机械抛光是利用抛光轮与抛光膏等精细磨料，对管件外表面进行轻微切削和研磨，除去管件表面的细微不平，以达到整平表面、提高光洁度的目的。抛光并不切削金属，只是抛去表面氧化膜。

表面整平抛光操作

(1)把抛光轮的圆周速度调节到20m/s～30m/s(形状简单，表面较硬的转速可大些)。

(2)根据被抛管件的材质，选用合适的抛光膏。抛光膏由粘合剂与磨料组成，抛光时与管件磨擦所产生的热量，使抛光膏的粘合剂熔化，起到抛光作用。

(3)把管件压向抛光轮适当部位，其用力大小、抛光时间长短、手的动作，全凭抛光人员的实践经验。

表面整平适用范围

抛光用于镀前表面预处理，也用于镀后精加工，后者抛光耗损占镀层质量的5%～20%。

表面整平抛光轮和抛光膏

(1)抛光轮的种类见图5。

(2)抛光膏的组成及应用范围见图6。

这两个概念主要出半导体加工过程中，最初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。