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晶体管继电保护装置

晶体管继电保护装置简介

中文名称 晶体管继电保护装置 英文名称 transistor protection device 定　　义 以晶体三极管及其电路为基础构成的一种继电保护装置。 应用学科 电力（一级学科），继电保护与自动化（二级学科）

晶体管继电保护装置造价信息

市场价
信息价
询价

综合继电保护装置

规格型号：
SPAJ141C(ABB品牌)
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
华力特
材料税率：
13%
供应商：
深圳市华力特电气股份有限公司
报价时间：
2022-12-06

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单相继电保护试验装置

规格型号：
综合型号:单相;规格:精度:0.2%;
价格行情：
材料单位：
台班
材料品牌：
五羊
材料税率：
13%
供应商：
广州五羊建设机械有限公司
报价时间：
2022-12-06

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接地电阻表

规格型号：
精度:0.05规格:精度:0.05;型号:无;
价格行情：
材料单位：
台班
材料品牌：
阿特拉斯
材料税率：
13%
供应商：
深圳能科达机械工程有限公司
报价时间：
2022-12-06

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接地电阻表

规格型号：
品种:接地电阻表;型号:ZC8/100;规格:200V-10000V;
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
北京远东
材料税率：
13%
供应商：
长春市森朗经贸有限公司
报价时间：
2022-12-06

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数字接地电阻计

规格型号：
TES-1605 测量范围 0 - 1999 Ω(MΩ)
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
泰仕
材料税率：
13%
供应商：
武汉新奥德斯科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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晶体管测试仪

规格型号：
QT-2A
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年7月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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单相继电保护试验装置

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年7月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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晶体管直流稳压电源

规格型号：
WYS-5040
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年7月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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线路故障测距装置

规格型号：
线路故障测距装置
价格行情：
材料单位：
套
材料税率：
地区时间：
广东2022年3季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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线路故障测距装置

规格型号：
线路故障测距装置
价格行情：
材料单位：
套
材料税率：
地区时间：
广东2021年2季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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继电保护装置

规格型号：
Sepam20
需求量：
1台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2012-03-30

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继电保护装置

规格型号：
Speam 60
需求量：
1台
报价数：
2
材料品牌：
施耐德系列
材料档次：
高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2019-12-26

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继电保护装置

规格型号：
10KV变压器
需求量：
2套
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2018-09-06

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继电保护装置

规格型号：
Vamp57
需求量：
1台
报价数：
2
材料品牌：
施耐德系列
材料档次：
高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2019-12-26

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继电保护装置

规格型号：
V57
需求量：
1台
报价数：
1
材料品牌：
施耐德
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2019-05-22

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晶体管继电保护装置常见问题

继电保护装置有哪些组成?

继电保护装置的简介 [编辑本段] 当电力系统中的电力元件（如发电机、线路等）或电力系统本身发生了故障危及电力系统安全运行时，能够向运行值班人员及时发出警告信号，或者直接向所控制的断路器发出跳闸命令以终...
继电保护装置调试

继电保护装置调试只包含保护装置本体及二次回路的调试，没有包括：继电器过流、过热、速断、馈线回路等一个单元中所有设备的调试，这是系统调试。
继电保护装置的任务是什么？

电力系统继电保护的基本任务是：(1) 自动、迅速、有选择性地将故障元件从电力系统中切除，使故障元件免于继续遭到破坏，保证其他无故障部分迅速恢复正常运行。(2) 反应电气元件的不正常运行状态，并根据运行...

晶体管继电保护装置文献

继电保护装置规程

继电保护装置规程

继电保护装置规程

格式：pdf

大小：1.0MB

页数： 77页

继电保护装置检修规程乐山金石黄丹水电有限公司二 00八年六月批准：桂利审核：许军校对：李红霞编写：王红君二 00八年六月 1 目录一、总则 ......................................................................................................................1 1、主题内容与适用范围 .......................................................................................................................................1 2、引用标准 ..........................................

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继电保护装置动作记录文档

继电保护装置动作记录文档

继电保护装置动作记录文档

格式：pdf

大小：1.0MB

页数： 2页

继电保护装置动作记录日期动作设备动作原因动作时间恢复时间记录人备注镇艺煤矿地面变电所继电保护试验记录镇艺煤矿编制二零一四年

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双极型功率晶体管晶体管

通常简称功率晶体管。其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件，内含数十至数百个晶体管单元。图1是功率晶体管的符号，其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型，器件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者。

P沟MOS晶体管P沟MOS晶体管

改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。 P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。 PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图1所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。 MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。

什么是晶体管？晶体管的内部结构与符号

晶体管，（transistor），是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。 晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor，BJT)又称晶体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。晶体管作为一种可变开关．基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可用作电流的开关。和一般机械开关(如Relay、switch)不同的是：晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度非常快，在实验室中的切换速度可达100吉赫兹以上。 晶体管按其结构分为NPN型和PNP型两类。晶体管结构与符号如图所示。它们都有三个区：集电区、基区、发射区；从这三个区引出的电极分别称为集电极c(Collector)、基极b(Base)和发射极e(Emitter)。两个PN结：发射区与基区之间的PN结称为发射结J，基区与集电区之间的PN结称为集电结J。 两种管子的电路符号的发射极箭头方向不同，箭头方向表示发射结正偏时发射极电流的实际方向。 应当指出，晶体管绝不是两个PN结的简单连接。它采用了以下制造工艺：基区很薄且掺杂浓度低，发射区掺杂浓度高，集电结面积比发射结的面积大等。这些都是为了保证晶体管具有较好的电流放大作用。 由于晶体管在结构上有这些特点，所以不能用两个二极管背向连接来说明晶体管的作用，在使用时发射极和集电极一般不能互换。 晶体管种类很多。除上述的按结构分为NPN型和PNP型外，按工作频率可分为低频管和高频管；按功率大小可分为小功率管、中功率管和大功率管；按所用 半导体材料 分为硅管和锗管；按用途分为放大管和开关管等。晶体管命名方法参阅附录B表B一-1。例如3AX31B为锗材料PNP型低频小功率晶体管，序号为31，规格号为B。3DG6C为硅材料NPN型高频小功率管，序号为6，规格号为C。3DA2A为硅材料高频大功率晶体管，序号为2，规格号为A。 关注电工学习网(http://www.diangon.com/)官方微信公众号，第一时间获取最新的经验及基础知识干货。

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