l.使用前请认真阅读本说明书，严格按要求接线使用

2.本电压调整器是壁挂式，垂直安装在通风良好，不受日光直射或热辐射，无腐蚀性无可燃性的环境中。

3工作电流>30A,需采用强制风冷。高温高湿以及海拔大于1000米，应降额使用。

4.装置过热保护后，如要再运行，需排除故障后，再送电运行。

5.在使用过程中若发生过流现象，应首先检查负载有无短路等故障。

6.工作环境温度：-10～ 50℃通风良好的位置。工作环境相对湿度：90%

7.负载过流保护：一般地说，过流保护不能完全确保负载短路造成的设备损坏,不能代替快速熔断器

8负载短路保护：一般按额定负载电流的1.5倍选择，外配RS0快速熔断器作为短路保护。2100433B

智能交流电力控制器是中日合作超大功率SCR高精度数字调压应用技术的新概念产品,PAC33I具有三相调压/调功一体化，脉冲变压器输出，自动判别相位、抑制电源交叉干扰能力极高的锁环同步电路、上电缓启动、缓关断、散热器超温、电流限制、过流保护、电流环远距离五种工作状态指示，额定电流40～500A。智能交流电力控制器可广泛用于工业各领域的电压调节，恒压恒流，恒功率调节，适用于电阻性负载、电感性负载、变压器和电机软起控制等

1变压器控制:变压器过流的原因：a)饱和磁通密度设计余量不足。当电流增加到一定程度,负载电流剧增、波形畸变、损坏器件。b）运行过程的缺相或三相严重不平衡，直流分量过大使变压器迅速进入磁饱和区，产生严重过流。运行过程瞬间断电后又上电等，由于电感电流不能突变，造成磁通极性与剩磁极性（固有剩磁和瞬间断电正在衰减的磁场）的“撞车”产生的危害性冲击电压、电流。

2电感负载:采用上电缓起动逐步顺磁和缓关断逐步衰减磁场；脉宽可变触发技术，能提供足够到达晶闸管擎驻电流的锁定时间，避免窄脉冲触发不可靠；采用离子注入技术制造的中心门极晶闸管（希曼顿相控大功率SSR），具有开通速度快、导通均匀、特性参数一致，对称度高直流分量小，有利于变压器控制。此外，六相脉冲合并为三路，电路简单可靠。

3.纯金属类：虽硅钼、钼丝、钨、白金冷热阻变化大，但电阻与温度关系呈线性，采用降压变压器、XCT1电流限制以及配合

带有多组PID以及功率限制的仪表，例如岛电FP93、FP21、SR253、MR13三回路等，可设计低、中、高温区的电流限制。此外可采用SR53线性限幅,输出功率能自动跟随仪表的设定值线性增加。

4.硅碳棒:一般采用缓起动〉1分钟或更长，避开在700℃附近负阻的冲击电流（新棒更明显使用方法有降压变压器、硅碳棒串联。过零方式的全电压启动，不可避免地造成过大的冲击电流，易于损坏晶闸管和加速硅碳棒老化。

5.纯阻（泛指冷热阻变化小的负载）-简单可靠的方法为：周期（占空比控制）或周波过零功技术和大功率SSR，克服调压

方式功率因数低、污染电网的缺点。周波过零的负载电流以全正弦波为单位均匀分布，多台设备运行时，总动力电流相对均衡（避免了周期方式电流集中），改善炉温均匀性，避免了电流表撞针，重要的是：提高了电源利用率和避免电力设备增容，节电效果十分明显。

6调压调功一体化技术：调压方式具有负载电流冲击小，适合变压器控制，但不可避免带来电源污染，降低功率因数。过零调功方式无法限制电流，冷态冲击将影响加热管的寿命。PAC33I的U1用户功能提供了两者结合的输出。

可控硅有多种分类方法。

（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

（六）过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。

（七）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

中文名称

水平调整装置

英文名称

leveling device

定　　义

把天平仪器调整到标准水平位置的装置。

应用学科

机械工程（一级学科），实验室仪器和装置（二级学科），天平仪器-电子天平零部件及附件（三级学科）