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光电IC

光电IC泛指运用在光电领域中的电子元器件产品。它是集成电路的一种广泛运用。

光电IC基本信息

光电IC相关应用

光电IC在近代发展的很快涉及面也逐渐扩散,在光通讯、半导体照明、激光、光电显示、光学、太阳能光伏、电子工程等领域运用的非常多。

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光电IC造价信息

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光电玻璃

  • 最大尺寸1600mm x 3810mm 厚度8mm-40mm 玻璃
  • 13%
  • 保创光电科技(厦门)有限公司
  • 2022-12-06
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LED光电玻璃

  • 品种:LED光电玻璃
  • 13%
  • 浙江西溪玻璃有限公司
  • 2022-12-06
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LED光电玻璃

  • 品种:LED光电玻璃
  • 13%
  • 浙江西溪玻璃有限公司
  • 2022-12-06
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光电灯箱

  • ELS-100W12V1B
  • 米博
  • 13%
  • 宁波市江东倚天节能科技有限公司
  • 2022-12-06
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光电灯箱

  • ELS-060W24V1B
  • 米博
  • 13%
  • 宁波市江东倚天节能科技有限公司
  • 2022-12-06
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  • 机械用
  • kW·h
  • 阳江市2022年10月信息价
  • 建筑工程
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  • 机械用
  • kW·h
  • 阳江市2022年9月信息价
  • 建筑工程
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  • 机械用
  • kW.h
  • 阳江市阳西县2022年9月信息价
  • 建筑工程
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  • 机械用
  • kW.h
  • 阳江市海陵岛区2022年9月信息价
  • 建筑工程
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  • 机械用
  • kW·h
  • 潮州市饶平县2022年8月信息价
  • 建筑工程
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光电

  • 光电
  • 2个
  • 1
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  • 中高档
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  • 2019-06-21
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光电

  • 光电
  • 2个
  • 1
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  • 中高档
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  • 2019-06-20
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IC

  • IC
  • 500.0张
  • 1
  • 车安
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2015-03-19
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光电

  • 防水光电
  • 5269个
  • 1
  • 中档
  • 含税费 | 不含运费
  • 2015-10-22
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IC

  • IC
  • 1张
  • 3
  • 霍尼韦尔、爱克信、DDS、HID、博世
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-11-08
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光电IC发展趋势

下一代光传送网的基本特征是超大容量,从目前各种复用技术的发展状况看,密集波分复用(DWDM)被认为是扩大网络容量和提高其灵活性的最有效途径。采用DWDM可以使容量迅速地扩大数十倍至数百倍。由于近年来市场驱动和技术突破的影响,波分复用系统发展极为迅速。因此各种新研制的光器件也都或多或少与波分复用有关。DWDM的发展思路一直是追求更高的频谱效率,一方面提高每个通道的速率,另一方面增加通道密度。在速率上,目前商用系统大多为2.5Gbit/s或10Gbit/s,更高速率的40Gbit/s系统正在实用化,预计到2004年开始商业应用,一些电信公司如阿尔卡特的实验室已进行了160Gbit/s的传输实验。在通道密度方面,通道间的波长间隙已小到25GHz,还在向12.5GHz努力,使得商用系统的总通道数现为160~240个,实验室中最高达到1022个。为得到更大容量,有时不得不在上述两者之间折衷考虑,同时还要采取抑制光纤中色散、非线性效应的措施。所有这些要求都涉及到器件的高速、灵活和可靠的问题,而且最终还必须考虑低成本的问题,这使得目前新原理、新结构和新功能的器件不断涌现。

近年来随着"网络经济"泡沫的破灭,光通信产业的资本支出大为减少,作为光通信产业链最底端的光电子器件产业面临非常大的挑战。据估计,2002年美国通信用光电子器件的资本支出将在2001年锐减29%的基础上继续降低24%。另一方面,前期对市场盲目乐观的估计造成了大量光电子器件积压,据估计此状况将持续到2003年。在这种市场环境下,光电子器件的研究与发展的趋势主要表现在以下几方面:

(1) 从光电子器件实现的功能来看,使光网络容量更大、更智能仍是光电子器件发展方向,但研究的侧重点有所改变。在系统传输容量方面,光电子器件的研究方向将注重降低传输系统的每公里每比特的成本,而不再一味追求单纤传输速率的突破。光纤传输容量的提高有三种方案:扩展光波段、增加光通道密度和提高通道速率。在器件级的研究上,拉曼光放大器与EDFA结合的宽带放大器被认为是系统扩展至L波段时最具应用潜力的光电子器件;波长锁定激光器、大功率包层泵浦EDFA和高密度的群组滤波器将是光通道间隔降低到50GHz、25GHz甚至12.5GHz的高光通道密度传输系统中的关键器件。40Gbit/s高速光调制器和接收器、动态色散补偿器和偏振模色散补偿器等光电子器件将是信道速率为40Gbit/s的系统中的关键器件。这些关键光电子器件的性能与价格将直接影响未来光传输系统的设计方案选取,但近期重点产品仍在10Gbit/s系列上,而2.5Gbit/s产品将呈逐步下降的走向。

(2) 小型化和集成化正成为光电子器件保持竞争力的一个新的趋势。随着光电子器件在光传输设备中的比例越来越大,对光电子器件的小型化要求日益显现。使设备能少占机房的面积和少消耗能源,能有效地降低网络的运行成本。光电子器件的小型化要求还促进了集成技术的发展。光电集成技术可以将光子元件与它的驱动电子芯片集成在一起。平面波导集成技术则可以将光开关、可调衰减器和波分复用/解复用器等无源器件集成在一起,在一块芯片实现子系统功能的系统与分立器件组成的系统相比,既大大减小了体积,还降低封装的成本。在小型化光器件的开发中,将激光器/探测器等光器件与微电子芯片组装成一体,形成具有多种功能模块的发展趋势正在明显加快。模块化能消除寄生参量的影响从而提高性能,并能节省后道组装的工序和成本。它还促进了相关产业界的合作和标准化,如一年前由多家企业就10Gbit/s 转发器的光、电和机械性能标准达成的协议,大大推动了这类器件性能价格比的提高。在功能上,前向纠错(FEC)、热插拔已普遍为高端产品所采纳。在尺寸上,与传统的插盘相比,用集成的转发器模块能使体积缩小到原来的1/10,功耗下降2/3而价格却只有原来的1/3。主要在城域网和接入网中使用的光收发一体模块也在由DUPLEX SC型向更小封装的SFF 模块发展。与DUPLEX SC封装相比,它在插盘上占的体积缩小了1/2。在光放大器方面,新的EDFA模块尺寸只有7cm′9cm′1.2cm (长′宽′高),却能提供24dB的增益和15dBm的功率输出。模块化还进一步促进了微型封装激光器和无致冷激光器的进步。现在不仅是光信号源用激光器,功率型的泵浦激光器也取得了无致冷技术的突破。120mW以下980nm无致冷激光器已有商品提供,由于省掉致冷器,EDFA模块的功耗从4.5W减少到不足1W,体积也大大缩小。值得注意的是,近来掺铒波导光放大器(EDWA)也被集成于平面波导中,以克服平面波导器件插损大的缺点,从而使制造功能更新、更复杂的平面波导器件成为可能。

(3) 光电子器件组装的自动化技术将是降低光电子器件成本的关键。手工组装是限制光电子器件的成本进一步下降的主要因素。自动化组装可以降低人力成本、提高产量和节约生产场地,因此光电子器件组装的自动化技术的研究将是降低光电子器件成本的关键。由于光电子器件自动化组装的精度在亚微米量级,自动化组装生产一直被认为是很困难的事,但近来有很大突破。国外的学术期刊已多次报道在VCSEL、新型光学准直器件和自对准等技术进步基础上,光器件自动化组装实现的突破,同时专门针对自动化组装的光电子器件设计也正在兴起。2002年OFC展览会上有十多家自动封装、自动熔接设备厂商参展,熔接、对准、压焊等许多过去认为只能由人工操作的工艺现在都能由机械手进行。据ElectroniCast预测,到2005年自动化组装与测试设备的销量将达17.1亿美元,光电子器件产值中的70%~80%将由全自动或半自动化组装生产, 可以说自动化生产线的出现是光电子行业开始走向成熟的标志和发展的必然。

光电IC的型号

TM1801 CY7C68300B-56PVXC ZXLD1350 TSL230

TSL235 TSL2562 TSL3301 OPIC969B

PIC-2503 PIC-1503 PIC0103 TPS805

TPS807 OPIC969B GA250T6C1SY IS486E

PD567PS3 IS489E PIC-0103 PIC-0903

PAN3511 A2610 A2051 SFH5711

SFH5130 TSL201R TLP521-1 S4282-51

QSE158 QSE159 C1165 A2633

A2636 IL4208 IL4218 SFH5441

SFH5400 OPL585 OPL583 OPB10224

TPS831 TFDU5307-TR3 TP850 TLP3520

MC34072 TLP721-1 MC1330AP TLP557

SJ1117-50F S5228M SJ1117-AF S78DL05

S5225M SJ1117-50Q S78DL33F SJ1117-18D

S78DL33 SJ1117-15F SJ1117-APIC SJ1117-25Q

IS485 TSL2550T IS485 TPS805

CS54123 TPS805 TLP350 MC33152

MC34152 TL320 LX1563IM UC3845

UC3845 LX1562IM IR2104 IR2103

IR2153 A3144EU A3144LU A3144EUA

A2584 TLP521 TLP521-1 EL817

IR2117 ADM708AN HT9200A CS54123

BH3023 3201V6K EL817C SG-2BC

ER12065-05269

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光电IC基本释义

IC,即集成电路是采用半导体制作工艺,在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件,并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。它在电路中用字母“IC”(也有用文字符号“N”等)表示。

由光的作用产生的电叫光电。

以光电子学为基础,综合利用光学、精密机械、电子学和计算机技术解决各种工程应用课题的技术学科。信息载体正在由电磁波段扩展到光波段,从而使光电科学与光机电一体化技术集中在光信息获取、传输、处理、记录、存储、显示和传感等的光电信息产业上。

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光电IC常见问题

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光电IC文献

家用智能水表分析IC卡表脉冲光电直读表供参考 家用智能水表分析IC卡表脉冲光电直读表供参考

家用智能水表分析IC卡表脉冲光电直读表供参考

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家用智能水表分析IC卡表脉冲光电直读表供参考

光电子集成OEIC与IC的区别

OEIC与IC的重要区别在于,,OEIC除控制不同元件之间电子流动的功能外,还必须控制光子的流动。通常把使用半导体材料来控制光子流动的OEIC归入光子集成,把使用介质材料来控制光子流动的OEIC归入光学集成。OEIC的成功在很大程度上取决于所用材料和工艺,目前研究最多的材料是GaAs和InP。这些材料不仅具有良好的电光特性,既可用于制作光电器件,又可用于制作高速电子电路。此外,Si材料也是想望的材料,这种材料唯一的缺点是它不是理想的光电材料,很难用它制作光有源器件。目前,使用先进的工艺手段,如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相淀积(MOCVD)和聚焦离子束微加工已能满足制作OEIC的要求。本文讨论涉及有关OEIC材料及工艺的若干问题,并讨论OEIC的潜在应用前景。

6.1GaAsOEIC

最有代表性的GaAs OEIC是光纤(FO)光发射机OEIC,这类光发射机是在GaAs衬底上集成光有源器件(如激光二极管或发光二极管)和用做激光二极管的驱动电路。在GaAs衬底上集成一只ALGaAs隐埋异质结激光二极管(BHLD)和两只金属-半导体场效应晶体管(MESFET)。两只MESFET的作用是控制通过激光器的电流,其中一只提供维持激光器在阀值以上工作的偏流,另一只提供激光器直接调制输出的调制电流。两个电流独立受控于MESFET的栅压。这种OEIC设计是非平面的,这种结构的OEIC限制通过光刻可得到的最小特征尺寸,使电子线路的速度首先。因此这种OEIC光发射机的频响限制在几个GHz以下。想要获得高速工作的OEIC光发射,应采用平面型结构,这时应该将生长激光器位置的沟道通过刻蚀工艺将其降至到衬底里面,使最终生长的激光器层的最上层高度大体与MESFET顶层高度一致。迄今为止,实现高速工作的GaAs OEIC的工艺已成熟,并能满足CD-ROM和第一代FO发射机的要求。

6.2InPOEIC

具有1.3μm和1.55μm波长范围输出和接收的激光二极管和光电二极管通常是由在InP衬底上生长的窄带隙思远化合物In-GaAsP和三元化合物InGaAs所构成。遗憾的是,由这些材料构成的MESFET因较低的肖特基势垒,造成高的栅泄漏电流。因此In-GaAs/InP的OEIC不宜使用MESFET。异质结双极晶体管(HBT)是InP OEIC最理想的电子元件。HBT与MESFET不同,它具有由一个叠层排列的发射极、基极和集成电极组成的垂直几何形状结构。鉴于InP OEIC光发射极构形和HBT结构的各层连接方式,由于跨接基极/发射极异质结产生一正向偏压,而集电极/发射极异质结经受一反向偏压。因此,当一小电流流经发射极/基极电路时,便在经基极的发射极/集电极电路中产生一相当大的电流。由于激光器与OEIC中的HBT的集电极相连接,因此通过调节HBT的发射极/基极电路的电流便可调节通过激光器的电流。

HBT不仅消除在InGaAsP/InP系统中因高栅泄漏电流的问题,而且它的垂直几何形状和高速性能很适合宽带FO通信器件的高密度集成。除HBT之外,其他类型的FET,如金属-绝缘体-半导体FET(MIS-FET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)和调制掺杂FET(MODFET)对InP OEIC也是有价值的。

尽管隐埋异质结构和法布里一拍罗(F-P)腔条形激光器具有很好的性能特性,但是解理的或腐蚀的反射镜面不仅使制造工艺复杂化,而且高的阐值电流还可能引起热相关的问题。一种较好的解决办法是使用分布反馈(DFB)和分布Bragg反射器(DBR)激光二极管,这类LD具有低的闭值电流和量子阱增益结构。此外,对高密度OEIC来说,低电流的垂直腔表面发射LD(VCSEL)是最理想的选择,在光计机互连网络中有巨大的应用市场。nIpOEIC另一个领域是光接收机。这类接收机组合光电探测器和用做放大及信号处理的电子线路。适合OECI的光电探测器有

两种,一种是p一i一n光电二极管,另一种是金属一半导体一金属(MSM)光电二极管,都具有高速工作的能力。在nIP衬底上集成的p一i一n光电二极管(PD)和异质结双极晶体管(HBT)是一种垂直集成的OEIC光接收机。它的制作程序很明确,首先在nIP衬底上生长PD的半导体层,然后再生长HBT的半导体层。生长结束后,选择刻蚀出PD和HBT。最后,淀积接触金属层和用做隔离的聚酞亚胺膜。PD和HBT之间的电连接是通过分离的金属淀积实现的。OECI光接收机也可采用水平集成构形,为解决各集成元件厚度的差异可采用预先腐蚀出沟或阱,而后在沟或阱上生长PD的半导体层,或者使用离子注入或扩散技术,使较厚的器件层沉没到预先的生长层中。然而,最直接的解决办法是使用平面光电二极管。遗憾的是MSMPD不能工作于窄带隙的nIGaAs/nIP系统。

6.3SIOEIC

Si OECI一直是人们想望的OEIC,它的内容包括在Si衬底上制作出诸如Si的光波导、调制器、光开关、光发射器和光探测器,并构成具有功能作用的OEIC。1.3、1.6拜m波段的SIOEIC最引人注目。一旦这个设想获得成功,不仅可以解决大规模IC和OEIC之间存在的工艺兼容性问题,而且还解决它们之间的互连性,这对未来的高速信息处理、光计算和FO通信无疑有着极大的吸引力。但是要实现全Si的OECI,并非是件容易的事,问题的关键在于Si不是理想的光电材料,它不能呈现出线性的电光效应,很难用它制作出光的有源器件。

众所周知,Si是一种间接带隙材料,它阻止导带的电子与价带的空穴有效辐射复合,室温下电学注入1醉、105个载流子只能产生一个光子,即使在77K下也只能提高4倍的效率。已进行的研究表明,要克服低效率的限制,可以通过K守恒选择法则,强制性地给出带一带间的转换,这就是首先必须确定出Si中引入的杂质中心,以产生有效的亚带隙光发射。较有成效的研究是在Si中引入激活的光学转换杂质,且这种光学转换杂质的浓度必须相当的高。其中一种方法是使用等价的m族杂质来形成辐射的络合物,这种方法为红外波长Si发射器件开辟了一条道路。今后的工作是要提高其发光效率和辐射工作的温度。

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IC卡缺点

IC卡的缺点是制造成本高。

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IC卡时序要求

IC卡接口电路对IC卡插入与退出的识别,即卡的激活和释放,有很严格的时序要求。如果不能满足相应的要求,IC卡就不能正常进行操作;严重时将损坏IC卡或IC卡读写器。

(1)激活过程

为启动对卡的操作,接口电路应按图1所示顺序激活电路:

◇RST处于L状态;

◇根据所选择卡的类型,对VCC加电A类或B类,

◇VPP上升为空闲状态;

◇接口电路的I/O应置于接收状态;

◇向IC卡的CLK提供时钟信号(A类卡1~5MHz,B类卡1~4MHz)。

在t'a时间对IC卡的CLK加时钟信号。I/O线路应在时钟信号加于CLK的200个时钟周期(ta)内被置于高阻状态Z(ta 时间在t'a之后)。时钟加于CLK后,保持RST为状态L至少400周期(tb)使卡复位(tb在t'a之后)。在时间t'b,RST被置于状态H。I/O上的应答应在RST上信号上升沿之后的400~40 000个时钟周期(tc)内开始(tc在t'b之后)。

在RST处于状态H的情况下,如果应答信号在40 000个时钟周期内仍未开始,RST上的信号将返回到状态L,且IC卡接口电路按照图2所示对IC卡产生释放。

(2)释放过程

当信息交换结束或失败时(例如,无卡响应或卡被移出),接口电路应按图2所示时序释

IC卡

放电路:

◇RST应置为状态L;

◇CLK应置为状态L(除非时钟已在状态L上停止);

◇VPP应释放(如果它已被激活);

◇I/O应置为状态A(在td时间内没有具体定义);

◇VCC应释放。

电源电压

IC卡接口电路应能在表1规定的电压范围内,向IC卡提供相应稳定的电流。

时钟信号

IC卡接口电路向卡提供时钟信号。时钟信号的实际频率范围在复位应答期间,应在以下范围内:A类卡,时钟应在1~5MHz;B类卡,时钟应在1~4MHz。

复位后,由收到的ATR(复位应答)信号中的F(时钟频率变换因子)和D(比特率调整因子)来确定。

时钟信号的工作周期应为稳定操作期间周期的40%~60%。当频率从一个值转换到另一个值时,应注意保证没有比短周期的40%更短的脉冲。

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