晶格失配是指由于衬底和外延层的晶格常数不同而产生的失配现象

当在某种单晶衬底上生长另一种物质的单晶层时,由于这两种物质的晶格常数不同,会在生长界面附近产生应力,进而产生晶体缺陷——失配位错.通常把这种由于衬底和外延层的晶格常数不同而产生的失配现象叫晶格失配

晶格失配度 (以下简称失配度 ), 即晶格错配度 ,是描述衬底和外延膜晶格匹配的参量 。晶格失配和热膨胀系数失配不同程度地影响晶体的外延生长 ,在外延层中产生大量缺陷, 甚至无法生长单晶 ,影响器件的性能和寿命。 2100433B

热膨胀失配，组成陶瓷材料的不同物相之间热膨胀系数的差异。在高温制备工艺结束冷却后往往在材料中形成残余应力。

组成晶体的正、负离子在空间呈有规则的排列，而且每隔一段距离重复出现，有明显的周期性。

玻恩(Born)和哈伯(Haber)设计了一个热力学循环过程，从已知的热力学数据出发，计算晶格能。

把晶体中的离子变成气态离子的过程分解为若干过程之和，如：

ΔHf(NaCl）

Na(s) 1/2Cl2(g)——————————————>NaCl(s)

| ↑

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Na(g) Cl (g)---------->Na (g) Cl-(g)------>NaCl(g)

↑ |

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| NaCl离子键的键能E1 |

|------------------------------------------|

ΔHf(NaCl) = ΔH1 ΔH2 ΔH3 ΔH4

从玻恩 - 哈伯循环中不难分析出，对离子化合物稳定性的贡献最主要来自△H 和△H2 ，这两项合称晶格能。对离子化合物来说，晶格能对化合物的稳定性不言而喻，故常温下，离子化合物一般不可能是气体和液体，只能是固体。

气态离子从无限远处接近最后形成固体离子化合物的过程中释放的能量。是离子化合物稳定性的量度。

晶格能无法直接测得，只有通过热力学循环求得。

对纯离子化合物来说，离子电荷越高，晶格能越大；离子半径越小，晶格能越高。有： U ∝ Z Z - /(r r - )

电荷高的晶格能大，电荷一样时看离子半径和，离子半径之和小的晶格能大。

两种解释

①泛指晶体的空间格子这一几何图形。

②即“晶体结构”。因为组成晶体的原子、离子或分子在晶体内部的分布都是符合于空间格子的规律而表现为格子状的。

辅助理解：为了清楚的表明原子在空间的排列规律，人为地将原子看作一个点，再用一些假想线条，将晶体中各原子的中心连接起来，便形成了一个空间格子，这种抽象的、用于描述原子在晶体中规则排列方式的空间几何图形称为结晶格子，简称晶格。晶格中的每个点称为结点。晶格中各种不同方位的原子面，称为晶面。