中频电压增益（Avm），是指通带内最大电压增益。

通频带是电压幅度大于0.707Avm的频率范围值，中频电压增益表现为最大增益。

使用分贝来表示放大器的放大能力有以下好处：

1.采用分贝表示法，使大数字计算变为小数字计算，如某放大器的放大倍数Au=10000倍，分贝表示为Gu=80dB。

2.采用分贝表示法，可以利用对数特性将乘法变为加法，将除法变为减法，大大简化了多级放大器的计算。

3.采用分贝表示法，可以直观地表示增益的变化情况。比如，放大器的电压放大倍数=1时，其增益用分贝表示为0；当放大器的电压放大倍数>1时，其增益用分贝表示为一个正数；当放大器的电压放大倍数<1时，其增益用分贝表示为一个负数。

在不具负反馈情况下（开环路状况下），运算放大器的放大倍数称为开环增益，简称AVOL。AVOL的理想值为无限大，一般约为数千倍至数万倍之间，其表示法有使用dB及V/mV等，例如μA741C及LM318的AVOL典型值均为200V/mV或106dB。在运算放大器中为使计算简便而有虚接地(Virtual Ground) 的假设，在此假设AVOL必须越大越容易满足此需接地的条件。

理想运放的条件：

1、开环增益无穷大

2、输入阻抗无穷大，输出阻抗为0

3、通频带无穷大

闭环电压增益是指放大电路（或元件）在接入负反馈电路后，整个电路所具有的电压放大倍数，是放大电路放大能力的一种表达方式。即：电压增益=20lg（Uo / Ui）。

分贝表示法还广泛应用于电子电器的各种性能指标，如收音机、电视机、手机、无线数传系统等的灵敏度和选择性等。各种测量仪器的信噪比、环境噪声等也都用分贝表示，是一个在实际工程中被广泛应用的单位。

1、放大管电流控制法

2、放大管集电极电压控制法

3、放大管负载控制法

4、差动电路增益控制法

5、双栅场MOS效应管增益控制

跨导（英语：Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导增益则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。通常用 g_m表示。

对于直流电，跨导增益可以定义为：

对于交流电小信号模型，跨导增益的定义相对更为简单：

跨导增益真空管

对于真空管，跨导被定义为板（阳极）/阴极电流的变化除以电网/阴极电压的相应变化，恒定板（阳极）/阴极电压。g_m典型值为小信号真空管是1至10毫西门子。它是真空管的三个特征常数之一，另外两个是增益μ（mu）和平板电阻r_p或r_a。在范德Bijl公式定义它们之间的关系如下：

跨导增益场效应晶体管

类似地，在场效应晶体管和MOSFET中，跨导是漏极电流的改变除以栅极/源极电压的小改变以及恒定的漏极/源极电压。g_m的典型值为小信号场效应晶体管是1至30毫西门子。

使用Shichman-Hodges模型，MOSFET的跨导增益可以表示为：

其中I_D是在直流漏电流偏置点，和V_OV是过驱动电压，这是偏置点栅极-源极电压和之间的差的阈值电压（即，V_OV≡V_GS-V_th）。的过驱动电压（有时也被称为有效电压）在约70-200毫伏习惯上选择用于65纳米技术节点（I_D≈1.13mA/μm），用于g_m的11-32mS/μm。

另外，结FET的跨导增益由下式给出，其中V_P是夹断电压，I_DSS是最大漏极电流。

传统上，上式中给出的FET和MOSFET的跨导是使用微积分从每个器件的传输方程导出的。然而，卡特赖特已经证明，这可以在没有微积分的情况下完成。

跨导增益双极晶体管

所述g_m的双极小信号晶体管差别很大，成比例的集电极电流。典型的范围是1到400毫西门子。在基极/发射极之间施加输入电压变化，输出是在具有恒定的集电极/发射极电压的集电极/发射极之间流动的集电极电流的变化。

双极晶体管的跨导增益可以表示为

其中I_C=在Q点的DC集电极电流，V_T=热电压，在室温下通常约为26mV。10毫安，典型电流g_m≈385毫秒。

输出（集电极）电导由Early电压决定，与集电极电流成正比。对于线性操作的大多数晶体管，它远低于100μS。