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CMOS工艺的低电压低噪声放大器研究

CMOS工艺的低电压低噪声放大器研究，外文名是Research on low voltage low noise amplifier with CMOS technology，作者是刘宝宏。

CMOS工艺的低电压低噪声放大器研究简介

CMOS工艺的低电压低噪声放大器研究，外文名是Research on low voltage low noise amplifier with CMOS technology，作者是刘宝宏。 副题名 外文题名 Research on low voltage low noise amplifier with CMOS technology 论文作者 刘宝宏著 导师 毛军发指导 学科专业 学位级别 工学博士 学位授予单位 上海交通大学 学位授予时间 2011 关键词 馆藏号 馆藏目录 \ \ 2100433B

CMOS工艺的低电压低噪声放大器研究造价信息

市场价
信息价
询价

低噪声干线放大器

规格型号：
5-862MHz双向平台;有单路输出,双路分配或分支三种输出方式可选;最大10安培过流
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
美视达
材料税率：
13%
供应商：
深圳市美视达天线器材有限公司
报价时间：
2022-12-06

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低噪声干线放大器

规格型号：
5-862MHz双向平台;双向滤波器为插件式设计,最大10安培过流
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
鑫东星
材料税率：
13%
供应商：
深圳鑫东星数码科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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信号放大器

规格型号：
TX3920
价格行情：
材料单位：
只
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
深圳市泰和安科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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放大器

规格型号：
DL-ZJQ-485-1(,DC24V)
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
德洛斯
材料税率：
13%
供应商：
广东德洛斯照明工业有限公司
报价时间：
2022-12-06

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放大器

规格型号：
23DB 8分支器
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
北京杰美锐科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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拉曼放大器(RAMAN)

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台
材料税率：
地区时间：
广东2021年2季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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拉曼放大器(RAMAN)

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台
材料税率：
地区时间：
广东2020年2季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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拉曼放大器(RAMAN)

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台
材料税率：
地区时间：
广东2019年4季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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拉曼放大器(RAMAN)

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台
材料税率：
地区时间：
广东2022年3季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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拉曼放大器(RAMAN)

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台
材料税率：
地区时间：
广东2022年1季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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低噪声放大器

规格型号：
(1)名称:前置放大器(2)满足设计图纸、相关规范、招标文件及其技术要求(3)含高层建筑增加费
需求量：
1个
报价数：
3
材料品牌：
A.博世、TOA、百威
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2020-03-20

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下变频低噪声放大器

规格型号：
NJR2936E
需求量：
1个
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-12-06

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Ku波段锁相低噪声放大器

规格型号：
HS1057BF PLL LNB,本振频率:11.3GHz,频率稳定度±5KHz
需求量：
1台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-09-07

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Ku波段锁相低噪声放大器

规格型号：
HS1057BF PLL LNB,本振频率:11.3GHz,频率稳定度±5KHz
需求量：
1台
报价数：
1
材料品牌：
中网卫通
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-09-11

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低噪声干线放大器

规格型号：
5-862MHz双向平台;双向滤波器为插件式设计,最大10安培过流
需求量：
6857个
报价数：
2
材料品牌：
鑫东星
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-06-16

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CMOS工艺的低电压低噪声放大器研究常见问题

低噪声放大器，什么是低噪声放大器

低噪声放大器，噪声系数很低的放大器。一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种...
低噪声放大器的原理

低噪声放大器的原理：1. 隔离器：主要用于高频信号的单向输入，对于反向的高频信号进行隔离，同时对各端口的驻波进行匹配。2. 低噪声管：ATF54143，利用管子的低噪声特性，减少模块的内部噪声，降低低...
低噪声放大器和高功放的区别

低噪声放大器和高功放的区别：两者的使用位置不一样：低噪声放大器一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器；高功放则用于发射机的末级。低噪声放大器：噪声系数很低的放大器。一般用作各类无线电接收机的...

CMOS工艺的低电压低噪声放大器研究文献

低噪声放大器设计

低噪声放大器设计

低噪声放大器设计

格式：pdf

大小：93KB

页数： 1页

本文介绍了低噪声放大器（LNA）设计原则、方法，重点分析了LNA的稳定性、非线性。

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一种用于电视调谐器的宽带CMOS低噪声放大器设计

一种用于电视调谐器的宽带CMOS低噪声放大器设计

一种用于电视调谐器的宽带CMOS低噪声放大器设计

格式：pdf

大小：93KB

页数： 6页

介绍了一种宽带CMOS低噪声放大器设计方法,采用噪声抵消技术消除输入MOS管的噪声贡献.芯片采用TSMC 0.25μm1P5M RF CMOS工艺实现.测试结果表明:在50~860MHz工作频率内,电压增益约为13.4dB;噪声系数在2.4~3.5dB之间;增益1dB压缩点为-6.7dBm;输入参考三阶交调点为3.3dBm.在2.5V直流电压下测得的功耗约为30mW.

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CMOS板机CMOS板机的优势

CMOS板机主要是优势的价格比较便宜，图像传播速度快，由于近期的大力改善，现在CMOS的图像清晰度已经发生了翻天覆地的变化，已经超越了CCD传感器的清晰度，发展到尽头逐渐以清晰度高，价格便宜而得到市场一致认可。 另一方面CMOS板机因外围元器件少，电路简单，稳定性也有很大优势，方便了很多工厂独立自产CMOS板机。

CMOS板机CMOS板机的发展

2008年-2010年：最早的CMOS板机诞生于2008年前后，主要以简单的1030芯片为主，效果差，价格便宜，主要是出口到贫穷国家为主。 2011年-2012年：PC1089的诞生使CMOS板机的市场格局发生改变，PC1089清晰度可以达到600线，这个清晰度能满足大多数场所使用，并且价格很便宜，推出不久就得到市场追捧。可以这样做PC1089是CMOS板机的一个转折点。 2013年：是CMOS板机爆发的一年，随着深圳真功夫安防 CMOS芯片的诞生，清晰度从600线一下提升到800线，安防市场一遍欢腾。镁光139CMOS板机因需求巨大经常断货，CCD芯片销售一落千丈，不得不说CMOS已经控制安防市场模拟监控产品。 2014年：CMOS板机出现多款新的方案如：比亚迪3005,占领模拟监控低端市场，索尼IMX138占领模拟监控高端市场，使得网络数字高清，SDI,CVI模组优势不在。最近推出的HD1080 CMOS板机，性价比将超越常规模拟CMOS板机，因为这是一款不需要安装IR-CUT的高清CMOS板机。 展望未来 全世界都已经嗅到CMOS芯片这块肥肉的香味，CMOS板机市场在未来的3-5年会越来越大，近期不断有新方案推出，比如PC3089，1099，镁光0130,8240，比亚迪3005等新方案，600线，700线，800线，900线，1000线，1200线CMOS芯片会不断出现，CMOS板机市场会越来越好。

基于CMOS工艺的复合真空传感器系统研究结题摘要

为了使微型真空传感器能够覆盖粗真空和高真空的测量，本项目提出利用标准CMOS工艺在同一个硅片上加工皮拉尼真空传感器和热电离真空传感器。在理论方面，发展了气体导热的微尺度效应，利用分子动力学方法计算了气体热导率与导热尺度的关系，气体热导率随导热尺寸减小而减小。这与其他理论和实验结果是一致的，能够应用到皮拉尼传感器的设计之中。利用COMSOL多物理场耦合软件仿真了皮拉尼传感器和热电离传感器的电热耦合过程以及电子运行轨迹，指导器件的设计。经过多次0.5微米标准CMOS工艺的流片，已成功将皮拉尼真空传感器与热电离真空传感器在同一个芯片上完成，突破了工艺上的限制。皮拉尼真空传感器采用较成熟的微热板结构，热电离真空传感器的结构从钨加热丝发展到钨的弹簧结构，逐步提高了结构的稳定性及成品率。除了以钨加热电阻作为热电离真空传感器的发射极，也探索了利用CMOS工艺加工场发射电离真空传感器的可能性。采用以运算放大器为核心的恒电流电路分别为皮拉尼真空传感器和热电离真空传感器提供电流。初步测试结果显示，皮拉尼真空传感器能够满足10E-1~10E5 Pa的测量，热电离真空传感器响应区间为0.05~0.5 Pa，进一步的测试正在进行中。 2100433B

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