选择特殊符号
选择搜索类型
请输入搜索
1)激光器的基本结构:量子点激光器的基本结构如图所示 。
2)阈值电流及增益特性:在忽略非均匀展宽的情况下,量子点材料与高维度量子阱、量子线 、体材料相比,其增益谱要窄得多,并且在峰值有更大增益,可以是量子 阱的1O倍,体材料的2O倍 。
3)阈值电流的稳定性:以往激光器因为注入的载流子热扩散,它的阈值电流的热依赖性分布展宽,使最大增益减小。因为理想的量子点态密度是类氢谱状,无限 的高势垒限制了载流子,就不可能生热扩散,因此阈值电流密度彻底不依赖温度,即特征温度为∞。实际上量子点激光器的特征温度同势垒层材料组分、量子点的尺 寸、生长质量等密切相关。可以通过优化尺寸及分布的均匀性等方法,实现有效地提高其特征温度。
4)光谱特性:理想的量子点激光器应只有 单一的电子能级和空穴能级,易实现单模工作。实际制备过程中,由于不可能保证尺寸和形状完全相同,导致单个量子点能级被展宽为点集。实际单层量子点典型的 增益谱宽大大超过所需的低于leV的增益谱宽,影响阈值电流密度的降低。20世纪末Kirstaedter等人在77K的低温和稍高于阈值 电流密度条件下发现了单模工作。在最初的研究过程中发现量子点激光器光谱中激光模式分组的现象,部分研究者认为模式分组和泄漏模有关。
20世纪初D.Ouyang等人比较系统的研究了不同条宽及一定温度范围内量子点中的模式分组效应,得出模式组的间隔不会依赖于温度,却与条宽有关。如果 对条宽的边缘进行合适的周期性刻蚀,会抑制或增强某波长增益谱的空间烧孔现象,这样会对波长的稳定及单纵模工作的实现有特别大的帮助。
量子点激光器(quantum dot laser)对注入载流子具有三维量子限制结构的半导体激光器。器件的有源区被宽带隙势垒区分割为许多小体积,其线度在三维方向上均接近或小于载流子的德布罗衣波长,对载流子在空间所有方向上的运动均进行了量子限制。此时,半导体材料原有的能带结构被重新分裂为分立的能级。与量子阱和量子线激光器相比,量子点激光器在输出光谱纯度、阙值电流、温度特性和调制性等方面的性能均可获得较大幅度的提高。
根据工作物质物态的不同可把所有的激光器分为以下几大类:①固体激光器(晶体和玻璃),这类激光器所采用的工作物质,是通过把能够产生受激辐射作用的金属离子掺入晶体或玻璃基质中构成发光中心而制成的;②气体激光...
激光打印机的么?拆下来擦擦菱镜啊什么的,建议去找专业人士,很难拆而且比较精密装不好的话会有N多的问题
可调谐激光器tunable laser 是指在一定范围内可以连续改变激光输出波长的激光器。连续激光器相对于脉冲激光器来说的,连续的就是输出激光是连续的一直开着的状态,脉冲就类似照相机闪光灯的开关状态,...
CdSe/ZnS量子点非饱和单模光纤激光器的数值建模
提出了一种新型的光纤激光器———量子点光纤激光器(QDFL)。以CdSe/ZnS量子点作为激活增益介质,基于实验观测到的量子点的吸收和发射谱,建立了二能级系统的粒子数速率方程和光功率传播方程,并进行数值求解。应用遗传算法,以激光输出功率为目标函数,优化得到了QDFL的最佳掺杂浓度、光纤长度、出射镜反射率和抽运光波长。与传统的掺钕光纤激光器相比,QDFL掺杂的饱和浓度较低、光纤的饱和长度较短、抽运效率更高。当抽运功率为2W时,模拟计算得到的激光输出功率可达1.5W。通过多粒度掺杂,单波长的QDFL可发展为一种新型的多波长激光器。
光纤激光器(尾纤激光器)
上海磐川光电科技有限公司 光纤激光器(带尾纤激光器) 产品说明书 光纤激光器(尾纤激光器) 型号:PL-6598Fibr 专业术语: 光纤激光器 俗称:带尾纤激光器 , 尾纤激光模组 , 通讯光纤激光头 产品特点: *半导体激光管芯; *智能调制电路; *高效透过率光学系统; *低功耗,高效能光功率输出; *光斑模式 TEM; 应用领域: 光纤通讯,特殊环境下工业标线定位,防伪检测,机械、石材切割金属锯 床、SMT/电路板的对刀、标线、定位、对齐等 技术参数: 型号: PL-6598Fibr 波长 635nm-1550nm 激励方式 电激励 输出功率 5-200mW 光斑模式 圆点状 运行方式 连续工作激光器 供电电压 DC3-5V 工作电流 20-300mA 光学透镜 光学镀膜玻璃透镜 光束发散度 0.1~1mrad 光斑模式 TEM 直线度 ≥1/5000 线 宽 ≤1.0mm/
[据今日半导体网站2018年5月9日报道] 日本东京大学宣称首次在电泵浦硅基砷化铟/砷化镓量子点激光器中,实现1.3微米激射波长。采用分子束外延技术在硅(001)轴上直接生长砷化镓。
在采用分子束外延技术生长量子点层之前,通常采用金属有机化学气相沉积法沿硅(001)轴生长。实现分子束外延引晶技术的替代技术涉及切割衬底,避免贯穿位错、反相边界和裂等晶体缺陷的产生。不幸的是,离轴硅与主流基于CMOS电子器件不兼容。金属有机化学气相沉积无法有效过滤位错,或者生长有效发光的量子点。
该团队认为1.3微米激光器的发展有助于推动硅光子学解决低带宽密度和高功耗等金属布线问题,以用于下一代计算。
研究人员将n型衬底用于固体源分子束外延。首先将生长室温度加热至950℃,并进行5分钟衬底退火。通过生长3个300纳米厚砷化镓层和在砷化镓层上生长的铟镓砷/砷化镓应变超晶格,抑制贯穿位错到达量子点层。量子点层的贯穿位错密度为5×107/厘米2。研究团队指出,在薄膜沉积过程中进行热循环退火,有助于进一步降低位错密度。
通过将生长温度控制在500℃,并以每小时1.1微米的速度高速生长40纳米厚铝镓砷引晶层,使反相边界在沉积的砷化镓缓冲层中的400纳米范围内消失,从而避免反相边界的产生。
量子点横向测量约30纳米,密度为5×1010/cm2。该结构的光致发光强度是在GaAs衬底上生长的结构的80%。峰值波长为1250纳米,半峰全宽为31毫电子伏。光谱中还可见波长为1150纳米、半峰全宽为86毫电子伏的激发水平。
该材料被制造成80微米宽的广域法布里—珀罗激光器。接触层是金—锗—镍/金。衬底的背面被减薄到100微米。然后,将结构切割成2毫米长的激光器。在不使用高反射率涂层的条件下,切割形成镜面。
在脉冲注入下,最低的激射阈值为320安/厘米2。单个面的最大输出功率超过30毫瓦。在25~70℃范围内进行测量时,激光阈值的特征温度为51开。在25℃时,斜率效率为0.052瓦/安。在连续波电流注入高达1000毫安的情况下,器件无法辐射激光。
研究人员承认,与砷化镓基激光器相比,硅基激光器表现出“输出和热特性等几个特性的退化”。该团队希望优化生长工艺,特别是种子层,以提高激光器的性能。此次生长的硅基量子点激光器具有砷化镓缓冲层质量较低和台面宽度大等缺点。研究团队希望进一步优化生长过程,尤其是引晶层,以提高激光器性能。此外,窄台面宽度也能提高电流阈值和改进热管理。(工业和信息化部电子第一研究所
许文琪)
纳米光电子器件是纳米半导体光电子技术领域中的一个主要分支,旨在研究各种纳米光电子器件的制作方法、工作原理及其在光通信和光信息处理中的应用等。《纳米光电子器件》结合作者的研究工作,对上述内容进行了介绍与评论。全书共分10章,第1、2章简要介绍了半导体量子点的自组织生长和主要物理性质。第3—10章着重介绍了近年发展起来的各种纳米光电子器件,如量子点激光器、量子点红外探测器、量子点单光子发射与探测器件、量子点太阳电池、量子点光放大器与光存储器、量子级联激光器、纳米线光电子器件、光子晶体器件与纳米光子集成等,并对它们近年来的研究进展进行了评述。
《纳米光电子器件》可供从事纳米半导体材料与纳米光电子器件研究的科技工作者参考,也可供高等学校电子科学与技术专业和光电子技术专业的师生阅读。