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晶体管最大耗散功率

晶体管最大耗散功率是晶体管的一个性能参数。

晶体管最大耗散功率基本信息

晶体管最大耗散功率简介

最大耗散功率(Maximum dissipation power):

(1)对于双极型晶体管:

BJT的总耗散功率为Pc=Ie Vbe Ic Vcb Ic rcs ≈ Ic Vcb),并且Pc关系到输出的最大交流功率Po:Po = (供给晶体管的直流功率Pd) – (晶体管耗散的功率Pc) = [η/(1–η)]Pc ∝ Pc,即输出交流功率与晶体管的耗散功率成正比(η= Po / Pd是转换效率)。晶体管功率的耗散(消耗)即发热,如果此热量不能及时散发掉, 则将使集电结的结温Tj升高, 这就限制了输出功率的提高;最高结温Tjm(一般定为175 oC)时所对应的耗散功率即为最大耗散功率Pcm 。为了提高Po,就要求提高Pc, 但Pc的提高又受到结温的限制,为使结温不超过Tjm,就需要减小晶体管的热阻Rt;最大耗散功率Pcm ∝1/ Rt 。最高结温Tjm时所对应的最大耗散功率为(Pcms≥Pcm ):稳态时, Pcm = (Tjm–Ta) / Rt ;瞬态时,Pcms = (Tjm–Ta) / Rts 。

提高PCM的措施,主要是降低热阻RT和降低环境温度Ta ;同时,晶体管在脉冲和高频工作时, PC增大, 安全工作区扩大,则最大耗散功率增大,输出功率也相应提高。

(2)对于MOSFET:

其最大输出功率也要受到器件散热能力的限制:Pcm = (Tjm–Ta) / Rt,MOSFET的最高结温Tjm仍然定为175 oC, 发热中心是在漏结附近的沟道表面处, 则Rt主要是芯片的热阻 (热阻需要采用计算传输线特征阻抗的方法来求出)。

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晶体管最大耗散功率造价信息

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CPU224晶体管

  • CPU224, DC PS, 14DE DC/10DA DC-CN
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  • 武汉运通达科技有限公司
  • 2022-12-07
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CPU226晶体管

  • CPU226, DC PS, 24DE DC/16DA DC-CN
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  • 武汉运通达科技有限公司
  • 2022-12-07
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CPU222晶体管

  • CPU222, DC 24V, 8DE DC/6DA DC-CN
  • 13%
  • 武汉运通达科技有限公司
  • 2022-12-07
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CPU224XP晶体管

  • CPU224XP, DC PS, 14DE DC/10DA DC/2AE/1AA
  • 13%
  • 武汉运通达科技有限公司
  • 2022-12-07
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晶体管图示仪

  • 品种:图表式显示仪表;规格型号:XJ4810/4812;产品说明:晶体管图示仪,两曲线,电压500V,四种产品描述,有A,B自动转换.;
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  • 重庆德源胜仪器有限公司
  • 2022-12-07
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自发电一焊机

  • 305A
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二氧化碳气保护焊机

  • 电流250A
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二氧化碳气保护焊机

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二氧化碳气保护焊机

  • 电流250A
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  • 汕头市2011年2季度信息价
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二氧化碳气保护焊机

  • 电流250A
  • 台班
  • 广州市2011年1季度信息价
  • 建筑工程
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晶体管话筒U87Ai

  • /N比(DIN/IEC 651):79/82/80dB× 最大声压级(THD小于0.5%):117dB(心型) 最大声压级(THD 小于0.5%,预衰减):127dB 最大输出电压:390Mv 麦克风
  • 2只
  • 1
  • 中高档
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  • 2018-07-02
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晶体管图示仪

  • BJ4811A
  • 10台
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  • 2015-12-20
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晶体管测试仪

  • HP3326A
  • 10台
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  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2015-12-18
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晶体管图示仪

  • XJ-4810A
  • 5台
  • 1
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  • 不含税费 | 含运费
  • 2015-10-21
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晶体管图示仪

  • DW4822
  • 4台
  • 1
  • 普通
  • 含税费 | 不含运费
  • 2015-10-22
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晶体管最大耗散功率常见问题

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晶体管最大耗散功率文献

S波段RF功率晶体管 S波段RF功率晶体管

S波段RF功率晶体管

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大小:327KB

页数: 未知

S波段500WRF器件2729GN~500越于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术,新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用,ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。

第四章双极型晶体管功率特性 第四章双极型晶体管功率特性

第四章双极型晶体管功率特性

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大小:327KB

页数: 116页

第四章双极型晶体管功率特性

双极型功率晶体管晶体管

通常简称功率晶体管。 其中大容量型又称巨型晶体管,简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件,内含数十至数百个晶体管单元。图1是功率晶体管的符号,其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型,器件被分成NPN型和PNP型两种,硅功率晶体管多为前者。

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大功率晶体管概念

大功率晶体管一般被称为功率器件,属于电力电子技术(功率电子技术)领域研究范畴。其实质就是要有效地控制功率电子器件合理工作,通过功率电子器件为负载提供大功率的输出。

一般说来,功率器件通常工作于高电压、大电流的条件下,普遍具备耐压高、工作电流大、自身耗散功率大等特点,因此在使用时与一般小功率器件存在一定差别。

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功率晶体管(GTR)的特性

功率晶体管(GTR)具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点,阻碍它的进一步发展。

—、结构特性

1、结构原理

功率晶体管是双极型大功率器件,又称巨型晶体管或电力勗体管,简称GTR。它从本质上讲仍是晶体管,因而工作原理与一般晶体管相同。但是,由于它主要用在电力电子技术领域,电流容量大,耐压水平高,而且大多工作在开关状态,因此其结构与特性又有许多独特之处。

对GTR的要求主要是有足够的容量、适当的增益、较高的速度和较低的功耗等。由于GTR电流大、功耗大,因此其工作状况出现了新特点、新问题。比如存在基区大注入效应、基区扩展效应和发射极电流集边效应等,使得电流增益下降、特征频率减小,导致局部过热等,为了削弱这种影响,必须在结构上采取适当的措施。目前常用的GTR器件有单管、达林顿管和模块三大系列。

三重扩散台面型NPN结构是单管GTR的典型结构,其结构和符号如图1所示。这种结构的优点是结面积较大,电流分布均匀,易于提高耐压和耗散热量;缺点是电流增益较低,一般约为10~20g。

图1、功率晶体管结构及符号

图2、达林顿GTR结构

(a)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing

达林顿结构是提高电流增益的一种有效方式。达林顿GTR由两个或多个晶体管复合而成,可以是PNP或NPN型,如图2所示,其中V1为驱动管,可饱和,而V2为输出管,不会饱和。达林顿GTR的电流增益β大大提高,但饱和压降VCES也较高且关断速度较慢。不难推得

IC=ΒIB1.VCES= VCES1+VCES2(其中β≈β1β2)

目前作为大功率开关应用最多的是GTR模块。它是将单个或多个达林顿结构GTR及其辅助元件如稳定电阻、加速二极管及续流二极管等,做在一起构成模块,如图3所示。为便于改善器件的开关过程或并联使用,有些模块的中间基极有引线引出。GTR模块结构紧凑、功能强,因而性能价格比大大提高。

图3、GTR模块的等效电路

2、特性参数

1)输出特性与电流增益

GTR的共射极输出特性如图4所示。可分为四个区,即:阻断区、线性区、准饱和区及深饱和区。用作开关时,应尽量避免工作于线性区,否则功耗很大。进入深饱和区,虽功耗小,但关断时间长且安全工作区变窄.因此一般工作于准饱和区。饱和压降VCES是一重要参数,它越小,GTR的功耗越小。VCES随IC和温度的增加而增大。

图4、共射极电路输出特性

GTR的共射极电流增益β随集电极电流IC和结温Ti变化,如图5所示。可见,大电流时沒下降,限制了 GTR的电流容量。

图5、β~IC关系曲线

2)开关特性

开关过程可分四个阶段:开通过程、导通状态、关断过程、阻断状态。GTR开关过程的电流波形如图6所示。其中,开通时间ton包括延迟时间td和上升时间tc,关断时间toff包括存储时间ts和下降时间ti。一般开关时间越短,工作频率越高。为缩短开通时间,可选结电容小的管子或提高驱动电流的幅值和陡度。为缩短关断时间,可选β小的管子,防止深饱和,增加反偏电流等。

图6、GTR开关过程的电流波形

电压上升率dv/dt和电流上升率di/dt会影响开关过程。为防止过高的dv/dt或di/dt对GTR造成危害,一般应加接缓冲电路。

3)二次击穿与安全工作区

二次击穿是集-射电压突然变低而电流激增的现象。GTR的二次击穿特性如图7所示,包括发射结正偏、开路和反偏三种情况。其中正偏二次击穿对GTR的威胁最大。

图7、GTR的二次击穿特性

安全工作区SOA是指GTR能够安全运行的电流、电压、功耗的极限范围,分为正偏安全工作区和反偏安全工作区,如图8所示。其中正偏安全工作区受最大集电极电流ICM、最大耐压BVCEO、最大允许功耗PCM和二次击穿触发功率PS/B的限制。DC为直流情况,虚线为脉冲情况,反向偏置安全工作区受最大集电极电流、集-射维持电压和二次击穿功率的限制。

图8、正偏安全工作区

4)其他特性参数

主要有集电极电压最大值、发射极电压最大值、集电极电流最大值ICM、基极电流最大值IBM、最大功耗PCM、最高结温TIM等。由干各参数均受温度影响,因此应采取有效散热措施,确保GTR结温不超过规定值。

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