桥臂电阻的比值。若一对相邻桥臂分别为标准电阻器和被测电阻器,它们的电阻有一定的比值,则为使电桥平衡，另一对相邻桥臂的电阻必须有相同的比值。根据这一比值和标准电阻器的电阻值可求得被测电阻器的电阻值。平衡时的测量结果与电桥电源的电压大小无关。