四氟化碳
四氟化碳，又称为四氟甲烷、Freon-14及R 14，是一种卤代烃(化学式:CF4)。它既可以被视为一种卤代烃、卤代甲烷、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。
零下198 °C时，四氟化碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。
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四氟化碳，又称为四氟甲烷、Freon-14及R 14，是一种卤代烃(化学式:CF4)。它既可以被视为一种卤代烃、卤代甲烷、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。
零下198 °C时，四氟化碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。
四氟化碳有时会用作低温冷却剂。它可用于电路板的制造，以及制造绝缘物质和半导体。它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。
在实验室内，四氟化碳可由以下的反应获取:
SiC+ 2F2 → CF4 +Si也可以由二氧化碳、一氧化碳或光气与四氟化硫的氟化作用来获取。商业上可由氟与二氯二氟甲烷或氯三氟甲烷的反应制备。另一个方法是用碳电极电解氟化物MF、MF2。
四氟化碳，像其他氟代烃一样，是十分稳定的，这是因为C-F键很强，键能为515 kJ.mol(参见环境影响)。因此不与酸及氢氧化物反应，但是会跟碱金属发生爆炸性反应。热分解会产生剧毒的气体(碳酰氟、一氧化碳，如果有水存在，还会产生腐蚀性的氟化氢)。
四氟化碳微溶于水(约20 mg.l)，但可与乙醇、乙醚及石油醚混溶。
四氟化碳(Carbon tetrafluoride),分子式是CF4,亦称全氟化碳
中文名称:四氟化碳
中文别名:四氟甲烷
英文名称:carbon tetrafluoride
英文别名:Tetrafluoromethane
CAS:75-73-0
EINECS:200-896-5
分子式:CF4
分子量:88
物化性质:- 熔点:-184℃
相对密度:1.603
溶解性:不溶于水
用途:用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺，也用作激光气体及制冷剂
熔点-183.6℃，
沸点-128.1℃，
液体密度(-128℃)1.603g/cm3，
液体折光率(-173℃)1.515，
固体转变点72.2K，
临界温度-45.67℃，
临界压力3.73MPa，
临界密度7.1dm3/mol，
临界压缩因子:0.279
van der Waals面积(cm·mol):4.600×10
an der Waals体积(cm·mol):27.330
Lennard-Jones参数(A):4.5306
Lennard-Jones参数(K):158.90
气相标准熵(J·mol·K) :261.40
气相标准热熔(J·mol·K):61.05
标准摩尔生成焓-932.31 kJ/mol，
标准摩尔生成熵261.04J/(mol﹒K)，
标准摩尔自由能-929.84 kJ/mol，
标准摩尔生成自由能-887.41 kJ/mol。
市场价格:
约260元/千克
1926年，首次制得纯净的四氟化碳。
相对分子量88.00。在常温下，四氟化碳是无色、无臭、不燃的易压缩性气体，挥发性较高，是最稳定的有机化合物之一，不易溶于水。在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，仅在碳弧温度下缓慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比)，然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生有毒氟化物。
四氟化碳是一种造成温室效应的气体。它非常稳定，可以长时间停留在大气层中，是一种非常强大的温室气体。它在大气中的寿命约为50,000年，全球增温(全球暖化)系数是6,500(二氧化碳的系数是1)。虽然结构与氟氯烃相似，但四氟化碳不会破坏臭氧层。这是因为导致臭氧层破坏的是氟氯烃中的氯原子，它被紫外线辐射击中时会分离。碳-氟键比较强，因此分离的可能性比较低。
1.由碳与氟反应，或一氧化碳与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，或二氟二氯甲烷与氟化氢反应，或四氯化碳与氟化银反应，或四氯化碳与氟化氢反应，都能生成四氟化碳。四氯化碳与氟化氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分，最后经精馏而得成品。
2.预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应，反应放热后，氟开始和碳化硅进行反应，通入等体积的干燥氮气以稀释氟气，使反应继续进行，生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化后，将其通过装有氢氧化钠溶液的洗气瓶除去四氟化硅，随后通过硅胶和五氧化二磷干燥塔得到最终产品。
3.以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中，缓缓通入高浓氟气，并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。产品经除尘，碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，除去O2、N2、H2，得到高纯CF4。
1．能量比较高。具有高储存能量密度，目前已达到460-600Wh/kg，是铅酸电池的约6-7倍； 2．使用寿命长，使用寿命可达到6年以上， 3．额定电压高（单体工作电压为3.7V或3.2V），约等于3...
用于氟硅酸及氟化铅的制取，也用作水泥和人造大理石的硬化剂，有机硅化合物的合成材料。危害危险健康危害： 本品对眼、皮肤、粘膜和呼吸道有严重损害。局部腐蚀作用强。严重中毒者可致肺炎、肺水肿。燃爆危险： 本...
四氟化碳是目前微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-H2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45:1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。
在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。
由于化学稳定性极强，CF4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。
四氟化碳的溶氧性很好，因此被科学家用于超深度潜水实验代替普通压缩空气。目前已在老鼠身上获得成功，在275米到366米的深度内，小白鼠仍可安全脱险。
4.1 包装，标志及贮运
4.1.1 四氟化碳的充装及贮运应符合《气瓶安全监察规程》的相关规定。
4.1.2 包装四氟化碳的气瓶应符合GB 5099，GB/T 11640 的规定。
4.1.3 推荐使用内表面处理的气瓶。推荐使用CGA350 钢阀。
4.1.4 应防止瓶口被污染和泄露。
4.1.5 四氟化碳的充装应符合GB14194的相关规定。
4.1.6 气瓶颜色标志应符合GB7144的规定。
4.1.7 运输时，四氟化碳气瓶上应附有GB 190 中制定的标志。
4.1.8 包装容器上应标明"电子四氟化碳"字样。
4.1.9 四氟化碳的充装量的质量计。
4.1.10四氟化碳出厂时应附有质量合格证，其内容至少应包括:
---产品名称，生产厂名称
---生产日期或批号，充装质量(KG)
---保准号及技术指标，检验员号。
4.1.11 四氟化碳成品应存放在阴凉，干燥，通风的库房内，严禁曝晒，远离热源。
吸入四氟化碳的后果与浓度有关，包括头痛、恶心、头昏眼花及心血管系统的破坏(主要是心脏)。长时间接触会导致严重的心脏破坏。
四氟化碳的密度比较高，可以填满地面空间范围，在不通风的地方会导致窒息。
四氟化碳喷淋水洗塔的设计计算与应用
四氟化碳喷淋水洗塔的设计计算与应用
为满足年产100 t四氟化碳的需要,须对水洗塔进行设计,用以除去混合气中的酸性杂质。实际运行证明,喷淋水洗塔可以满足四氟化碳生产的需要,有效地保证了产品的酸度。
四氟化碳，又称为四氟甲烷。它既可以被视为一种卤代烃、卤代甲烷、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。所以在电子行业中制作线路板蚀刻过程中，需要使用四氟化碳。在蚀刻过程中，用四氟化碳将多余的铜皮腐蚀掉，附有油墨的电路上铜皮得以保留，之后再用四氟化碳进行清洗电路上的油墨再烘干，等工艺。
在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。
由于化学稳定性极强，CF4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。
四氟化碳的溶氧性很好，因此被科学家用于超深度潜水实验代替普通压缩空气。目前已在老鼠身上获得成功，在275米到366米的深度内，小白鼠仍可安全脱险。
四氟化碳是目前微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体，也可以广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅，磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗，太阳能电池的生产，铝合金门窗制造、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态，印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。同时，由于四氟化碳的化学稳定性，四氟化碳可用于金属冶炼，例如：铜、不锈钢，碳钢、铝、蒙乃尔等；还可用于塑料行业；如：合成橡胶、氯丁橡胶、聚氨基甲酸乙酯。
在使用四氟化碳的同时，也要注意使用四氟化碳的注意事项，如在泄漏时，应迅速撤离泄漏污染区人员至上风处，并进行隔离，严格限制出入。建议应急处理人员戴自给正压式呼吸器，穿一般作业工作服。尽可能切断泄漏源。合理通风，加速扩散。如有可能，即时使用。漏气容器要妥善处理，修复、检验后再用。
新闻来源： 今日气市
联系方式：
用四氟化碳和乙烯为起始原料合成。可由三甲基三(3-氟丙基)环三硅氧烷和少量四甲基四乙烯基环四硅氧烷(含少量封端剂)在催化剂存在下，进行催化聚合来制取。
用四氟化碳和乙烯为起始原料合成。可由三甲基三(3-氟丙基)环三硅氧烷和少量四甲基四乙烯基环四硅氧烷(含少量封端剂)在催化剂存在下，进行催化聚合来制取。
四氟化碳在电子行业的应用