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《硅片加工技术》是2010年化学工业出版社出版的图书,由康自卫,王丽主编。
天然硅藻土的主要成分是SiO2,优质者色白,SiO2含量常超过70%。单体硅藻无色透明,硅藻土的颜色取决于粘土矿物及有机质等,不同矿源硅藻土的成分不同。 硅藻土,是被称之为硅藻的单细胞植物死亡后经过1...
竹席一般以水竹、毛竹、油竹等竹子为原料,并将竹皮劈成篾丝,经蒸煮、浸泡等工艺后以手工经纬编织而成的。在经过严格加工处理后,竹藤变得柔软而坚韧,在相互的交叠缠绕编制中制造出各式各样的藤制家具。
因为两者会反应生成硅酸钠(俗称“泡花碱”)硅酸钠又会和水反应生成原硅酸
太阳能电池硅片线锯砂浆中硅屑的回收技术研究
多线切割是当前硅太阳能电池片生产的主要工艺。在线切割过程中约有1/2的晶体硅成为锯屑进入到切割砂浆。砂浆中的各种污染物并未进入高纯硅屑晶体内部,因此可以期望通过物理分离、清洗等技术来提取获得高纯硅粉,而不需要通过高耗能的高温化学或相变过程。综述了硅片线切割过程、硅屑形成及废砂浆特性,评述了从线切割废砂浆中回收高纯硅粉的研究现状和进展,包括本研究组近期的研究结果。
硅片背面铜污染的清洗
H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。
《半导体硅材料基础》系统地介绍了半导体硅材料的基本性质、与半导体晶体材料相关的晶体几何学、能带理论、微电子学方面的基础理论知识,系统地介绍了作为光伏技术应用的硅材料的制备基础理论知识,为系统学习多晶硅生产技术和单晶硅及硅片加工技术奠定理论基础,是硅材料技术专业的核心教材。
《半导体硅材料基础》可作为高职高专硅材料技术及光伏专业的教材,同时也可作为中专、技校和从事单晶硅生产的企业员工的培训教材,还可供相关专业工程技术人员学习参考。
硅片是半导体和光伏领域的主要生产材料。硅片多线切割技术是目前世界上比较先进的硅片加工技术,它不同于传统的刀锯片、砂轮片等切割方式,也不同于先进的激光切割和内圆切割,它的原理是通过一根高速运动的钢线带动附着在钢丝上的切割刃料对硅棒进行摩擦,从而达到切割效果。在整个过程中,钢线通过十几个导线轮的引导,在主线辊上形成一张线网,而待加工工件通过工作台的下降实现工件的进给。硅片多线切割技术与其他技术相比有:效率高,产能高,精度高等优点。是目前采用最广泛的硅片切割技术。