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ITO膜层的厚度不同,膜的导电性能和透光性能也不同。一般来说,在相同的工艺条件和性能相同的PET基底材料的情况下,ITO膜层越厚,PET-ITO膜的表面电阻越小,光透过率也相应的越小。
以下是两种不同的PET-ITO导电膜的参数:
高阻抗ITO导电膜(PET-ITO)
高阻抗ITO导电薄膜PET-ITO主要应用于移动通讯领域的触摸屏生产。
产品参数:
面电阻:300~500 Ω/□
面电阻均匀性:MD≤±3%,TD≤±6%
薄膜厚度:0.188±10%
线性度(MD):≤1.5%
全光线透过率:≥86%
表面硬度(铅笔硬度):≥3H
热稳定性:(R-R0)/R: ±20%
热收缩率:MD≤1.0%,TD≤0.8%
加热卷曲:≤10mm
低阻抗ITO导电膜(PET-ITO)
低阻抗ITO导电膜可用于对导电性能要求比较高的领域,如:用于薄膜太阳能电池的透明电极、电致变色器件的电极材料、薄膜开关等领域。
产品参数:
薄膜厚度:0.175±10 mm
雾度:<2%
宽度:406/360±2 mm
粘附:100/100
卷曲:≤10 mm
透过率:≥ 80%
表面电阻:90±15 Ω/□
面电阻均匀性:<7%
热收缩:MD≤1.3,TD≤1.0
热稳定性:
高温:80oC,120hr ≤1.3
低温:-40oC,120hr ≤1.3
热循环:-30oC—80oC ≤1.3
热/湿度: 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3
附:
ITO:
透明导电材料氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)
PET:
聚对苯二甲酸乙二醇酯 化学式为COC6H4COOCH2CH2O
英文名: polyethylene terephthalate,简称PET。
PET的特点:
①有良好的力学性能,冲击强度是其他薄膜的3~5倍,耐折性好。
②耐油、耐脂肪、耐稀酸、稀碱,耐大多数溶剂。
③具有优良的耐高、低温性能,可在120℃温度范围内长期使用,短期使用可耐150℃高温,可耐-70℃低温,且高、低温时对其机械性能影响很小。
④气体和水蒸气渗透率低,既有优良的阻气、水、油及异味性能。
⑤透明度高,可阻挡紫外线,光泽性好。
⑥无毒、无味,安全性好。2100433B
高阻抗ITO导电薄膜PET-ITO主要应用于移动通讯领域的触摸屏生产。产品参数:面电阻:300~500 Ω/□面电阻均匀性:MD≤±3%,TD≤±6%ITO薄膜厚度:0.188±10%线性度(MD):...
ITO靶材是高纯三氧化二铟和二氧化锡粉末按照重量比9/1或95/5(最常用)混合均匀后,加压烧结成陶瓷片状,再加工成靶材成品,用作溅射镀制TCO透明导电薄膜,由于氧化铟价格较高,所以I...
做导电阻挡层是吧,以前做薄膜存储器时用到这个东西了,氧化钛的大概电阻率是80Ω/m
ITO玻璃标准
玻璃基片质量标准 外形尺寸: 序号 检验项目 标准范围( mm) 1 长度 / 宽度 ±0.20 2 厚度 1.10±0.05 0.70±0.05 0.55±0.05 0.50±0.05 0.40±0.05 3 垂直度 ≤0.10% 4 磨边 STN/HTN 型 : 1.1mm 磨边宽度≤ 0.60 , R 面直径≤ 4.0 0.7mm 、0.55mm 磨边宽度≤ 0.50 , R 面直径≤ 3.0 磨边宽度最大处与最小处相差 <0.15 TN/TP 型 : 1.1mm 磨边宽度≤ 0.70 , R 面直径≤ 5.0 0.7mm 、0.55mm 磨边宽度≤ 0.60 , R 面直径≤ 4.0 磨边宽度最大处与最小处相差 <0.20 5 倒角 小角: c=1.50±0.50 大角: d=5.00±1.00 e=2.00±1.00 平面度: TN型、
银膜厚度对ITO-Ag-ITO-Glass玻璃性能的影响
采用射频磁控溅射和直流溅射方法在玻璃基片上低温制备ITO-Ag-ITO薄膜,测试了玻璃的透光度、方块电阻、电阻率,观察了因镀制Ag的膜层的时间的不同而引起的各项参数的变化规律,结果表明:随着Ag膜厚度的增加,试样的透过率急剧的下降;方块电阻开始降低的很快,但随着薄膜厚度的增加,电阻数值下降逐渐趋于缓慢;Ag膜的电阻率也随着厚度的增加而逐渐的降低。
ITO 薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等, 但使用最多的是反应磁控溅射法。
ITO膜层的厚度不同,膜的导电性能和透光性能也不同。一般来说,在相同的工艺条件和性能相同的PET基底材料的情况下,ITO膜层越厚,PET-ITO膜的表面电阻越小,光透过率也相应的越小。
高阻抗ITO导电薄膜PET-ITO主要应用于移动通讯领域的触摸屏生产。
产品参数:
面电阻:300~500 Ω/□
面电阻均匀性:MD≤±3%,TD≤±6%
薄膜厚度:0.188±10%
线性度(MD):≤1.5%
全光线透过率:≥86%
表面硬度(铅笔硬度):≥3H
热稳定性:(R-R0)/R: ±20%
热收缩率:MD≤1.0%,TD≤0.8%
加热卷曲:≤10mm
低阻抗ITO导电膜可用于对导电性能要求比较高的领域,如:用于薄膜太阳能电池的透明电极、电致变色器件的电极材料、薄膜开关等领域。
产品参数:
薄膜厚度:0.175±10% mm
雾度:<2%
宽度:406/360±2 mm
粘附:100/100
卷曲:≤10 mm
透过率:≥ 80%
表面电阻:90±15 Ω/□
面电阻均匀性:<7%
热收缩:MD≤1.3,TD≤1.0
热稳定性:
高温:80oC,120hr ≤1.3
低温:-40oC,120hr ≤1.3
热循环:-30oC—80oC ≤1.3
热/湿度: 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3