选择特殊符号
选择搜索类型
请输入搜索
磁敏三极管,是在磁敏二极管的基础上设计的一种磁电转换器件。磁敏三极管又称磁敏晶体管或磁三极管,是70年代发展起来的新型半导体磁电转换器件,主要用于磁检测、无触点开关和近接开关等。
由于采用的是硅材料,因而其稳定性比较高,温漂系数比较小。它属双极型晶体管结构,它具有正、反向磁灵敏度极性和有确定的磁敏感面。典型的磁敏三极管有3CCM。
磁敏三极管是在磁敏二极管的基础上研制出来的。它的一端为集电极和发射极e(n(区)、另一端P(区为基极b(图3[磁敏三极管的结构])。
磁场的作用使集电极的电流增加或减少。它的电流放大倍数虽然小于 1,但基极电流和电流放大系数均具有磁灵敏度,因此可以获得远高于磁敏二极管的灵敏度。磁敏三极管是尚处于研制阶段的新型器件,凡是应用霍耳元件,磁阻元件和磁敏二极管的地方均可用磁敏三极管来代替。磁敏三极管尤其适用于某些需要高灵敏度的场合,如微型引信、地震探测等方面。
如图是磁敏三极管的工作原理图,
图(a)给出了无外磁场作用时的情况。由于i区较长,从发射极e注人到i区的电子在横向电场U。。的作用下,大部分和i区中的空穴复合形成基极电流,少部分电子到集电极形成集电极电流。
显然,这时基极电流大于集电极电流。图(b)给出了有外电场B+作用时的情况。从发射极注人到i区的电子,除受横向电场Ube作用外,还受磁场洛仑兹力的作用,使其向复合区r方向偏转。结果使注人集电极的电子数和流入基区的电子数的比例发生变化,原来迸人集电极的部分电子改为进人基区,使基极电流增加,而集电极电流减少。根据磁敏一极管的工作原理,由于流向基区的电子要经过高复合区r,载流子大量复合,使i区载流子浓度大大减少而成为高阻区。
高阻区的存在又使发射结上电压减小,从而使注人到i区的电子数大量减少,使集电极电流进一步减少。流人基区的电子数,开始由于洛仑兹力的极电流基本不变。图(c)给出了有外部反向磁场B-作用的情作用而增加,后又因发射结电压下降而减少,总的结果是基况。其工作过程正好和加上正向电场B+时的情况相反,集电极电流增加,而基极电流基本上仍保持不变。
由上面磁敏 极管的工作过程可以看出,其工作原理和磁敏二极管完全相同。
无外界磁场作用时,由于i区较长,在横向电场作用下,发射极电流大部分形成基极电流,小部分形成集电极电流。在正向或反向磁场作用下,会引起集电极电流的减少或增加。因此,可以用磁场方向控制集电极电流的增加或减少,用磁场的强弱控制集电极电流的变化量。
为用高阻半导体制成的锗NPN型和硅PNP型磁敏晶体管。在锗磁敏晶体管的发射极e一侧用喷砂方法损伤一层晶格,设置载流子复合速率很大的高复合区r,而在硅磁敏晶体管中未设置高复合区。锗磁敏晶体管具有板条状结构,集电区和发射区分别设置在板条的两面,而基极b设置在另一侧面上。硅磁敏晶体管具有平面结构,发射区、集电区、基极均设置在硅片表面。磁敏晶体管的一个主要特点是基区宽度W大于载流扩散长度,因此它的共发射极电流放大系数小于1,无电流增益能力。另外,发射极-基区-基极是N PP 型或P NN 型长二极管,即N PP 型或P NN 型磁敏二极管。因此,磁敏晶体管是在磁敏二极管的基础上设计的长基区晶体管。
a.按材质分: 硅管、锗管b.按结构分: NPN 、 PNP。如图所示。c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.d. 按功率分:小功率管、率管、大功率管e.按工作频率分:低频管、高频管、超...
贴片三极管的话,价格是很便宜的,一般是很值得购买的,在这里给您推荐一下Risym品牌的产品,型号为MMBTA92的价格为29元每个。这款产品的质量很好,非常的正规,也很实用,最重要的是性价高(价格来于...
贴片三极管的话,价格是很便宜的,一般是很值得购买的,在这里给您推荐一下Risym品牌的产品,型号为MMBTA92的价格为29元每个。这款产品的质量很好,非常的正规,也很实用,最重要的是性价高(价格来于...
伏安特性
和普通晶体管的伏安特性曲线类似。由图可知,磁敏三极管的电流放大倍数小于1。
磁电特性
华文中宋磁敏三极管的磁电特性是应用的基础,右图为国产NPN型3BCM(锗)磁敏三极管的磁电特性,在弱磁场作用下,曲线接近一条直线。
温度特性及其补偿
华文中宋磁敏三极管对温度比较敏感,使用时必须进行温度补偿。对于锗磁敏三极管如3ACM、3BCM,其磁灵敏度的温度系数为0.8%/0C;硅磁敏三极管(3CCM)磁灵敏度的温度系数为-0.6%/0C 。因此,实际使用时必须对磁敏三极管进行温度补偿。
三极管参数
彩显中易损大功率三极管主要参数表 型号 功率 (W) 反压 (V) 电流 (A) 功能 价格 BU208A 50 1500 5 电源开关管 BU508A 75 1500 8 电源开关管 BU2508AF 45 1500 8 行管 *BU2508DF 125 1500 8 行管 *BU2508D 125 1500 8 行管 BU2520AF 45 1500 10 行管 BU2520AX 45 1500 10 行管 *BU2520DF 125 1500 10 行管 BU2522AF 45 1500 10 行管 *BU2522DF 80 1500 10 行管 *BU2525DF 45 800 12 行管 BUH515 60 1500 8 行管 BUH515D 60 1500 8 行管 C1520 10 250 0.2 视放 C1566 1.2 250 0.1 视放 C1573 0.6 250 0
半导体通过添加一部分微量元素会使其特性发生翻天覆地的变化。光敏晶体管就是一种重要的衍生物。视觉是人体最重要的感觉,因此,通过光来控制电路十分精妙,而光敏的二极管三极管恰好就完成这个任务。因为光敏三极管由于还具有放大作用,因此应用比二极管更加广泛。 光敏三极管还可用于测量光亮度,经常与发光二极管配合使用作为信号接收装置。
光敏三极管(Phototransistor)和普通三极管相似,也有电流(Current)放大作用,只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制,同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出,但一些光敏三极管的基极有引出,用于温度补偿(Temperature compensation)和附加控制等作用。 光敏三极管又称光电三极管,它是一种光电转换器件,其基本原理是光照到P-N结上时,吸收光能并转变为电能。当光敏三极管加上反向电压时,管子中的反向电流随着光照强度的改变而改变,光照强度越大,反向电流越大,大多数都工作在这种状态。
1、光谱特性
光敏三极管由于使用的材料不同,分为锗光敏三极管和硅光敏三极管,使用较多的是硅光敏三极管。光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的。
2、伏安特性
光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。
3、光电特性
光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时,光电流IL与光照度之间的关系。下图给出了光敏三极管的光电特性曲线光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好,且在弱光时光电流增加较慢。
4、温度特性
温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。由于光电流比暗电流大得多,在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。下两图中分别给出了光敏三极管的温度特性曲线及光敏三极管相对灵敏度和温度的关系曲线。
5、暗电流ID
在无光照的情况下,集电极与发射极间的电压为规定值时,流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。
6、光电流IL
在规定光照下,当施加规定的工作电压时,流过光敏三极管的电流称为光电流,光电流越大,说明光敏三极管的灵敏度越高。
7、集电极一发射极击穿电压VCE
在无光照下,集电极电流IC为规定值时,集电极与发射极之间的电压降称为集电极一发射极击穿电压。
8、 最高工作电压VRM
在无光照下,集电极电流Ie 为规定的允许值时,集电极与发射极之间的电压降称为最高工作电压。
9、最大功率PM
最大功率指光敏三极管在规定条件下能承受的最大功率。
10、峰值波长λp
当光敏三极管的光谱响应为最大时对应的波长叫做峰值波长。
11、光电灵敏度
在给定波长的入射光输入单位为光功率时,光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。
12、响应时间
响应时间指光敏三极管对入射光信号的反应速度,一般为1 X 10-3 --- 1 X 10-7S 。