按介质材料可分为:高介电常数电容器和低介电常数电容器;

按工作频率可分为:高频瓷介电容器和低频瓷介电容器;

按工作电压可分为:高压瓷介电容器和低压瓷介电容器。

按外形结构可分为:圆片形、管形、穿心式、筒形以及叠片式等。

I型电容器陶瓷:它的介电常数一般小于100，电气性能稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变而变化，属超稳定、低损耗的电容器介质材料，常用于对稳定性、可靠性要求较高的高频、超高频、甚高频的场合。 Ⅱ型电容器陶瓷:它的介电常数一般大于1000，电气性能较稳定，适用于隔直、耦合、旁路和滤波电路及对可靠性要求较高的中、低频场合。

Ⅲ型电容器陶瓷:它具有很高的介电常数，广泛应用于对容量稳定性和损耗要求不高的场合。

①由于电容器的介质材料为陶瓷，所以耐热性能良好，不容易老化。

②瓷介电容器能耐酸碱及盐类的腐蚀，抗腐蚀性好。

③低频陶瓷材料的介电常数大，因而低频瓷介电容器的体积小、容量大。

④绝缘性能好，可制成高压电容器。

⑤高频陶瓷材料的损耗角正切值与频率的关系很小，因而在高频电路可选用高频瓷介电容器。

⑥价格便宜，原材料丰富，适宜大批量生产。

⑦瓷介电容器的电容量较小，机械强度较低。

一、片式多层瓷介电容器功能选用

片式多层瓷介电容器因为具有"隔直通交"的特性，同时它是一个储能的元件，因此在电路中常有功用有以下几个方面: 1、片式多层瓷介电容器用于储能交换 这是电容器最基本的功用，主要是通过它的充放电过程来产生和施放一个电能。这主要是以大容量的Ⅱ类电容器为主，在某些情况下甚至可以代替小型铝电解电容器和钽电解电容。 2、片式多层瓷介电容器用于隔直通交(旁路与耦合) 由于电容器并非是一个导通体，它是通过交流的有规律的转向而体现出两端带电的现象，因此，在电路中它可以同其它元件并联，使交流通过，而直流被阻隔下来，起到旁路的作用。在交流电路中，电容器跟随输入信号的极性变化而进行充放电，从而使连接电容器两端的电路表现导通的状态，起到耦合的作用。一般说来，与放大器或运放输入端相联电容器的为耦合电容器;与放大器或运放发射极相联的电容器为旁路电容器。两者均以Ⅱ类电容器为主，特别是0.1uF 的电容居多。 3、片式多层瓷介电容器用于鉴频滤波 在交流电路中，对于一个多频率混合的信号，我们可以用电容器将其部分分开，一般来说，我们可以使用一个合理电容量的电容器将大部分的低频信号过滤掉。这主要以高频或超高频电容器为主。 4、用于浪涌电压的抑制 由于电容器是一个储能元件，因此，在电路中，它可以去除那些短暂的浪涌脉冲信号，也可以吸收电路中电压起伏不定所产生的多余的能量。 滤波主要以高频产品为主。二、片式多层瓷介电容器介质材料、容量值、容量级别的选用参考 介材料介电常数可做产品容量范围(以1206规格为例)对应容量级别COG(CG)15~901.0~2200pFB,C,D,F,G,JX7R(B)2600~36001~100nFJ,K,MZ5U(E)15000~200010~470nFM,S,ZY5V(F)15000~200010~470nFM,S,Z 注:BME(内电极为NI)同规格可做更大容量的产品。

片式电容器除有电容器 "隔直通交"的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。 随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展， 每年以10%~15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在 2000亿支以上，70%出自日本，其次是欧美和东南亚(含中国)。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广， 广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。

片式多层瓷介电容器执行标准:

1类片式多层瓷介电容器执行标准:GB/T 21041-2007(IEC 60384-21:2004);

2类片式多层瓷介电容器执行标准:GB/T 21042-2007(IEC60384-22:2004);