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石墨电弧法

石墨电弧法是用石墨电极在一定气氛中放电,从阴极沉积物中收集碳纳米分子材料的方法。纳米级结构材料简称为纳米材料,是指其结构单元的尺寸介于1纳米~100纳米范围之间。由于它的尺寸已经接近电子的相干长度,它的性质因为强相干所带来的自组织使得性质发生很大变化。 

石墨电弧法基本信息

石墨电弧法简介

纳米材料具有一定的独特性,当物质尺度小到一定程度时,则必须改用量子力学取代传统力学的观点来描述它的行为,当粉末粒子尺寸由10微米降至10纳米时,其粒径虽改变为1000倍,但换算成体积时则将有10的9次方倍之巨,所以二者行为上将产生明显的差异。纳米粒子异于大块物质的理由是在其表面积相对增大,也就是超微粒子的表面布满了阶梯状结构。2100433B

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石墨电弧法造价信息

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石墨

  • 型号:WDT
  • 湘科
  • 13%
  • 湘潭市仪器仪表有限公司
  • 2022-12-07
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石墨

  • .. 材质:聚炳烯腈
  • kg
  • 13%
  • 吉林市双鹏碳材料科技开发有限公司
  • 2022-12-07
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石墨

  • 品种:石墨线;型号:YTG-SMX;规格:20×20mm
  • m
  • 宇恬
  • 13%
  • 沈阳市韩氏兴防雷器材有限公司
  • 2022-12-07
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石墨线

  • 品种:石墨线;规格:25mm;型号:JL-TX-25;系列:接地材料及其它;
  • m
  • 捷力通
  • 13%
  • 山西捷力通防雷科技有限公司
  • 2022-12-07
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石墨线

  • 品种:石墨线;规格:Ф20mm;型号:JL-TX-20;系列:接地材料及其它;
  • m
  • 捷力通
  • 13%
  • 山西捷力通防雷科技有限公司
  • 2022-12-07
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石墨

  • kg
  • 韶关市2010年4月信息价
  • 建筑工程
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石墨

  • kg
  • 韶关市2010年4月信息价
  • 建筑工程
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橡胶圈

  • DN200
  • 惠州市2021年9月信息价
  • 建筑工程
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橡胶圈

  • DN400
  • 惠州市2021年9月信息价
  • 建筑工程
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橡胶圈

  • DN600
  • 惠州市2021年9月信息价
  • 建筑工程
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石墨

  • 专用于石墨烯感应的板卡,稳定,适宜程序二次开发
  • 2个
  • 1
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2022-02-23
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石墨

  • Bare conductive Touch Board专用于石墨烯感应的板卡,稳定,适宜程序二次开发
  • 2个
  • 3
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-10-25
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石墨聚苯保温板

  • 石墨聚苯保温板
  • 30000m²
  • 1
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2015-04-13
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电弧喷铝

  • 150μm
  • 2000m²
  • 3
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2022-10-18
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电弧

  • YLEB-35cal
  • 2179套
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2015-09-09
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石墨电弧法常见问题

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石墨电弧法文献

400 Hz低压阻性小电流电弧对银石墨触头材料的侵蚀研究 400 Hz低压阻性小电流电弧对银石墨触头材料的侵蚀研究

400 Hz低压阻性小电流电弧对银石墨触头材料的侵蚀研究

格式:pdf

大小:1.2MB

页数: 5页

利用研发的小容量可变频ASTM触头材料电性能模拟测试系统和电光分析天平完成了低压、交流400Hz和50 Hz、阻性小电流下AgC、AgCdO、AgNi和AgW触头材料的电性能对比试验和材料称重,用SEM和EDAX测量与分析了银石墨触头材料的表面形貌与微区组份。研究表明:400 Hz时,电弧对电触头材料的烧损形式是停滞式,而非50 Hz时的漩流式;同时,触头烧蚀面积较50 Hz减小,表层烧蚀更严重。在400 Hz、小电流下,对比不同第二组元银基合金触头材料的抗熔焊性能,银石墨触头材料的最弱。

氩气保护电弧焊在石墨化炉铝母线上的应用 氩气保护电弧焊在石墨化炉铝母线上的应用

氩气保护电弧焊在石墨化炉铝母线上的应用

格式:pdf

大小:1.2MB

页数: 未知

1.前言随着科学技术的发展和整流技术的应用,炭素工业的石墨化电炉、铝电解及高级耐火材料的冶炼等使用的电炉的变压器容量越来越大,而且输出电压低,电流大,为了降低母线电阻,铝母线电流密度一般要求在0.6A/mm~2左右,这样需要的铝母线截面很大,母线接头要求焊接,尽量不用螺栓压接,同时焊缝要牢固不氧化,焊接处的电阻要小于或者等于母线电阻。要想达到以上要求,仍然采用电焊、气焊、碳弧焊是达不到目的,必须采用新的焊接技术。本文主要论述铝母线氩弧焊。

粉末电弧法简介

粉末电弧法又称石墨电极小孔法(}ralhnc clecirodc" lime-hole methrxl)几对粉木状试样作发射光谱分析的一种方法。

分析方法

将试样装人石墨电极小孔,以直流或交流电弧光源激发,经过摄谱后.可进行兀素的定性或定量分析。 2100433B

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石墨提纯方法

石墨深加工产业的前提是提纯,石墨提纯是一个复杂的物化过程,其提纯方法主要有浮选法、碱酸法、氢氟酸法、氯化焙烧法、高温法。

石墨浮选法

浮选是一种常用而重要的选矿方法,石墨具有良好的天然可浮性,基本上所有的石墨都可以通过浮选的方法进行提纯,为保护石墨的鳞片,石墨浮选大多采用多段流程。石墨浮选捕收剂一般选用煤油,用量为100~200g/t,起泡剂一般采用松醇油或丁醚油,用量为50~250g/t。

大鳞片石墨的价值及应用均比细鳞片石墨大得多,而且一旦破坏就无法恢复。在石墨选矿中保护石墨的大鳞片是选矿过程中不可忽视的问题。 因石墨具有良好的天然可浮性,浮选法可使石墨的品位提高到80%~90%,甚至可达95%左右。该方法的最大优点是所有提纯方案中能耗和试剂消耗最少、成本最低的一种。但呈极细状态夹杂在石墨鳞片中的硅酸盐矿物和钾、钙、钠、镁、铝等元素的化合物,用磨矿的方法不能将其单体解离,而且不利于保护石墨大鳞片。因此浮选法只是石墨提纯的初级手段,若要获得含碳量99%以上的高碳石墨,必须用其他方法提纯。

石墨碱酸法

碱酸法包括两个反应过程:碱熔过程和酸浸过程。碱熔过程是在高温条件下,利用熔融状态下的碱和石墨中酸性杂质发生化学反应,特别是含硅的杂质(如硅酸盐、硅铝酸盐、石英等),生成可溶性盐,再经洗涤去除杂质,使石墨纯度得以提高。酸浸过程的基本原理是利用酸和金属氧化物杂质反应,这部分杂质在碱熔过程中没有和碱发生反应。使金属氧化物转化为可溶性盐,再经洗涤使其与石墨分离,经过碱熔和酸浸相结合对石墨提纯有较好的效果。

多种碱性物质均可以除去石墨杂质,碱性越强,提纯效果越好。碱酸法多用熔点小、碱性强的NaOH。酸浸过程所用的酸可以是HCl、H2SO4、HNO3或者是它们之间的混合使用,其中HCl应用较多。

对于一些含硅较高的石墨,碱熔法提纯石墨还可以实现对硅的综合回收利用。碱熔酸浸后的溶液为酸性,溶液中的硅杂质转变为硅酸,加入一定量的明矾即可将硅酸提取出来,再经900℃的高温煅烧,可得到纯的二氧化硅。

碱酸法是我国石墨提纯工业生产中应用最为广泛的方法,具有一次性投资少、产品品位较高、适应性强等特点,以及设备简单、通用性强的优点。不足是需要高温煅烧,能量消耗大,工艺流程长,设备腐蚀严重,石墨流失量大以及废水污染严重,因而利用石墨提纯废水制取聚合氯化硅酸铝铁等综合利用技术显得十分重要。

石墨氢氟酸法

氢氟酸是强酸,几乎可以与石墨中的任何杂质发生反应,而石墨具有良好的耐酸性,特别是可以耐氢氟酸,决定了石墨可以用氢氟酸进行提纯。氢氟酸法的主要流程为石墨和氢氟酸混合,氢氟酸和杂质反应一段时间产生可溶性物质或挥发物,经洗涤去除杂质,脱水烘干后得到提纯石墨。

氢氟酸与Ca、Mg、Fe等金属氧化物反应生成沉淀, 产生的 H2SiF6溶于溶液,又可除去Ca、Mg、Fe等杂质。 氢氟酸有剧毒,对环境污染严重,配合其他酸对石墨进行提纯,可以有效地减少氢氟酸用量。氢氟酸法提纯石墨具有工艺流程简单、产品品位高、成本相对较低、对石墨产品性能影响小的优点。但是氢氟酸有剧毒,在使用过程中必须具有安全保护措施,对产生的废水必须经过处理后方能向外排放,否则将会对环境造成严重污染。

石墨氯化焙烧法

氯化焙烧法是将石墨和一定的还原剂混在一起,在特定的设备和气氛下高温焙烧,物料中有价金属转变成气相或凝聚相的金属氯化物,而与其余组分分离,使石墨纯化的工艺过程。

石墨中的杂质在高温条件下,可以分解成熔沸点较高的氧化物,如 SiO2、Al2O3、Fe2O3、CaO、MgO。这些氧化物在一定高温和气氛下,通入氯气后,金属氧化物和氯气反应生成熔沸点较低的氯化物。于是在较低的温度下,这些氯化物可气化而逸出,实现与石墨分离,使石墨得以提纯。

氯化焙烧法的优势在于节能、提纯效率高(>98%)、回收率高,但也存在氯气有毒、严重腐蚀性和严重污染环境等问题。在工艺上生产石墨的纯度有限,工艺稳定性不好,影响了氯化法在实际生产中的应用,还有待进一步改善和提高。

石墨高温提纯法

石墨的熔点为3850℃±50℃,是自然界熔沸点最高的物质之一,远远高于杂质硅酸盐的沸点。利用它们的熔沸点差异,将石墨置于石墨化的石墨坩埚中,在一定的气氛下,利用特定的仪器设备加热到2700℃,即可使杂质气化从石墨中逸出,达到提纯的效果。该技术可以将石墨提纯到99.99%以上。

高温法提纯石墨影响因素较多:①石墨原料杂质含量对高温法提纯的效果影响最大,原料的杂质含量不同,所得产品的灰分就不同,且含碳量高的石墨提纯效果更好,高温法常以浮选法或碱酸法提纯后含碳量达到99%及以上的石墨为原料;②石墨坩埚的含碳量也是影响提纯效果的重要因素,坩埚灰分低于石墨灰分,有助于石墨中的灰分逸出;③采用大电流,石墨升温快,有利于石墨纯化,最好使用高功率电极的原料,并经2800℃高温处理;④石墨粒度对提纯效果也有一定的影响。

高温法提纯石墨,产品质量高,含碳量可达99.995%以上,这是高温法的最大特点,但同时耗能大、对设备要求极高,需要专门进行设计,投资大,对提纯的石墨原料也有一定的要求,只有应用于国防、航天、核工业等高科技领域的石墨才用此方法进行提纯。

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硅化石墨制法

硅化石墨的生产方法有化学气相沉积法(CVD),化学气相反应法(CVR)及液硅渗透反应法等3种方法。

气相沉积法

使含硅、碳的气体通过高温石墨基体发生热分解,生成SiC沉积在石墨基体表面。原料为三氯甲基硅烷(CH3SiC3)、四氯化硅、氢、硅蒸气等。沉积温度范围较宽,从1175℃到1775℃。用此法生成的SiC层非常致密,厚薄均匀,一般厚度约为0.1~0.3mm。但SiC与石墨基体的结合为纯机械结合,结合力较弱,在温度急变时SiC层易发生龟裂、剥落。

气相反应法

原料为焦炭粉和过量的石英砂或无定形硅粉,当加热到2000℃时发生化学反应,生成SiO蒸气。SiO蒸气和碳基体反应生成SiC。SiC层和碳基体二者无明显界面,结合很牢固,在温度骤变及高负荷情况下不会脱落,但CVR法是SiO气体渗入碳基体内进行反应,因此,仍然保留了碳基体的多孔性,在用作密封材料时,需用树脂浸渍或CVD法进行孔隙的填充。

液硅渗透法

此法也属于CVR的一种。在真空条件下,加热到1700-1900℃,将碳基体直接浸入熔融的硅液中,液硅逐步渗入碳基体内部,发生反应生成SiC。原料为99.9999%的纯硅。SiC层厚度可达3.5mm。反应后,碳基体内含有约17%的游离硅填充基体的孔隙中,使基体变得致密不透。但游离硅的存在降低了硅化石墨的抗腐蚀性能和高温抗氧化性能。

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