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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
MOSFET-P和MOSFET-N的区别：1、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；2、为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极...
feta瑜伽垫不错哦，采用双层TPE防撕裂材料，使用寿命更长。双层使回弹效果更好。并且双层采用双色设计，极其美观。更为贴心的是正反面差异防滑，细节体现专业。
开关电源电气可靠性设计1 供电方式的选择 集中式供电系统各输出之间的偏差以及由于传输距离的不同而造成的压差降低了供电质量，而且应用单台电源供电，当电源发生故障时可能导致系统瘫痪。分布式供电系统因供电单...
Design_and_Safety_Handbook安全手册
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DESIGN + SAFETY HANDBOOK Introduction 1 ALspecialtygases.comAir Liquide America Specialty Gases 800.654.2737 Compressed Gas Safety Gas Categories .................................................................................................... 2 Physical Properties ............................................................................................... 6 Storage and Use ..............
中等电压MOSFET器件
中等电压MOSFET器件
飞兆半导体公司扩展PowerTrench MOSFET系列，这些产品属于中等电压MOSFET产品系列成员，是结合低栅极电荷、低反向恢复电荷和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品，可以实现快速开关。这些器件备有40V、60V和80V额定电压型款，
与双极型晶体管相比，FET的特点是输入阻抗高，噪声小，极限频率高，功耗小，温度性能好，抗辐照能力强，多功能，制造工艺简单等。由于电荷存储效应小、反向恢复时间短，故开关速度快，工作频率高。器件特性基本呈线性或平方律，故互调和交调乘积远比双极型晶体管为小。FET已广泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。FET是MOS大规模集成电路和MESFET超高速集成电路的基础器件。
一种单极的三层晶体管，它是一种控制极是由pn组成的场效应晶体管,工作依赖于惟一种载流子 - 电子或空穴的运动。对于一个"正常接通"器件，每当N沟道JFET的漏极电压相对于源极为正时，或是当P沟道JFET的漏极电压相对于源极为负时，都有电流在沟道中流过。在JFET沟道中的电流受栅极电压的控制，为了"夹断"电流的流动，在N沟道JFET中栅极相对源极的电压必须是负的;或者在P沟道JFET中栅极相对源极的电压必须是正的。栅极电压被加在横跨PN结的沟道上，与此相反，在MOSFET中则是加在绝缘体上。
虽然SiC MOSFET比传统的Si MOSFET有很多优点，但其昂贵的价格却限制了SiC MOSFET的广泛应用。近年来随着SiC技术的成熟，SiC MOSFET的价格已经有了显著的下降，应用范围也进一步扩展，在不久的将来必将成为新一代主流的低损耗功率器件。 在实际的工程应用及设计开发过程中，经常需要对SiC MOSFET的开关特性、静态特性及功率损耗进行分析，以便对整个系统的效率做有效的评估。因此，有必要建立一个精确的SiC MOSFET模型作为工程应用中系统分析和效率评估的基础。近年来，国内外研究人员对于SiC MOSFET的建模研究日渐深入，取得了较多的进展。其中部分文献着重于SiC MOSFET物理特性的建模，但不适用于工程应用中的分析和评估。部分文献采用了传统Si MOSFET的建模思想，一篇弗吉尼亚理工的硕士毕业论文，对1200V20A的SiC MOSFET进行建模，但该模型仅在分立的温度点下设置分立的参数组，其他温度点进行线性插值，模型随温度变化时的准确度不能保证。北卡罗来纳州立大学的王军博士提出了一种适用于10kV SiC MOSFET的变温度参数建模方法，对SiC MOSFET的建模具有普遍的指导意义，已得到业界比较广泛的认可和接受，Rohm公司也相继推出了600V及1200V的SiC MOSFET。因此，建立一个适用于目前主流中低压SiC MOSFET的模型就显得尤为重要。
由于SiC MOSFET器件特性与传统的Si MOSFET有较大差别，SiC MOSFET驱动电路也是一项研究的重点。相比于Si MOSFET，SiC MOSFET的寄生电容更小。以量产的CMF20120D 为例， 其输 入 电 容仅 有1915 pF， 但 与 其功 率 等 级 相 同 的 Si MOSFET IXFB30N120P的输入电容有22.5nF，两者相差超过十倍。因此，SiC MOSFET对驱动电路的寄生参数更敏感。另一方面，目前量产的SiC MOSFET的驱动电压范围为 -5V~ 25V ，建议驱动电压一般为-2V/ 20V；而传统的Si MOSFET的驱动电压范围为-30V~ 30V，建议驱动电压一般为0/ 15V。因此，SiC MOSFET与传统的Si MOSFET相比，安全阈值很小，驱动电路的一个电压尖峰很可能就会击穿GS之间的氧化层，这也是驱动电路需要精心设计的另一个原因。
量产的SiC MOSFET设计了专用的驱动芯片。另一家SiCMOSFET也提供了关于驱动的相关资料。CMF20120D技术手册上提供的驱动电路，采用光耦隔离，驱动芯片采用IXDI414，-VEE与地之间需接入多个电容，以抵消线路感抗对驱动波形的影响。然而datasheet中并未给出 VCC和-VEE的电源解决方案，且IXDI414可提供14A的峰值电流，而实际应用过程中，驱动电路一般 很难从驱动芯片中抽取14A的电流，故这款驱动芯片并非很合适。
综上所述，结合SiC MOSFET本身的特点及优势，其驱动电路的设计应满足以下要求：
1) 满足SiC MOSFET高速开关的要求，使用驱动能力较强的驱动芯片。
2) 尽量减小驱动电路寄生电感的影响，在PCB布局时应加入适量的吸收电容。
3) 为保证SiC MOSFET的可靠关断，避免噪声干扰可能导致的误开通，应采用负压关断。
双有源桥(DAB)作为大功率隔离双向DC-DC变换器的一种，其拓扑最早由DeDoncker于1988年提出DAB主要应用于HEV中蓄电池侧与高压直流母线之间的双向能量传输、航空电源系统及新能源系统中，与其他大功率隔离双向DC-DC变换器相比，DAB的最大优势是其功率密度大，且体积重量相对较小。DAB结构对称，两边各由全桥结构的拓扑构成，可实现能量的双向传输，且能实现两侧的电气隔离。开关管应力较低，且没有额外的滤波电感，仅通过变压器的漏感作为能量传输单元，变换器可实现很高的功率密度。电流纹波不是很大，对输入输出侧的滤波电容的要求不是很高。DAB在一定功率范围内可以实现ZVS软开关，这样DAB的工作频率就可以设置得较高，可进一步减小变压器和滤波电容的体积，提高功率密度。
传统的DAB一般采用移相控制，其中φ为移相角，变压器原副边匝比设为n。当功率从VL流向VH时，开关管Q1、Q4超前Q5、Q8；当功率从VH流向VL时，开关管Q5、Q8超前Q1、Q4。但传统控制策略下的DAB有诸多问题，比如软开关范围窄、轻载时功率回流现象严重、电压输入范围窄等。
功率回流
功率回流是指DAB在功率传输时，电感Ls上的电流和原边侧电压存在相位相反的阶段，导致功率流回电源中。
输入电压范围
结合软开关范围和功率回流的分析，不难看出传统移相控制DAB的又一个缺点：输入电压范围窄。当DAB中变压器原副边匝数比n确定后，如果输入电压V1范围变化较宽，则原副边电压d的变化范围较宽，软开关的范围将受到严重限制，直接影响到变换器的效率。同样的，当输入电压范围变宽后，意味着移相角的变化范围也必须相应变宽，较宽的电压范围必然会导致功率回流现象更严重。因此，为保证DAB能有较高的转换效率，双有源桥的输入必须控制在较小范围内。
针对传统控制策略下 DAB 的诸多不足，从 2008 年起，国内外很多研究人员相继提出了多种改进型的控制策略，对 DAB 的研究也进入了一个新的高度。改进型控制方法的主要思想是，不仅原副边的开关管移相（即传统控制方法，Q1、Q4及 Q5Q8有移相角 D2），而且同一侧桥臂也设置移相角（Q1Q2Q3Q4存在移相 D1）。这些控制方式又能细分，有一侧桥臂设置内移相角 D1，另一侧桥臂仍用传统的移相方法，不设置内移相角；或者原副边都移相，均设置D1，但两侧的内移相角 D1可能不同。又根据 D1与 D2的大小关系，另结合 V1与 nV2的关系，有很多种不同的组合方式，从而有不一样的模态。其最终的控制手段还是通过改变变压器原副边的电压波形，从而改变加在 LS两端的电压，最终改变 LS的电流，达到不同的优化目的。
通过改变内移相角 D1，可以改变变压器两端电压 V1或 V2的波形，V1与 V2 9 的不同（包括幅值大小及相位差），即可达到控制 LS电流的目的，从而对软开关范围、功率回流等问题有所改善。
有文献较系统地介绍了以上一些不同的控制方法，推导了部分控制模式下的数学模型。该文献主要针对的是 ZVS 范围及电感电流有效值来提高效率。文献中提出，对于两端口的DAB，两侧桥臂都设置移相角 D1的控制方法优势并不明显。对于这种两侧都移相的控制方法在多端口的情况下还要做进一步分析。
有文献针对功率回流的问题提出了改进的控制方法，该文献采用的是两侧桥臂都移相的控制方法，不仅原副边的 Q1Q2和 Q5Q6存在移相，同侧桥臂的 Q1Q2和 Q3Q4也存在移相。这种控制方法的复杂之处在于，输出功率是同时与 D1D2相关的，在同一个输出功率下D1D2有很多种组合方式。如何通过 PI 调节获得最优化的 D1D2组合是控制策略优化的关键。文献中论述了在某些特性条件下，这种两侧移相的控制方法可以使功率回流为零，并论证了该特殊条件下可以实现全负载范围的软开关，动态特性较传统移相控制方法更优。 解读词条背后的知识
JFETFET特点