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研究人员在最近出版的《科学》杂志上报告说,就像常规闪存一样,这种装置能够储存数据,并且在断电后不会丢失数据。但是与其硬硬的表兄不同,是一种柔软的,可折叠的闪存芯片.
闪存盘(又称优盘、U盘、电子盘、随身碟、记忆棒、手指),是一种用闪存来进行数据存储的介质,通常使用USB插头。通常闪存盘体积极小、重量轻、可热插拔也可以重复写入。面世后迅速普及并取代传统的软盘及软盘驱动器。在2006年11月时,市面上贩售的闪存盘的存储容量介于32MB到64GB之间[1]。容量大小因为闪存密度而被限制,容量越大,则每MB的成本可能因为较贵的的组件而提高。有时读卡器也会被归类为闪存盘。这类设备的记忆芯片并不是内置的,而是可以抽换的存储卡。
相较于其他可携式存储设备(尤其是软盘片),闪存盘有许多优点:较不占空间,通常操作速度较快(USB1.1标准),能存储较多数据,并且可能较可靠(由于没有机械设备),在读写时断开而不会损坏硬件(软盘在读写时断开马上损坏),只会丢失数据。这类的磁盘使用USB大量存储设备标准,在近代的操作系统如Linux、Mac OS X、Unix与Windows中皆有内置支持。
闪存盘通常使用塑胶或金属外壳,内部含有一张小的印刷电路板,让闪存盘尺寸小到像钥匙圈饰物一样能够放到口袋中,或是串在颈绳上。只有USB连接头突出于保护壳外,且通常被一个小盖子盖住。大多数的闪存盘使用标准的Type-A USB接头,这使得它们可以直接插入个人电脑上的USB端口中。
要访问闪存盘的数据,就必须把闪存盘连接到电脑;无论是直接连接到电脑内置的USB控制器或是一个USB集线器都可以。只有当被插入USB端口时,闪存盘才会启动,而所需的电力也由USB连接供给。然而,有些闪存盘(尤其是使用USB 2.0标准的高速闪存盘)可能需要比较多的电源,因此若接在像是内置在键盘或屏幕的USB集线器,这些闪存盘将无法工作,除非将它们直接插到控制器(也就是电脑本身提供的USB端口)或是一个外接电源的USB集线器上.
由于能够储存大量数据,并且在切断电源的情况下数据也不会丢失,闪存如今正受到人们的追捧。然而对于某些应用而言——例如被嵌入信用卡和ID标牌的无线电频率识别发射机应答器,硅芯片未免刚性太强、体积太大。据美国《科学》杂志在线新闻报道,如今,通过将线路植入柔韧的半导体塑料,研究人员有望开发柔软闪存解决这一问题。
W25Q32BV-闪存
W25Q32BV Publication Release Date: October 04,2013 - 1 - Revision I 3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI W25Q32BV - 2 - Table of Contents 1. GENERAL DESCRIPTION ............................................................................................................... 5 2. FEATURES ........................................................................................
耐热70℃柔软绝缘级、柔软护层级PVC电缆料通过鉴定
北京市塑料一厂研制的耐热70℃柔软绝缘级、护层级PVC电缆料于今年四月十八日通过技术鉴定。该材料在额定电压750/450V及以下的PVC绝缘电缆中,主要用于连接软电缆(电线)。该材料耐热温度超过70℃,全面性能达到并超过电线电缆用软PVC塑料国家标准(GB8815-88)中JR-70,HR-70的各项技术指标。该材料挤线工艺性好,线缆表面光洁、色泽鲜艳,能满足其外观质量要求,用其制成的电线电缆的技术指标符合电线电缆国标(GB
NOR型与NAND型闪存的区别很大,打个比方说,NOR型闪存更像 内存,有独立的地址线和数据线,但价格比较贵,容量比较小;而NAND型更像硬盘,地址线和数据线是共用的I/O线,类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般,而且NAND型与NOR型闪存相比,成本要低一些,而容量大得多。因此,NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合,通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行,手机就是使用NOR型闪存的大户,所以手机的"内存"容量通常不大;NAND型闪存主要用来存储资料,我们常用的闪存产品,如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。这里我们还需要端正一个概念,那就是闪存的速度其实很有限,它本身操作速度、频率就比内存低得多,而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此,不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口,甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低,这和它的架构设计和接口设计有关,它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性),它的性能特点也很像硬盘:小数据块操作速度很慢,而大数据块速度就很快,这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。
闪存存取比较快速,无噪音,散热小。用户空间容量需求量小的,打算购置的话可以不考虑太多,同样存储空间买闪存。如果需要容量空间大的(如500G),就买硬盘,较为便宜,也可以满足用户应用的需求。
支持闪存格式是指该读卡器所能正确读写的闪存卡的格式,例如CF卡、SM卡、SD卡、MMC卡、MS卡、MS Pro卡、XD卡、Microdrive等等。支持的格式越多,可以使用的闪存卡的类型越多,使用起来就越方便,性价比就越高。
相关术语:闪存卡类型
要讲解闪存的存储原理,还是要从EPROM和EEPROM说起。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去,然后重新写入。其基本单元电路(存储细胞),常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路,简称为FAMOS。它与MOS电路相似,是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区,通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中,与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0,浮空栅极带电后(譬如负电荷),就在其下面,源极和漏极之间感应出正的导电沟道,使MOS管导通,即表示存入0。若浮空栅极不带电,则不形成导电沟道,MOS管不导通,即存入1。
EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似,它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅,前者称为第一级浮空栅,后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极,使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压,第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应,使电子注入第一浮空栅极,即编程写入。若使VG为负电压,强使第一级浮空栅极的电子散失,即擦除。擦除后可重新写入。
闪存的基本单元电路,与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同,在第二级浮空栅加以正电压,使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应,把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除,因此各单元的源极联在一起,这样,快擦存储器不能按字节擦除,而是全片或分块擦除。 到后来,随着半导体技术的改进,闪存也实现了单晶体管(1T)的设计,主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅,
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0,无电子为1。
闪存就如同其名字一样,写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归"1"。
写入时只有数据为0时才进行写入,数据为1时则什么也不做。写入0时,向栅电极和漏极施加高电压,增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来,电子就会突破氧化膜绝缘体,进入浮动栅。
读取数据时,向栅电极施加一定的电压,电流大为1,电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态(数据为1)下,在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压,源极和漏极之间由于大量电子的移动,就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态(数据为0)下,沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后,很难对沟道产生影响。