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暂态电压抑制器和齐纳二极管相似,但它更适用于峰值电流很高的应用场合。暂态电压可以是单向或双向的,额定电压从5V到几百伏不等。应用于275V 交流场合的暂态电压抑制器,即使在瞬时电流很高的情况下,也可以使其峰值浪涌电压低于600V。
VDR 在低压时电阻很高,高压时电阻很低。所以两端电压增加时,它会逐渐导通。VDR可以吸收很高的浪涌能量,这种器件一般以焦耳而不是瓦特来定额,因为浪涌能量一般是瞬间的。在瞬时电流很高的情况下,交流额定电压为 275V的VDR将会击穿,可以将电压限制在 710V左右。
电压钳位器件
它可以构成电压调节器或瞬态抑制器,可以用来限制电路两端的电压。电压钳位器件都是典型的半导体,如齐纳二极管、暂态电压抑制器、压敏电阻 (VDR)等。 齐纳二极管在正向导通时跟普通二极管一样,但是当它的反向电压高到一定程度时,会因击穿而导通。耐压小于 6V 的低压齐纳二极管的伏安特性曲线斜率较小,是逐渐导通的。高压齐纳二极管 (雪崩击穿二极管)耐压大于6V,它的伏安特性曲线斜率大,故导通迅速。齐纳二极管击穿时会产生一些噪声,我们通常在它两端并联一个小电容来消除噪声。
暂态电压抑制器和齐纳二极管相似,但它更适用于峰值电流很高的应用场合。暂态电压可以是单向或双向的,额定电压从5V到几百伏不等。应用于275V 交流场合的暂态电压抑制器,即使在瞬时电流很高的情况下,也可以使其峰值浪涌电压低于600V。
VDR 在低压时电阻很高,高压时电阻很低。所以两端电压增加时,它会逐渐导通。VDR可以吸收很高的浪涌能量,这种器件一般以焦耳而不是瓦特来定额,因为浪涌能量一般是瞬间的。在瞬时电流很高的情况下,交流额定电压为 275V的VDR将会击穿,可以将电压限制在 710V左右。2100433B
就是当电路中其它节点在可容许的电压范围内变化时,某点的电压值保持不变(比如二极管正负管脚之间)!
首先估计被测线路的大概电流。再把电流档调到大于估计值之上。(或者调到最大)用手拨动那个红色的旋转开关可以调动电流档位。调好后把被测线放入表的中间(一次只可以一条线,否则测试不到)根据指针的摆动读出数据...
1、直流电压的测量:测量前先将钳形表的档位旋钮调到直流电压的档位,将钳形表的表笔接到所需测量的设备电压上,注意红色表笔接电压正极,黑色表笔接电压负极。2、交流电压的测量:测量前先将钳形表的档位旋钮调到...
一种有源钳位的零电压软开关逆变器
本文讨论了一种有源钳位的零电压软开关逆变器,分析了它的工作原理,指出它能够减小后级逆变环节开关管的电压应力,仿真和实验结果都证实了这一点。
一种新型有源次级钳位全桥零电压零电流软开关PWM变换器
提出了一种新型的全桥移相零电压零电流变换器拓扑结构。新的变换器通过导通副边辅助电路中的钳位MOSFET,使得滤波电感两端电压被钳位为零,输出滤波电容的电压全部作用在原边漏感上,实现原边电流的迅速复位,从而创造出良好的滞后臂零电流开关(zero current switching,ZCS)条件。新拓扑在有效零电压零电流开关(zero voltage zero current switching,ZVZCS)范围,最大占空比等方面都优于其它拓扑结构。该文详细分析了新拓扑的工作过程和各项特性,并试制样机,验证了理论分析的正确性和新拓扑的有效性。理论分析和实验结果都证实了新拓扑非常适合中大功率场合应用。
钳位电压是指限制电压。这个限制的对象,可以是需要过压保护的对象,譬如开关电源中的MOS管,需要一个钳位网络来限制D、S极间电压,保护MOS不被损坏。
100W峰值脉冲功率(8 / 20μS) 反向工作电压:3.3V,5V,24V 低钳位电压 低漏电流 响应时间通常小于1纳秒 IEC61000-4-2 4级ESD保护+ 15kV(空气),+ 8kV(接触)IEC61000-4-4 4级EFT保护40A(5 / 50η)
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贴片压敏电阻1812系列3D图:
贴片压敏电阻1812系列功能:
工作电压范围宽,直流电压:24V 100V
无铅镀层可焊性好的特点
响应时间快(小于1ns)
低钳位电压
符合IEC 61000-4-2,61000-4-4,和61000-4-5标准
功能与特色:
符合AEC-Q200标准
符合RoHS标准
负载突降能量符合SAE规范J1113认证
无引线、表面贴装芯片式
“零”引线电感
可提供各种能量额定值
在不超过125℃的环境温度下无需温度降额
高峰值浪涌电流能力
薄型紧凑式工业标准芯片尺寸
具有双向箝位
非塑料或环氧树脂包装确保优于94V-0的阻燃等级
贴片压敏电阻1812系列型号:
TG1812ML240K、TG1812ML390K、TG1812ML470K、TG1812ML560K。
贴片压敏电阻1812系列型号规格以及参数:
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