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晶闸管控制移相变压器

将移相变压器的输出经晶闸管串接于系统中,通过投切等控制方式来改变系统电压相位的装置。 
——引自DL/T 1193-2012《柔性输电术语》

晶闸管控制移相变压器基本信息

晶闸管控制移相变压器简介

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晶闸管控制移相变压器造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

晶闸管控制焊机

  • CO2/MAG YM-200KR2HGE参数1:标准配置;系列:CO2焊机;说明:注:唐山松下专卖店以同样地价格销售唐山松下产品并提供服务,以上价格不含包装费、运费.;
  • 松下
  • 13%
  • 衡水天威机电设备有限公司
  • 2022-12-07
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晶闸管控制焊机

  • CO2/MAG YM-500GL5HGE参数1:配4.5米350A焊枪,不含加长线;系列:CO2焊机;说明:注:唐山松下专卖店以同样地价格销售唐山松下产品并提供服务,以上价格不含包装费、运费.;
  • 松下
  • 13%
  • 衡水天威机电设备有限公司
  • 2022-12-07
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晶闸管控制焊机

  • CO2/MAG YM-350KR2HGE参数1:标准配置;系列:CO2焊机;说明:注:唐山松下专卖店以同样地价格销售唐山松下产品并提供服务,以上价格不含包装费、运费.;
  • 松下
  • 13%
  • 衡水天威机电设备有限公司
  • 2022-12-07
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晶闸管控制焊机

  • CO2/MAG YM-500KR2HGE参数1:标准配置;系列:CO2焊机;说明:注:唐山松下专卖店以同样地价格销售唐山松下产品并提供服务,以上价格不含包装费、运费.;
  • 松下
  • 13%
  • 衡水天威机电设备有限公司
  • 2022-12-07
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晶闸管

  • 模块 MTA55A 400V
  • 13%
  • 西宁永信电力设备有限公司
  • 2022-12-07
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干式变压器

  • SCB11-800
  • 阳江市2022年10月信息价
  • 建筑工程
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干式变压器

  • SCB11-2000
  • 阳江市2022年10月信息价
  • 建筑工程
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干式变压器

  • SCB11-2500
  • 阳江市2022年10月信息价
  • 建筑工程
查看价格

干式变压器

  • SCB11-50
  • 阳江市2022年9月信息价
  • 建筑工程
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干式变压器

  • SCB11-100
  • 阳江市2022年9月信息价
  • 建筑工程
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干式变压器

  • 6MVA相变压器(10KV/690V,1600KVA)
  • 2台
  • 1
  • ABB、西门子、新华都、金盘、顺特等
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2018-06-15
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相变压器

  • 220/36V 2KW
  • 2396个
  • 1
  • 施耐德
  • 高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2015-03-31
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相变压器

  • C1
  • 1.0台
  • 3
  • 中等
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2017-08-29
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相变压器

  • 杆式,容量50KVA,型号S11-50/10
  • 4套
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2018-05-18
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相变压器

  • 220/24V 50W
  • 1837个
  • 1
  • 施耐德
  • 高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2015-11-25
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晶闸管控制移相变压器常见问题

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晶闸管控制移相变压器文献

水冷移相变压器关键技术研究 水冷移相变压器关键技术研究

水冷移相变压器关键技术研究

格式:pdf

大小:133KB

页数: 2页

本文对水冷移相变压器的主要技术特点进行了介绍,并对主要参数的计算方法和关键技术进行了研究。通过对水冷移相变压器样机制造和试验结果表明主要参数计算方法和关键技术的研究可行,为水冷移相变压器的设计计算和制造提供了依据。

变压器有载调压晶闸管辅助切换开关的研究 变压器有载调压晶闸管辅助切换开关的研究

变压器有载调压晶闸管辅助切换开关的研究

格式:pdf

大小:133KB

页数: 未知

本文介绍一种能实现快速切换,无过电压,无冲击电流,不中断线路变压器有载调压的晶闸管辅助变压器切换开关主电路,详细说明了消除变压器分接头切换过程中电弧和暂态过程的理论和方法,并给出了数值仿真结果。结果表明,根据本文介绍的晶闸管有载调压分接开关主电路和晶闸管门极触发脉冲时序,能确保变压器分接头切换时无冲击,线路供电不中断。

MOS控制型晶闸管简介

​MCT(MOS Controlled Thyristor)是将MOSFET与晶闸管组合而成的复合型器件。MCT将MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程和晶闸管的高电压大电流、低导通压降的特点结合起来,也是Bi-MOS器件的一种。一个MCT器件由数以万计的MCT元组成,每个元的组成为:一个PNPN晶闸管,一个控制该晶闸管开通的MOSFET,和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。

MCT具有高电压、大电流、高载流密度、低通态压降的特点。其通态压降只有GTR的1/3左右,硅片的单位面积连续电流密度在各种器件中是最高的。另外,MCT可承受极高的di/dt和du/dt,使得其保护电路可以简化。MCT的开关速度超高GTR,开关损耗也小。

总之,MCT曾一度被认为是一种最有发展前途的电力电子器件。因此,20世纪80年代以来一度成为研究的热点。但经过十多年的努力,其关键技术问题没有大的突破,电压和电流容量都远未达到预期的数值,未能投入实际应用。而其竞争对手IGBT却进展飞速,所以,目前从事MCT研究的人不是很多。

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MOS控制晶闸管产品介绍

MOS控制晶闸管是由MOSFET和晶闸管复合而成的一种电力电子器件,它的输人极由MOS管控制,故属场控器件。

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光控制晶闸管简介

由于采用光触发保证了住电路与控制电路之间的绝缘,而且可以避免电磁干扰的影响,因此光控晶闸管目前在高压大功率的场合,如高压直流输电和倒牙核聚变装置中,占据重要的地位。

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