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电容温度系数

电容温度系数(temperature coefficient of capacitance )是在给定的温度间隔内,温度每变化1℃时,电容的变化数值与该温度下的标称电容的比值。

电容温度系数基本信息

电容温度系数概述

电容温度系数(temperature coefficient of capacitance )是在给定的温度间隔内,温度每变化1℃时,电容的变化数值与该温度下的标称电容的比值。

电容温度系数表达式为:αc=(式中:αc为电容温度系数,C为给定温度下的标称电容,dC为当温度变化dt时电容的变化值,dt为温度的变化值)。如在某温度范围内,则电容量的平均温度系数的表达式为:(式中C为电容量;Δt为温度变化值,ΔC为温度变化Δt时电容量的变化值)。电容温度系数是电容器陶瓷、微波陶瓷等材料的重要的电性能指标之一。

电容温度系数(10 -6次方/ ℃)温度特性由颜色表示,兰色和灰色表示正温度系数;绿色、红色和褐色表示负温度系数,绿色最大,褐色最小。黑色为零温度系数。

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电容温度系数造价信息

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智能电容

  • MJDTL-30GB/14
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  • 重庆宇轩机电设备有限公司
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补偿器电容

  • YC-4,荧光灯用,配套支架及灯盘/4uf补
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  • 杭州市江干区吉易照明电器经营部
  • 2022-12-08
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补偿器电容

  • YC-12,荧光灯用,配套支架及灯盘/12uf
  • 13%
  • 杭州市江干区吉易照明电器经营部
  • 2022-12-08
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自愈式低压并联电容

  • BSMJK0.4-15-3
  • 天正
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  • 广西玉林市易建商贸有限公司(玉林市厂商期刊)
  • 2022-12-08
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4uf补偿器电容

  • YC-4,荧光灯用,配套支架及灯盘
  • 华艺
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  • 中山市华艺灯饰照明股份有限公司福建经销商
  • 2022-12-08
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荧光灯电容

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荧光灯电容

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荧光灯电容

  • 3.7mFb
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荧光灯电容

  • 4.75mFb
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  • 韶关市2009年6月信息价
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荧光灯电容

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电容

  • 电容50uF/440V/105℃
  • 1874台
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电容

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电容

  • 电容补偿柜 PO2
  • 1台
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  • 国产一线品牌
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启动电容

  • 30VF启动电容
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  • 欧司朗
  • 中高档
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  • 2015-05-13
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补偿电容

  • 飞牌补偿电容CP 12UF
  • 5625支
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  • 高档
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  • 2015-11-04
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电容温度系数特性

电容温度系数是电容器陶瓷、微波陶瓷等材料的重要的电性能指标之一。电容温度系数(10 -6次方/ ℃)温度特性由颜色表示,兰色和灰色表示正温度系数;绿色、红色和褐色表示负温度系数,绿色最大,褐色最小。黑色为零温度系数。2100433B

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电容温度系数表达式

(式中:αc为电容温度系数,C为给定温度下的标称电容,dC为当温度变化dt时电容的变化值,dt为温度的变化值)。如在某温度范围内,则电容量的平均温度系数的表达式为:(式中C为电容量;Δt为温度变化值,ΔC为温度变化Δt时电容量的变化值)。

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电容温度系数常见问题

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电容温度系数文献

PT100温度变送器的正温度系数补偿 PT100温度变送器的正温度系数补偿

PT100温度变送器的正温度系数补偿

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页数: 9页

PT100 温度变送器的正温度系数补偿 摘要:本文回顾了通用温度传感器的主要特性, 重点介绍 RTD PT100 温度变送器,并提供了一种简单的方法对 PT100 输出信号进行线性化处理和调理。 温度是非常重要的物理参数, 热电偶 和热敏电阻 (RTD) 适合大多数高温测量,但设计人员必须为特定的应用选择恰当的 传感器,表 1 提供了常用传感器的选择指南。 表 1. 传感器特性 Feature Thermocouple RTD Response time Better Maximum temperature Higher Ruggedness Better Cost efficiency Better Accuracy Better Long-term stability Better Standardization Better RTD 具有较高的精度,工作温度范围: -

电容参数 电容参数

电容参数

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一、电容的主要参数: 1、 电压 1) 额定电压:两端可以持续施加的电压,一般为直流电压,通常用 VDC。而专用于 交流电的则为交流有效值电压,通常为 VAC。 电容器的交直流额定电压换算关系 直流额定电压 VR/VDC 50 63 100 250 400 630 1000 交流额定电压 VR/VAC 30 40 63 160 200 220 250 2) 浪涌电压:电解电容特有的电压参数,是短时间可以承受的过电压,为额定电压的 1.15 倍。 3) 瞬时过电压:是铝电解电容特有电压参数,为可以瞬时承受的过电压,这个浪涌电 压约为额定电压的 1.3 倍,是铝电解电容的击穿电压。 4) 介电强度:电容额定电压低于电容中介质的击穿电压。一般为额定电压的 1.5~2.5 倍。如:铝电解电容的击穿电压约为额定电压的 1.3 倍;其它介质则通常为 1.75~2 倍以上。 5) 试验电压:薄膜电容

门二极管符号意义

CT---势垒电容Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容CJO---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容2100433B

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陶瓷电容制作原理

用高介电常数的电容器陶瓷钛酸钡一氧化钛挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合(包括高频在内)。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿 。

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陶瓷电容器分类

陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡电路中,作为回路电容器。低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的 场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用,它易被脉冲电压击穿,故不能使用在脉冲电路中。高频瓷介电容器适用于高频电路。

多层陶瓷电容器常见小缺陷的规避方法

因其小尺寸、低等效串联电阻(ESR)、低成本、高可靠性和高纹波电流能力,多层陶瓷 (MLC) 电容器在电源电子产品中变得极为普遍。一般而言,它们用在电解质电容器 leiu 中,以增强系统性能。相比使用电解电容器铝氧化绝缘材料时相对介电常数为 10 的电解质,MLC 电容器拥有高相对介电常数材料 (2000-3000) 的优势。这一差异很重要,因为电容直接与介电常数相关。在电解质的正端,设置板间隔的氧化铝厚度小于陶瓷材料,从而带来更高的电容密度。

温度和DC偏压变化时,陶瓷电容器介电常数不稳定,因此我们需要在设计过程中理解它的这种特性。高介电常数陶瓷电容器被划分为 2 类。图 1 显示了如何以 3 位数描述方法来对其分类,诸如:Z5U、X5R 和 X7R 等。例如,Z5U 电容器额定温度值范围为 +10 到 +85o C,其变化范围为 +22/–56%。再稳定的电介质也存在一定的温度电容变化范围。

图 1 :2类电介质使用 3 位数进行分类。注意观察其容差!

当我们研究偏压电容依赖度时,情况变得更加糟糕。图 2 显示了一个 22 uF、6.3伏、X5S 电容器的偏压依赖度。我们常常会把它用作一个 3.3 伏负载点 (POL) 稳压器的输出电容器。3.3 伏时电容降低 25%,导致输出纹波增加,从而对控制环路带宽产生巨大影响。如果您曾经在 5 伏输出时使用这种电容器,则在温度和偏压之间,电容降低达 60% 之多,并且由于 2:1 环路带宽增加,可能产生一个不稳定的电源。许多陶瓷电容器厂商都没有详细说明这一问题。

图 2:注意电容所施加偏压变化而降低

陶瓷电容器的第二个潜在缺陷是,它们具有相对较小的电容和低ESR。在频域和时域中,这会带来一些问题。如果它们被用作某个电源的输入滤波电容器,则它们很容易随输入互连电感谐振,形成一个振荡器。要想知道是否存在潜在问题,可将寄生互连电感估算为每英寸 15 nH,然后根据这两篇文章介绍的方法把滤波输出阻抗与电源输入电阻进行对比。第二个潜在问题存在于时域中,我们可在以太网电源 (POE) 等系统中看到它们的踪影。

在这些系统中,电源通过大互连电感连接至负载。负载通过一个开关实现开启,并可能会使用陶瓷电容器构建旁路。这种旁路电容器和互连电感可以形成一个高 Q谐振电路。由于负载电压振铃可以高达电源电压的两倍,因此在负载下关闭开关会形成一个过电压状态。这会引起意外电路故障。例如,在 POE 中,负载组件的额定电压变化可以高达电源额定电压的两倍。

第三个潜在缺陷的原因是陶瓷电容器为压电式。也就是说,当电容器电压变化时,其物理尺寸改变,从而产生可听见的噪声。例如,我们将这种电容器用作输出滤波电容器时(存在大负载瞬态电流),或者在"绿色"电源中,其在轻负载状态下进入突发模式。这种问题的变通解决方案如下:

· 转而使用更低介电常数的陶瓷材料,例如:COG 等。

· 使用不同的电介质,例如:薄膜等。

· 使用加铅和表面贴装技术 (SMT) 组件,可紧密贴合印制线路板 (PWB)。

· 使用更小体积器件,降低电路板应力。

· 使用更厚组件,降低施加电压应力和物理变形。

SMT陶瓷电容器存在的另一个问题是,在PWB弯曲时,由于电容器和 PWB 之间存在的热膨胀系数 (TCE) 错配,它们的软焊接头往往会裂开。您可以采取一些预防措施来减少这种问题的发生:

· 封装尺寸限制为 1210。

· 使电容器远离高曲率地区,例如:拐角区等。

· 使电容器朝向电路板短方向。

· 使电路板安装点远离边角。

· 在所有装配过程均注意可能出现的电路板弯曲。

总之,如果您注意其存在的一些小缺点,则相比电解电容器,多层陶瓷电容器拥有低成本、高可靠性、长寿命和小尺寸等优势。它们具有非常宽的电容容差范围,因此您需要对其温度和偏压变化范围内的性能进行评估。它们均为压电式,其意味着它们会在有脉冲电流的系统中产生可听见的噪声。最后,它们很容易出现破裂,因此我们必须采取预防措施来减少这一问题的发生。所有这些问题都有相应的解决办法。因此,MLC 电容器仍会变得越来越受欢迎。

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