跨导增益设备

跨导增益真空管 对于真空管，跨导被定义为板（阳极）/阴极电流的变化除以电网/阴极电压的相应变化，恒定板（阳极）/阴极电压。g_m典型值为小信号真空管是1至10毫西门子。它是真空管的三个特征常数之一，另外两个是增益μ（mu）和平板电阻r_p或r_a。在范德Bijl公式定义它们之间的关系如下： 跨导增益场效应晶体管 类似地，在场效应晶体管和MOSFET中，跨导是漏极电流的改变除以栅极/源极电压的小改变以及恒定的漏极/源极电压。g_m的典型值为小信号场效应晶体管是1至30毫西门子。 使用Shichman-Hodges模型，MOSFET的跨导增益可以表示为： 其中I_D是在直流漏电流偏置点，和V_OV是过驱动电压，这是偏置点栅极-源极电压和之间的差的阈值电压（即，V_OV≡V_GS-V_th）。的过驱动电压（有时也被称为有效电压）在约70-200毫伏习惯上选择用于65纳米技术节点（I_D≈1.13mA/μm），用于g_m的11-32mS/μm。 另外，结FET的跨导增益由下式给出，其中V_P是夹断电压，I_DSS是最大漏极电流。 传统上，上式中给出的FET和MOSFET的跨导是使用微积分从每个器件的传输方程导出的。然而，卡特赖特已经证明，这可以在没有微积分的情况下完成。 跨导增益双极晶体管 所述g_m的双极小信号晶体管差别很大，成比例的集电极电流。典型的范围是1到400毫西门子。在基极/发射极之间施加输入电压变化，输出是在具有恒定的集电极/发射极电压的集电极/发射极之间流动的集电极电流的变化。 双极晶体管的跨导增益可以表示为 其中I_C=在Q点的DC集电极电流，V_T=热电压，在室温下通常约为26mV。10毫安，典型电流g_m≈385毫秒。 输出（集电极）电导由Early电压决定，与集电极电流成正比。对于线性操作的大多数晶体管，它远低于100μS。

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跨导增益造价信息

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有源增益器

规格型号：
原装进口提供接收天线的增益放大,以补尝在长距离连接线上的信号衰减,使扩大无线系统工作范围及稳定性; 增益:+3 dB / +10 dB两段选择连接端:BNC 母头
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
SHURE
材料税率：
13%
供应商：
成都市西臣影音有限公司
报价时间：
2022-12-08

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增益天线

规格型号：
24DB
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
天地伟业
材料税率：
13%
供应商：
天津天地伟业数码科技有限公司成都办事处
报价时间：
2022-12-08

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有源天线增益器

规格型号：
SHURE UA870 信号接收
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
舒尔
材料税率：
13%
供应商：
深圳市金领袖科技有限公司
报价时间：
2022-12-08

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定向高增益扇区天线

规格型号：
14DB
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
北京东方旭普科技有限公司
报价时间：
2022-12-08

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增益对数周期天线

规格型号：
DS-ZQ8
价格行情：
材料单位：
扇
材料品牌：
HUSHAN/中国
材料税率：
13%
供应商：
湖山音响郑州办事处
报价时间：
2022-12-08

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彩色导盲、止步砖

规格型号：
80 C35
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
东莞市2018年11月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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彩色导盲、止步砖

规格型号：
60 C35
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
东莞市2018年10月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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彩色导盲、止步砖

规格型号：
80 C35
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
东莞市2018年9月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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彩色导盲、止步砖

规格型号：
60 C35
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
东莞市2018年8月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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彩色导盲、止步砖

规格型号：
80 C35
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
东莞市2018年8月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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跨路金具KLMG

规格型号：
KLMG跨路金具
需求量：
1件
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2010-03-15

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外跨钢楼梯

规格型号：
外跨钢楼梯
需求量：
1m
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2013-07-17

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跨路金具KLMG型

规格型号：
跨路金具KLMG型
需求量：
0套
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2010-06-17

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有源增益器

规格型号：
增益:等于或优于6dBi高增益助推器:≥15dB输出 3OIP 28 dbm
需求量：
2台
报价数：
1
材料品牌：
不限
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2018-04-02

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跨列线架

规格型号：
跨列线架适配1200宽通道;
需求量：
2套
报价数：
1
材料品牌：
详见原档
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-11-14

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跨导增益放大器

跨导增益跨导放大器 跨导放大器（gm放大器）推出的电流正比于它的输入电压。在网络分析中，跨导放大器被定义为电压控制电流源（VCCS）。看到这些放大器安装在共源共栅配置，这是常见的，这提高了频率响应。 跨导增益跨阻放大器 跨阻放大器输出正比于它的输入电流的电压。跨阻放大器通常被称为跨阻放大器，特别是半导体制造商。 网络分析中的跨阻放大器的术语是电流控制电压源（CCVS）。一个基本的反相互阻放大器可以由一个运算放大器和一个电阻构成。只需在运算放大器的输出端和反相输入端之间连接电阻，并将同相输入端接地即可。然后，输出电压将与反相输入端的输入电流成比例，随着输入电流的增加而减小，反之亦然。在实践中，任何器件的寄生电容连接到运算放大器的虚拟地可能使其不稳定，并且必须在输出和反相引脚之间并联添加补偿电容。达到这个补偿电容的最佳值可能是不平凡的。专用芯片跨阻（互阻抗）放大器广泛用于放大来自超高速光纤链路接收端的光电二极管的信号电流。MAX3724和MAX3725就是例子。 跨导增益运算跨导放大器 一个运算跨导放大器（OTA）是集成电路能够作为跨导放大器的作用。这些通常有一个允许跨导控制的输入。

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跨导增益介绍

跨导（英语：Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导增益则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。通常用 g_m表示。 对于直流电，跨导增益可以定义为： 对于交流电小信号模型，跨导增益的定义相对更为简单：

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跨导增益常见问题

怎样调节增益呀!~

随着数码相机市场的快速成长，半导体厂商又相继推出了集成化的解决方案。这种方案结合了高转换效率的简单拓扑结构和便于提供多组输出的变压器结构的特点。利用高效率的简单拓朴结构产生低压、大电流电源，使系统的总...
请问增益调节器是什么？

增益调节，也叫输入灵敏度，调节增益使其匹配主机的信号输出，其功能是当主机的输出音量最大时，也使得功放的功率输出达到最大。不可以把增益当作音量调节器。如果增益调节不当，设置过大时往往使功放进入保护状态...
如何制作WIFI增益天线

用铝质的饮料瓶套在天线上就行

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跨导增益文献

扩声系统的增益结构

格式：pdf

大小：17KB

页数： 7页

扩声系统的增益结构 ——设置扩声系统增益结构的注意事项与方法作者： John Murray 作者单位： ProSonic Solution 目录第一节引言第二节参考级的概念 2.1 分贝 2.2 电子学中的分贝参考量第三节峰值电平，均方电平及音量表电平 3.1 峰值电平 3.2 均方根值电平 3.3 音量表电平第四节设置信号流的增益结构 4.1 准备工作 4.2 使用振荡器和示波器进行调整 4.3 电子分频器及压缩器 /限幅器的调整 4.4 功率放大器的调整 4.5 分频网络低驱动电平选项 4.5 更高均值 /峰值比与更小的动态范围选项第五节调音台的增益设置 5.1 基本原则 5.2 初步调整（初步设置） 5.3 技术优化方法 5.4 易于理解的方法第六节参考书目第一节引言对于一个扩声系统来说，合理的增益结构是不可或缺的，尤其是当系统中采用了当

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带增益显示的无线遥控音频功放设计

格式：pdf

大小：17KB

页数： 2页

为实现音频功率放大器无线音量调控、可携带、能方便地与CPU和MP3连接等功能,采用TDA2030功放芯片、M62429(数字电位器)和PT2272无线接收模块设计了一个具有无线调音功能的便携式音频功放,具有体积小、输出功率大、失真小等特点。

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跨导跨阻

跨阻（转移电阻），也常常被称为互阻，是跨导的双重性。它是指两个输出点电压变化与两个输入点电流变化的比值，记为r_m： 跨阻国际单位就是欧姆，就像阻力一样。 跨阻（或转移阻抗）是互阻的交流等效，是互导的二元。

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跨导设备

跨导真空管 对于真空管，跨导被定义为板（阳极）/阴极电流的变化除以电网/阴极电压的相应变化，恒定板（阳极）/阴极电压。g_m典型值为小信号真空管是1至10毫西门子。它是真空管的三个特征常数之一，另外两个是增益μ（mu）和平板电阻r_p或r_a。在范德Bijl公式定义它们之间的关系如下： 跨导场效应晶体管 类似地，在场效应晶体管和MOSFET中，跨导是漏极电流的改变除以栅极/源极电压的小改变以及恒定的漏极/源极电压。g_m的典型值为小信号场效应晶体管是1至30毫西门子。 使用Shichman-Hodges模型，MOSFET的跨导可以表示为： 其中I_D是在直流漏电流偏置点，和V_OV是过驱动电压，这是偏置点栅极-源极电压和之间的差的阈值电压（即，V_OV≡V_GS-V_th）。的过驱动电压（有时也被称为有效电压）在约70-200毫伏习惯上选择用于65纳米技术节点（I_D≈1.13mA/μm），用于g_m的11-32mS/μm。 另外，结FET的跨导由下式给出，其中V_P是夹断电压，I_DSS是最大漏极电流。 传统上，上式中给出的FET和MOSFET的跨导是使用微积分从每个器件的传输方程导出的。然而，卡特赖特已经证明，这可以在没有微积分的情况下完成。 跨导双极晶体管 所述g_m的双极小信号晶体管差别很大，成比例的集电极电流。典型的范围是1到400毫西门子。在基极/发射极之间施加输入电压变化，输出是在具有恒定的集电极/发射极电压的集电极/发射极之间流动的集电极电流的变化。 双极晶体管的跨导可以表示为 其中I_C=在Q点的DC集电极电流，V_T=热电压，在室温下通常约为26mV。10毫安，典型电流g_m≈385毫秒。 输出（集电极）电导由Early电压决定，与集电极电流成正比。对于线性操作的大多数晶体管，它远低于100μS。

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跨导增益

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增益天线

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定向高增益扇区天线

增益对数周期天线

彩色导盲、止步砖

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跨路金具KLMG

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