Mos管开关电路造价信息

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UPVC管路

规格型号：
加药间至投加点连接管道及管配件
价格行情：
材料单位：
批
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
无锡灵创机械设备有限公司
报价时间：
2022-12-07

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UPVC管路

规格型号：
DN65;材质:UPVC;压力:PN10
价格行情：
材料单位：
m
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
无锡灵创机械设备有限公司
报价时间：
2022-12-07

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PE管

规格型号：
PE管;型号、规格:PE16管;PE16管
价格行情：
材料单位：
m
材料品牌：
绿态
材料税率：
13%
供应商：
深圳市宸洲环保科技有限公司
报价时间：
2022-12-07

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PE管

规格型号：
PE管;型号、规格:4/7毛管;PE4/7毛管
价格行情：
材料单位：
m
材料品牌：
绿态
材料税率：
13%
供应商：
深圳市宸洲环保科技有限公司
报价时间：
2022-12-07

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PE管

规格型号：
PE管;型号、规格:PE50管;1.无规共聚聚丙烯(PE)给水管 DN50×4.6 PN1.252.壁厚:4.6mm
价格行情：
材料单位：
m
材料品牌：
绿态
材料税率：
13%
供应商：
深圳市宸洲环保科技有限公司
报价时间：
2022-12-07

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管(A管)

规格型号：
PVC-U环保排水管材,配件Ф32
价格行情：
材料单位：
m
材料税率：
地区时间：
阳江市2011年1月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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管(A管)

规格型号：
PVC-U环保排水管材,配件Ф110
价格行情：
材料单位：
m
材料税率：
地区时间：
阳江市2011年1月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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管(A管)

规格型号：
PVC-U环保排水管材,配件Ф250
价格行情：
材料单位：
m
材料税率：
地区时间：
阳江市2011年1月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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管(A管)

规格型号：
PVC-U环保排水管材,配件Ф400
价格行情：
材料单位：
m
材料税率：
地区时间：
阳江市2011年1月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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管(A管)

规格型号：
PVC-U环保排水管材,配件Ф32
价格行情：
材料单位：
m
材料税率：
地区时间：
阳江市2009年12月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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电路接驳

规格型号：
含炉灶、蒸柜、冰箱、风机等
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-07-05

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电路改造

规格型号：
满足项目设备电路应用,敷设6平方50米220V电缆,含配电控制开关、插座等;
需求量：
1项
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2021-12-08

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射频电路

规格型号：
SDVC-75-5
需求量：
210m
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2010-10-26

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电路游戏2

规格型号：
展项由展台、手柄、导线及温度计等组成.摇动发电机摇柄,速度越快,产生的电流越大,温度升高的越快;导线越长,电阻越大,温度升高越快.电流流经电线、电器等部位时,因本身的电阻因素,引起电线、电器等发热现象.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-16

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电路游戏2

规格型号：
展项由展台、手柄、导线及温度计等组成.摇动发电机摇柄,速度越快,产生的电流越大,温度升高的越快;导线越长,电阻越大,温度升高越快.电流流经电线、电器等部位时,因本身的电阻因素,引起电线、电器等发热现象.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-14

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Mos管开关电路P沟道MOS管开关电路

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。

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Mos管开关电路常见问题

MOS开关电路

太简单了。我给你个电路吧。AOD448是30V 75A的管子，这个是4.5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，2.5V就能驱动。2.5V时，只有26豪欧。电流两三A没...
请教：MOS管做开关电路

MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于...
【求教】MOS管开关电路。

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Mos管开关电路文献

极管开关电路设计

格式：pdf

大小：21KB

页数： 7页

三极管开关电路设计三极管除了可以当做交流信号放大器之外，也可以做为开关之用。严格说起来，三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同，但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。图 1所示，即为三极管电子开关的基本电路图。由下图可知，负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间，而位居三极管主电流的回路上，图 1 基本的三极管开关输入电压 Vin 则控制三极管开关的开启 (open) 与闭合 (closed) 动作，当三极管呈开启状态时，负载电流便被阻断，反之，当三极管呈闭合状态时，电流便可以流通。详细的说，当 Vin 为低电压时，由于基极没有电流，因此集电极亦无电流，致使连接于集电极端的负载亦没有电流，而相当于开关的开启，此时三极管乃胜作于截止 (cut off) 区。同理，当 Vin 为高电压时，由于有基极电流流动，因此使集电极流过更大的放大电流

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上电延时开关电路

格式：pdf

大小：21KB

页数： 1页

简单的上电延时自动开关电路电路组成：电路由三极管 V1、C1、R1、R2 组成上电低电平触发信号产生电路；由时基电路 IC1 （NE555）及 C2、R3、C3 组成单稳电路，低电平触发，稳态时 IC1（NE555）③脚输低电平；由三极管 V2、R4、R5 及继电器 J1组成开关电路，完成上电延时自动开关动作。具体电路如图 1 所示。 V1 V2 10uF C1 100uF C2 D1 10K R2 5.6K R1 2.2M R3 5.6K R4 100K R5 0.01uF C3 0.1uF C4 K1 TRIG2 OUT 3 RST 4 CVOLT 5 THR 6 DISC 7 VCC 8 GND 1 IC1 NE555 100uF C5 J1 VCC （图 1）工作原理：电路上电时，电源 Vcc 经 C1、R1及三极管 V1 的 b-e结给电容 C1 充电，此时三极管

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MOS管发热分析

做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。 无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图:图1。 图1 MOS管的工作原理 我们在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路，如图2漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的原理。当然MOS管做开关使用的电路形式比较多了。 图2 NMOS管的开路漏极电路 在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员最关心的是MOS的最小传导损耗。 我们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。 其发热情况有: 1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。 2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。 3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。 4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

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MOS管详细介绍

首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric(栅介质)。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。 当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。 MOS电容:(A)未偏置(VBG=0V)，(B)反转(VBG=3V)，(C)积累(VBG=-3V)。 正是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。 MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说，只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时，才会有drain电流。 在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。 Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管。制造非对称晶体管有很多理由，但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain，另一个被优化作为source。如果drain和source对调，这个器件就不能正常工作了。 晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的，PMOS的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说，"PMOS Vt从0.6V上升到0.7V"，实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。

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电路模块之MOS管应用

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1. MOS管开关电路

学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。

MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。

图1 左边是N沟道的MOS管，右边是P沟道的MOS管

**寄生二极管的方向如何判断呢？**它的判断规则就是对于N沟道，由S极指向D极；对于P沟道，由D极指向S极。

如何分辨三个极？

D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。

它们的位置是相对固定的，记住这一点很有用。

请注意：不论NMOS管还是PMOS管，上述PIN脚的确定方法都是一样的。

MOS管导通特性

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性：Vgs大于某一值管子就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V就可以了。

PMOS的特性：Vgs小于某一值管子就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

下图是MOS管开关电路，输入电压是Ui，输出电压是Uo。

当Ui较小时，MOS管是截止的， Uo＝Uoh＝Vdd；

当Ui较大时，MOS管是导通的， Uo =Ron/(Ron+Rd)*Vdd，由于Ron<<Rd，所以输出为低电平，即Uo＝0。

应用实例：

以下是某笔记本主板的电路原理图分析，在此mos管是开关作用:

PQ27控制脚为低电平，PQ27截止，而右侧的mos管导通，所以输出拉低；

电路原理分析:

PQ27控制脚为高电平，PQ27导通，所以其漏极为低电平，右侧的mos管处于截止状态，所以输出为高电平。

整体看来，两个管子的搭配作用就是高低电平的切换，这个电路来自于笔记本主板的电路，但是这个电路模块也更常见于复杂电路的上电时序控制模块，GPIO的操作模块等等应用中。

2. MOS管的隔离作用

MOS管实现电压隔离的作用是另外一个非常重要且常见的功能，隔离的重要性在于：担心前一极的电流漏到后面的电路中，对电路系统的上电时序，处理器或逻辑器件的工作造成误判，最终导致系统无法正常工作。因此，实际的电路系统中，隔离的作用非常重要。

比如，上下两个图就是通过源极的高低电平来控制MOS管的通断，来实现信号电平的隔离，因为MOS管有体二极管，并且是反向的，所以并不会有信号通过MOS管漏过去。这是一个非常经典的电路，并且可以通过搭配衍生出很多实用的电路。

比如，下面这个IIC总线中电平转换电路，其实跟上面的电路存在极大的相似性。

电路分析：

SDA1为高电平(3V3)时，TR1截止，SDA2输出为高电平（5V）；

SDA1为低电平(0V)时，TR1导通，SDA2输出为低电平。

总结：

在笔记本主板上用到的NMOS可简单分作两大类：

信号切换用MOS管： Ug比Us大3V---5V即可，实际上只要导通即可，不必须饱和导通。比如常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。

电压通断用MOS管： Ug比Us应大于10V以上，而且开通时必须工作在饱和导通状态。常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702， MDV1660，AON6428L，AON6718L

上面的电路是一个很好用的电路，好在哪？其实可以不用R73和C566, 但一般都会加上，有什么样的优点，值得思考（欢迎分析）！