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人们关于纳米技术最早的梦想源自著名物理学家、诺贝尔奖获得者理查德·费曼的一则预言。1959年,他预言将来人类可以用小的机器制造更小的机器,最后将变成根据人类意愿,逐个地排列原子、制造产品。
1974年,科学家唐尼古奇最早使用纳米技术一词描述精密机械加工。
1990年7月,第一届国际纳米科学技术会议在美国巴尔的摩举办,标志着纳米科学技术的正式诞生。
近20年来,纳米研究取得了一系列进展,许多国家纷纷制定相关战略或者计划,投入巨资抢占纳米技术战略高地。
在医学领域纳米级粒子将使药物在人体内的传输更为方便,用数层纳米粒子包裹的智能药物进入人体後可主动搜索并攻击癌细胞或修补损伤组织;在人工器官外面涂上纳米粒子可预防移植后的排异反应;使用纳米技术的新型诊断仪器只需检测少量血液,就能通过其中的蛋白质和DNA(脱氧核糖核酸)诊断出各种疾病。
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在电子领域可以从阅读硬盘上读取信息的纳米级磁读卡机以及存储容量为目前芯片上千倍的纳米级存储器芯片都已投入生产。可以预见,未来以纳米技术为核心的计算机处理信息的速度将更快,效率将更高。以微电子技术为代表的微米科技,曾经并且正在对世界产生深远的影响。比微米更深入微观世界的纳米将使人类进一步掌握物质的规律,掌握改造微观世界的武器。
在环境科学领域将出现功能独特的纳米膜。这种膜能够探测到由化学和生物制剂造成的污染,并能够对这些制剂进行过滤,从而消除污染。科学家认为,细胞本身就是“纳米技术大师”,细胞中所有的核都是能完成独特任务的“纳米机器”。它们在微观世界里能极其精确地制造物质,而这正是科学家希望通过纳米技术实现的梦想。科学家希望通过对细胞的研究来进一步掌握纳米技术。
科学家预言,纳米时代的到来不会很久,它在未来的应用将远远超过计算机工业,并成为未来信息时代的核心。中国著名科学家钱学森教授说,纳米将会带来一次技术革命,从而将引起21世纪又一次产业革命。
科学家为人们勾勒了一幅若干年后的蓝图:纳米电子学将使量子元件代替微电子器件,巨型计算机就能装入口袋里;通过纳米化,易碎的陶瓷可以变成韧性的,成为一种重要材料;世界上还将出现1微米以下的机器甚至机器人。
科学家指出,纳米机器人将在纳米时代大显身手。用不了多久,个头只有分子大小的神奇纳米机器人将源源不断地进入人类的日常生活。中国著名学者周海中教授在1990年发表的《论机器人》一文中就预言:到21世纪中叶,纳米机器人将彻底改变人类的劳动和生活方式。
纳米材料就是指尺寸在0.1-100nm间的材料(1nm=0.000000001米),而纳米板是吊顶行业中的一种板材,指的是在基础板材上表面采用纳米材料进行处理,这样就能抗刮,耐腐蚀。
您好 1微米=10的-6次方米 1纳米=10的-9次方米 即,1微米(u)=1000纳米(nm)
1000纳米等于1微米,1000微米等于1毫米,1000毫米等于1米,也就是说一纳米等于十亿分之一米,这相当于一根头发丝横切面的六万分之一,所谓“纳米科技”,就是在0.1~100纳米的尺度上,研究和利...
从90年代初起,纳米科技得到迅速发展,新名词、新概念不断涌现,像纳米电子学、纳米材料学、纳米机械学、纳米生物学等等。纳米是长度单位,原称毫微米,就是十亿分之一米或者说百万分之一毫米,略等于45个原子排列起来的长度。纳米科学与技术,有时简称为纳米技术,研究领域为结构尺寸在1至100纳米范围内材料的性质和应用。纳米效应就是指纳米材料具有传统材料所不具备的奇异或反常的物理、化学特性。
日本已设立纳米材料研究中心,把纳米技术列入新5年科技基本计划的研究开发重点。
德国把纳米技术列为21世纪科研创新的战略领域,19家研究机构专门建立纳米技术研究网。
美国将纳米计划视为下一次工业革命的核心,仅美国政府部门在纳米科技基础研究方面的投资,就将从1997年的1亿多美元增加到2001年的近5亿美元,试图像微电子那样在这一领域独占老大地位。
中国国家纳米科学中心科技管理部副主任任红轩表示:如果说我们处在微米时代,更能获得大家的认可,因为它已经成为各个领域内的主流技术。而纳米技术在高端领域内的应用,仍处于起步阶段。虽然在传统领域内已有很多的应用,但能对生产力起到深层次变革作用的那种有震撼力和冲击力的应用还很少,大部分的作用仍是“修修补补”,这和一个时代的要求还有很大的差距。
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在纳米科技兴起之时,中国科学院就紧跟国际水平,用原子“写”出了“中国”和中国地图。科技部、中国科学院和国家自然科学基金委等部门纷纷在立项和资金上对纳米研究给予支持。从在国际上首次把氮化镓制备成一维纳米晶体,到合成了世界上最长的“超级纤维”碳纳米管,从组装出世界上最细且性能良好的扫描隧道显微镜用探针,到合成出高质量的储氢碳纳米材料,中国科学家纷纷联手,在这一最活跃的前沿科学领域里勇敢搏击,不仅建立了几个纳米材料研究基地,而且取得了一系列令世界为之瞩目的成绩,奠定了中国在这一领域的世界领先地位。迄今为止,中国已经建立10多条纳米材料和技术的生产线,纳米复合塑料、橡胶和纤维的改性、纳米功能涂层材料的设计和应用、纳米材料在能源和环保等方面的应用开发已在中国兴起。以纳米材料和纳米技术注册的公司达到近100个,企业家对纳米材料和技术的关注,为纳米技术产业的形成注入了新的活力。
2008年北京奥运会主体场“鸟巢”顶棚铺上了一层特殊的纳米防护涂层,这个涂层可耐700摄氏度高温,从而解决了烟花燃放时焰火掉落灼穿顶棚膜的顾虑。而北京奥运会中使用的上百万平方米奥运锦旗和国旗也使用纺织品专用纳米防护液进行了相应处理。这种防护液能有效阻止污染液体的渗透,不仅能延长锦旗和国旗的使用寿命,还能有效的保持锦旗和国旗的清洁度和鲜艳色泽。
融资能力 纳米技术产业化首要的是高投入,例如安信公司对纳米抗菌新材料的成果转化,前期已扔进了300万美元,今后一年没有1000万美元肯定做不下来,光把第一批产品拿到美国申请FDA就得250万美元。为解决资金问题,安信现在正和两家香港的上市公司和创业基金洽谈,两周之内相信还会有多家公司前来谈判入股计划。因此技术产业化资金是首要问题。
多行业协作 纳米技术产业化过程不是瞬间就可以完成的,它需要走多行业结成科技联盟通力协作的道路。如果不能打破行业、领域的研究界限,那么,纳米技术产业化的堡垒将很难被攻破。
市场推广 在每一个有可能应用纳米新材料的行业里,相关联的大企业要积极与科研单位合作。用成型的纳米技术为这些企业的产品增值,同时利用这些大企业强大的生产基地和销售网络进行规模生产和市场推广,以获取回报。
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本文介绍碳纳米管的发现、制备,以及它的性能和应用。
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第1章 半导体产业
1.1 引言
1.2 一个产业的诞生
1.3 固态时代
1.4 集成电路
1.5 工艺和产品趋势
1.6 半导体产业的构成
1.7 生产阶段
1.8 微芯片制造过程发展的
60年
1.9 纳米时代
习题
参考文献
第2章 半导体材料和化学品的特性
2.1 引言
2.2 原子结构
2.3 元素周期表
2.4 电传导
2.5 绝缘体和电容器
2.6 本征半导体
2.7 掺杂半导体
2.8 电子和空穴传导
2.9 半导体生产材料
2.10 半导体化合物
2.11 锗化硅
2.12 衬底工程
2.13 铁电材料
2.14 金刚石半导体
2.15 工艺化学品
2.16 物质的状态
2.17 物质的性质
2.18 压力和真空
2.19 酸、 碱和溶剂
2.20 化学纯化和清洗
习题
参考文献
第3章 晶体生长与硅晶圆制备
3.1 引言
3.2 半导体硅制备
3.3 晶体材料
3.4 晶体定向
3.5 晶体生长
3.6 晶体和晶圆质量
3.7 晶圆准备
3.8 切片
3.9 晶圆刻号
3.10 磨片
3.11 化学机械抛光
3.12 背面处理
3.13 双面抛光
3.14 边缘倒角和抛光
3.15 晶圆评估
3.16 氧化
3.17 包装
3.18 工程化晶圆(衬底)
习题
参考文献
第4章 晶圆制造和封装概述
4.1 引言
4.2 晶圆生产的目标
4.3 晶圆术语
4.4 芯片术语
4.5 晶圆生产的基础工艺
4.6 薄膜工艺
4.7 晶圆制造实例
4.8 晶圆中测
4.9 集成电路的封装
4.10 小结
习题
参考文献
第5章 污染控制
5.1 引言
5.2 污染源
5.3 净化间的建设
5.4 净化间的物质与供给
5.5 净化间的维护
5.6 晶片表面清洗
习题
参考文献
第6章 生产能力和工艺良品率
6.1 引言
6.2 良品率测量点
6.3 累积晶圆生产良品率
6.4 晶圆生产良品率的制约因素
6.5 封装和最终测试良品率
6.6 整体工艺良品率
习题
参考文献
第7章 氧化
7.1 引言
7.2 二氧化硅层的用途
7.3 热氧化机制
7.4 氧化工艺
7.5 氧化后评估
习题
参考文献
第8章 十步图形化工艺流程--从表面
制备到曝光
8.1 引言
8.2 光刻工艺概述
8.3 光刻十步法工艺过程
8.4 基本的光刻胶化学
8.5 光刻胶性能的要素
8.6 光刻胶的物理属性
8.7 光刻工艺: 从表面准备到曝光
8.8 表面准备
8.9 涂光刻胶(旋转式)
8.10 软烘焙
8.11 对准和曝光
8.12 先进的光刻
习题
参考文献
第9章 十步图形化工艺流程--从显影到最终检验
9.1 引言
9.2 硬烘焙
9.3 刻蚀
9.4 湿法刻蚀
9.5 干法刻蚀
9.6 干法刻蚀中光刻胶的影响
9.7 光刻胶的去除
9.8 去胶的新挑战
9.9 最终目检
9.10 掩模版的制作
9.11 小结
习题
参考文献
第10章 下一代光刻技术
10.1 引言
10.2 下一代光刻工艺的挑战
10.3 其他曝光问题
10.4 其他解决方案及其挑战
10.5 晶圆表面问题
10.6 防反射涂层
10.7 高级光刻胶工艺
10.8 改进刻蚀工艺
10.9 自对准结构
10.10 刻蚀轮廓控制
习题
参考文献
第11章 掺杂
11.1 引言
11.2 扩散的概念
11.3 扩散形成的掺杂区和结
11.4 扩散工艺的步骤
11.5 淀积
11.6 推进氧化
11.7 离子注入简介
11.8 离子注入的概念
11.9 离子注入系统
11.10 离子注入区域的杂质浓度
11.11 离子注入层的评估
11.12 离子注入的应用
11.13 掺杂前景展望
习题
参考文献
第12章 薄膜淀积
12.1 引言
12.2 化学气相淀积基础
12.3 CVD的工艺步骤
12.4 CVD系统分类
12.5 常压CVD系统
12.6 低压化学气相淀积(LPCVD)
12.7 原子层淀积
12.8 气相外延
12.9 分子束外延
12.10 金属有机物CVD
12.11 淀积膜
12.12 淀积的半导体膜
12.13 外延硅
12.14 多晶硅和非晶硅淀积
12.15 SOS和SOI
12.16 在硅上生长砷化镓
12.17 绝缘体和绝缘介质
12.18 导体
习题
参考文献
第13章 金属化
13.1 引言
13.2 淀积方法
13.3 单层金属
13.4 多层金属设计
13.5 导体材料
13.6 金属塞
13.7 溅射淀积
13.8 电化学镀膜
13.9 化学机械工艺
13.10 CVD金属淀积
13.11 金属薄膜的用途
13.12 真空系统
习题
参考文献
第14章 工艺和器件的评估
14.1 引言
14.2 晶圆的电特性测量
14.3 工艺和器件评估
14.4 物理测试方法
14.5 层厚的测量
14.6 栅氧化层完整性电学测量
14.7 结深
14.8 污染物和缺陷检测
14.9 总体表面特征
14.10 污染认定
14.11 器件电学测量
习题
参考文献
第15章 晶圆制造中的商业因素
15.1 引言
15.2 晶圆制造的成本
15.3 自动化
15.4 工厂层次的自动化
15.5 设备标准
15.6 统计制程控制
15.7 库存控制
15.8 质量控制和ISO 9000认证
15.9 生产线组织架构
习题
参考文献
第16章 形成器件和集成电路的
介绍
16.1 引言
16.2 半导体器件的形成
16.3 可替换MOSFET按比例缩小的挑战
16.4 集成电路的形成
16.5 Bi MOS
16.6 超导体
习题
参考文献
第17章 集成电路的介绍
17.1 引言
17.2 电路基础
17.3 集成电路的类型
17.4 下一代产品
习题
参考文献
第18章 封装
18.1 引言
18.2 芯片的特性
18.3 封装功能和设计
18.4 引线键合工艺
18.5 凸点或焊球工艺示例
18.6 封装设计
18.7 封装类型和技术小结
习题
参考文献
术语表