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绝缘栅双极型晶体管

绝缘栅双极型晶体管insulated-gate-bipolar transistor,IGBT，集MOSFET和GTR的优点于一身，具有输入阻抗高、开关速度快、驱动电路简单、通态电压低、能承受高电压大电流等优点，已广泛应用于变频器和其他调速电路中。

绝缘栅双极型晶体管基本信息

中文名称绝缘栅双极型晶体管
外文名称insulatedgatebipolartransistor
释义电力电子器件
英文简写IGBT

绝缘栅双极型晶体管相关实例

IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshonshuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebiPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特啊性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)啊时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任啊于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，

绝缘栅双极型晶体管造价信息

市场价
信息价
询价

CPU224晶体管型

规格型号：
CPU224, DC PS, 14DE DC/10DA DC-CN
价格行情：
材料单位：
件
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
武汉运通达科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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CPU226晶体管型

规格型号：
CPU226, DC PS, 24DE DC/16DA DC-CN
价格行情：
材料单位：
件
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
武汉运通达科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

查看价格

CPU222晶体管型

规格型号：
CPU222, DC 24V, 8DE DC/6DA DC-CN
价格行情：
材料单位：
件
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
武汉运通达科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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CPU224XP晶体管型

规格型号：
CPU224XP, DC PS, 14DE DC/10DA DC/2AE/1AA
价格行情：
材料单位：
件
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
武汉运通达科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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晶体管图示仪

规格型号：
XJ-4810
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
成都天大仪器设备有限公司
报价时间：
2022-12-06

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自行式铲运机双引擎

规格型号：
斗容量23m3
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
广州市2010年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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自行式铲运机双引擎

规格型号：
斗容量23m3
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
广州市2010年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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自行式铲运机双引擎

规格型号：
斗容量23(m3)
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年7月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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自行式铲运机双引擎

规格型号：
斗容量23m3
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
广州市2010年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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自行式铲运机双引擎

规格型号：
斗容量[23](m3)
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
韶关市2009年11月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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IGBT绝缘栅双极型晶体管

规格型号：
FF300R12KE3
需求量：
4.0个
报价数：
2
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2014-11-18

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晶体管图示仪

规格型号：
BJ4811A
需求量：
10台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
普通
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2015-12-20

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晶体管测试仪

规格型号：
HP3326A
需求量：
10台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-12-18

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晶体管图示仪

规格型号：
XJ-4810A
需求量：
5台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
普通
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2015-10-21

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晶体管话筒U87Ai

规格型号：
技术指标: 声音工作原理:压力梯度传感器指向性:全向性,心型,8字型频响:20Hz-20KHz 灵敏度(1KHz-1KOHM):20/28/22mVPa × 输出阻抗:200ohms 负载阻抗
需求量：
2只
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2018-07-02

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绝缘栅双极型晶体管基本简介

绝缘栅双极型晶体管 insulatedgatebipolartransistor,IGBT，集MOSFET和GTR的优点于一身，具有输入阻抗高、开关速度快、驱动电路简单、通态电压低、能承受高电压大电流等优点，已广泛应用于变频器和其他调速电路中。

绝缘栅双极型晶体管常见问题

什么是单极型晶体管和双极型晶体管？

一、单极型晶体管在目前使用的pnp或npn面结型晶体管的工作中，包括金属-氧化物-半导体晶体管在内的场效应晶体管，只需要一种载流子，这种晶体管就叫做单极晶体管。单极晶体管即场效应晶体管，因为场效应晶体...
BJT双极结型晶体管的优缺点

优点是工作速度快，噪声小；缺点是不易集成，还有功耗太大。
单极型晶体管？

只用一种载流子进行导电的晶体管称为单极型晶体管。

绝缘栅双极型晶体管文献

10kV绝缘栅双极型晶体管固体开关的研制

10kV绝缘栅双极型晶体管固体开关的研制

10kV绝缘栅双极型晶体管固体开关的研制

格式：pdf

大小：581KB

页数： 5页

　采用8只IXLF19N250A绝缘栅双极型晶体管串联研制成功了10kV固体开关。试验表明:该固体开关最高输出电压为14kV,最高输出脉冲电流为20A、输出脉冲宽度可在2112μs之间以1μs步长变化,脉冲重复频率范围为1Hz4kHz,短时间可以工作到8.6kHz。

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电力电子器件知识讲座(九) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(三)

电力电子器件知识讲座(九) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(三)

电力电子器件知识讲座(九) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(三)

格式：pdf

大小：581KB

页数： 3页

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。

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子模块旁路定义

模块化多电平换流器子模块中,某些绝缘栅双极型晶体管开通,但阀电流不流经子模块直流电容器的运行状态。

中国南车突破高端芯片技术

据造价信息网了解，    我国首条8英寸绝缘栅双极型晶体管（IGBT）专业芯片线6月20日在中国南车株洲电力机车研究所有限公司建成，打破了国外在高端IGBT芯片技术上的垄断，对保障国民经济安全和推动节能减排具有重大战略意义。 与微电子技术中芯片技术一样，IGBT芯片技术是电力电子行业中的“心脏”和“大脑”，控制并提供大功率的电力设备电能变换，有效提升设备的能源利用效率、自动化和智能化水平。主要应用于船舶、高压电网、轨道交通等大功率电力驱动设备中。 IGBT芯片技术含量极高，制造难度非常大，其研发、制造、应用是衡量一个国家科技创新和高端制造业水平的重要标志。过去，全球IGBT技术主要掌握在欧洲和日本等少数几个国家手中。我国的IGBT芯片及其相关产品99％以上依赖进口，国内在芯片、封装、装置、系统还没有形成独立、完整的技术体系和产业体系。 经过20多年的研发，中国南车上百位专家攻克了30多项重大难题，终于掌握了该器件的成套技术，建立了完整的IGBT规模化、专业化生产工业体系，成功研制出从650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模块，形成了IGBT的完整产业链。这条投资近15亿元的8英寸IGBT生产线首期将实现年产12万片8英寸IGBT芯片，配套生产100万只IGBT模块，真正实现IGBT的国产化。 中国工程院院士、中国南车株洲所总经理丁荣军说，据初步估算，如果将IGBT等电力电子技术应用到全国20％的电机中，每年可节约用电2000亿千瓦时，相当于两个三峡电站的年发电量。同时，我国自主研发的高功率等级的IGBT对涉及国家经济安全、国防安全等战略性产业至关重要。（谢立言阳建）

保护性旁路定义

紧急运行状态时,为防止模块化多电平结构单元或组件损坏,阀电流流经保护设备而不流经绝缘栅双极型晶体管-二极管对的状态。

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