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随着半导体技术的发展,对高压半导体器件的性能要求也越来越高,在器件结构方面的设计需求也相应的越来越大。另一方面,对于器件的应用方面,高压器件的模型构建还不够充分和完善,基于器件物理基础的电路模型还未建立起来。本项目拟将以高压LDMOS作为研究对象。(1)针对漂移区以及SOI-LDMOS 中的埋氧层进行设计。1)提出了提出了一种基于部分绝缘衬底硅兼具阶梯掺杂漂移区和N 型硅岛的高压LDMOS,此种结构能打破传统硅埋层在长度和厚度上的限制,获得更高的硅埋层设计自由度,从而更好的改善器件的击穿电压和导通电阻;2)提出了一种具有对称氧化沟槽的高压LDMOS,能明显提升器件击穿电压,尽管导通电阻变大了,但是器件的品质因素还是有了明显改善。两种新结构为器件选取提供了更多的选择。(2)主要针对高压PSOI-LDMOS 的尺寸效应进行研究探索,着重考虑尺寸参数间的匹配器件性能的影响。研究表明器件在长厚比例值(L/t)为6时可以获得最大击穿电压。此结论为器件设计人员提供参数选择的理想参考值。(3)混合型硅埋层结构对器件性能改善的方法:利用P埋层和N埋层相结合,可以极大的提高器件性能,而且和其他方法有较好的兼容性。它为器件设计提供了一种新方法。综合来说,此项目研究为器件和集成电路设计者提供了更多的器件结构选择和参数选取参考。 2100433B
随着半导体工艺技术的不断完善与创新以及大规模集成电路开发设计水平的逐步提高,一方面由于器件工艺尺寸在不断缩小,短沟道、量子效应等小尺寸效应越来越明显,而LDMOS器件由于具有漂移区,在这方面有比较好的适应能力。另一方面,LDMOS应用广泛,但是其SPICE模型的研究还不充分,基于器件物理基础的电路模型还未建立起来。因此,我们提出“高压LDMOS的新结构和解析集约-等效电路模型研究”项目,拟将以高压LDMOS作为研究对象,探索高压LDMOS的新工艺、新材料和新结构,以获得性能更好的高压LDMOS,为集成电路设计提供更多选择,进而从其器件物理出发,结合各次级效应的研究分析,构建解析集约模型和等效电路模型,以发展并完备高压LDMOS的SPICE模型,从而为大规模集成电路设计提供帮助。此项目具有重要的理论意义和实际应用价值。
遇到电压表当断开处理,遇到电流表当导线处理,有三种方法可以识别电路,第一种方法叫首尾相接法,如果是全都是首尾相连就一定是串联,如果是首首相连,尾尾相接,就一定是并联。如果是既有首尾相连,又有首首相连,...
你好, 这个题目摆放了好几个小时 还无人回答. 我回答一下,希望对你有所启发. 这似乎是个初中题目. 我不知道你们初中阶段是否完全理解和掌握了 "电势"这个概念. 注意, 我说的是...
基于零序接地阻抗的三相等效电路模型及短路开断过程计算
对称分量法是分析与计算三相不对称电路最为有效的经典方法之一.以对称分量法分解得到的正序、负序、零序分量为基础,提出了合并正序、负序分量为相序分量.应用相序分量、零序分量的方法推导出基于零序接地阻抗的三相等效电路模型,应用该等效电路计算了中性点有效接地系统、中性点不接地系统的三相短路电流开断过程.最后,根据系统中不同的正序阻抗与零序阻抗的比值,在等效电路的基础上,对首开极系数与电流过零点时刻、燃弧窗口分别进行了计算与讨论.
适用于光发射机设计的实用VCSEL小信号等效电路模型
提出了一个适用于发射机中驱动电路设计的具有较高计算效率、能准确反映不同频率时与驱动电路互作用的VCSEL等效电路模型,用曲线拟合的方法结合惠普网络分析仪测得的VCSEL反射参数S_(11),准确地得到了等效电路模型的各个参数值,并将此等效电路模型应用到设计驱动电路的模拟中,在标准EDA环境SPICE中对驱动电路和模型进行了协同模拟,与过于简化的VCSEL模型进行了对比,通过设计驱动电路芯片证明了此模型的有效性。
LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)
结构见图。
在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求,常用于射频功率电路。
与晶体管相比,在关键的器件特性方面,如增益、线性度、开关性能、散热性能以及减少级数等方面优势很明显。
LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。
LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比,能在较高的反射功率下运行而没有破坏LDMOS设备;它较能承受输入信号的过激励和适合发射射频信号,因为它有高级的瞬时峰值功率。LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波射频信号放大且失真较小。LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区,不像双极型晶体管那样互调电平高且随着功率电平的增加而变化。这种主要特性允许LDMOS晶体管执行高于双极型晶体管二倍的功率,且线性较好。LDMOS晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数,因此可以防止热耗散的影响。这种温度稳定性允许幅值变化只有0.1dB,而在有相同的输入电平的情况下,双极型晶体管幅值变化从0.5~0.6dB,且通常需要温度补偿电路。
由于结构构成机理的特殊性,结构刚度是索网、索穹顶等柔性预张力结构在役期性能评价的核心内容。本项目提出了一种以需求刚度为监测重点的在役期柔性预张力结构刚度性能评价新思路并开展相关的理论研究。以刚度解析理论研究为出发点,目的是能够在结构层面区分线弹性刚度和几何刚度的贡献大小,且能定量描述构件自身弹性刚度和预张力对结构整体刚度的贡献。研究数值方法用于从结构整体刚度中分离出抵抗结构主控荷载变形的需求刚度分量,并以此作为评价在役期结构刚度性能的重点。为配合动力方法对结构刚度的直接检测,研究最能体现需求刚度的结构特征模态的解析方法,并发展相应的传感器优化布置理论。研究基于实测结构模态参数识别结构需求刚度损伤的方法,进而利用刚度解析理论提出能指导结构刚度缺陷修复和补偿的理论方法。
1.热稳定性;2.频率稳定性;3.更高的增益;4.提高的耐久性;5.更低的噪音;6.更低的反馈电容;7.更简单的偏流电路;8.恒定的输入阻抗;9.更好的IMD性能;10.更低的热阻;11.更佳的AGC能力。LDMOS器件特别适用于CDMA、W-CDMA、TETRA、数字地面电视等需要宽频率范围、高线性度和使用寿命要求高的应用。2100433B