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射频与微波晶体管放大器基础

《中国致公出版社》是由(美)Inder J. Bahl 编写，电子工业出版社出版的一本书籍。

射频与微波晶体管放大器基础基本信息

书名射频与微波晶体管放大器基础
作者(美)Inder J. Bahl
译者
出版社电子工业出版社

射频与微波晶体管放大器基础内容简介

书籍 通信书籍 《射频与微波晶体管放大器基础》全面讲解了射频与微波晶体管放大器的各种类型，包括低噪声、窄带、宽带、线性、高功率、高效率、高压放大器，以及离散、单片集成与混合集成放大器。主要的研究主题包括晶体管建模、分析、设计、表征、测量、封装、热设计及制造技术。本书特别强调理论与实践的结合，读者将了解并学会解决与放大器相关的各类设计问题，从放大器的匹配网络设计、偏置电路设计到稳定性分析等。超过160道的习题有助于提高读者对基本的放大器和电路设计技巧的掌握。 《射频与微波晶体管放大器基础》注重理论、联系实践，可作为高等院校电子信息工程专业的高年级本科生或研究生的教材，也可作为广大教师、科研工作者和从事相关工作的专业技术人员的参考手册。

射频与微波晶体管放大器基础造价信息

市场价
信息价
询价

信号放大器

规格型号：
TX3920
价格行情：
材料单位：
只
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
深圳市泰和安科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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射频放大器

规格型号：
迈威MW-BLE-L 射频放大器
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
深圳中亚艺能科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

查看价格

射频放大器

规格型号：
MW-BLE-L21 已被MW-BLE-L32代替
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
深圳迈威有线电视器材有限公司(营销部)
报价时间：
2022-12-06

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视频放大器

规格型号：
品种:视频放大器;备注:一路视频放大器;
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
大华
材料税率：
13%
供应商：
哈尔滨长滢伟业科技有限公司
报价时间：
2022-12-06

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视频放大器

规格型号：
AD5302 同轴电缆视频放大器(1入2出)最大可放大3000米
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
深圳市安信特电子技术有限公司
报价时间：
2022-12-06

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拉曼放大器(RAMAN)

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台
材料税率：
地区时间：
广东2021年2季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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拉曼放大器(RAMAN)

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台
材料税率：
地区时间：
广东2020年2季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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拉曼放大器(RAMAN)

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台
材料税率：
地区时间：
广东2019年4季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

查看价格

拉曼放大器(RAMAN)

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台
材料税率：
地区时间：
广东2022年3季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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拉曼放大器(RAMAN)

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台
材料税率：
地区时间：
广东2022年1季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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射频放大器

规格型号：
射频放大器
需求量：
6个
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2017-10-19

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射频放大器

规格型号：
迈威MW-BLE-L 射频放大器
需求量：
2075台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-05-08

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射频放大器

规格型号：
A.承包单位须选用具有入网证的产品B.下行路径Return Path放大器频率范围 : 47-862MHZ 5-30MHZ回输路径增益 : >15dB,可调均衡器 : 0-10dB,可调
需求量：
20个
报价数：
1
材料品牌：
科林、迈威、海视
材料档次：
高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2017-10-18

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射频放大器

规格型号：
如图
需求量：
1台
报价数：
3
材料品牌：
无品牌要求
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2020-03-16

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射频放大器

规格型号：
详见图纸
需求量：
1.1台
报价数：
1
材料品牌：
迈威
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2016-02-28

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射频与微波晶体管放大器基础目录

《射频与微波晶体管放大器基础》 第1章引言 1.1 晶体管放大器 1.2 晶体管放大器的早期历史 1.3 晶体管放大器的优点 1.4 晶体管 1.5 放大器的设计 1.6 放大器制造技术 1.7 放大器的应用 1.8 放大器的成本 1.9 目前的趋势 1.10 本书的结构 参考文献 第2章线性网络分析 2.1 阻抗矩阵 2.2 导纳矩阵 2.3 abcd参数 2.4 s参数 2.4.1 单端口网络的s参数 2.5 双端口参数之间的关系 .参考文献 习题 第3章放大器特性和定义 3.1 带宽 3.2 功率增益 3.3 输入和输出电压驻波比 3.4 输出功率 3.5 功率附加效率 3.6 交调失真 3.6.1 ip3 3.6.2 acpr 3.6.3 evm 3.7 谐波功率 3.8 峰均比 3.9 合成器效率 3.10 噪声特性 3.10.1 噪声系数 3.10.2 噪声温度 3.10.3 噪声带宽 3.10.4 最佳噪声匹配 3.10.5 等噪声系数圆和等增益圆 3.10.6 输入和噪声同时匹配 3.11 动态范围 3.12 多级放大器特性 3.12.1 多级放大器ip3 3.12.2 多级放大器pae 3.12.3 多级放大器噪声系数 3.13 栅极和漏极的推移因子 3.14 放大器的温度系数 3.15 平均失效时间 参考文献 习题 第4章晶体管 4.1 晶体管类型 4.2 硅双极型晶体管 4.2.1 关键性能系数 4.2.2 硅双极型晶体管的高频噪声特性 4.2.3 功率特性 4.3 gaas mesfet 4.3.1 小信号等效电路 4.3.2 性能系数 4.3.3 mesfet器件的高频噪声特性 4.4 异质结场效应晶体管 4.4.1 hemt器件的高频噪声性能 4.4.2 磷化铟phemt器件 4.5 异质结双极型晶体管 4.5.1 hbt的高频噪声特性 4.5.2 sige异质结双极型晶体管 4.6 mosfet 参考文献 习题 第5章晶体管模型 5.1 晶体管模型的类型 5.1.1 基于物理学/电磁学理论的模型 5.1.2 解析或混合模型 5.1.3 以测量结果为基础的模型 5.2 mesfet模型 5.2.1 线性模型 5.2.2 非线性模型 5.3 phemt模型 5.3.1 线性模型 5.3.2 非线性模型 5.4 hbt模型 5.5 mosfet模型 5.6 bjt模型 5.7 晶体管模型缩放 5.8 源牵引和负载牵引数据 5.8.1 理论负载牵引数据 5.8.2 测试功率和pae的源牵引和负载牵引 5.8.3 测试ip3的源和负载阻抗 5.8.4 源和负载阻抗尺度变化 5.9 依赖温度的模型 参考文献 习题 第6章匹配电路的元件 6.1 阻抗匹配元件 6.2 传输线匹配元件 6.2.1 微带线 6.2.2 共面线 6.3 集总元件 6.3.1 电容 6.3.2 电感 6.3.3 电阻 6.4 键合线电感 6.4.1 单线 6.4.2 地平面效应 6.4.3 多路线 6.4.4 线允许的最大电流 6.5 宽带电感 参考文献 习题 第7章阻抗匹配技术 7.1 单端口和双端口网络 7.2 窄带匹配技术 7.2.1 集总元件匹配技术 7.2.2 传输线匹配技术 7.3 宽带匹配技术 7.3.1 增益-带宽限制 7.3.2 集总元件宽带匹配技术 7.3.3 传输线宽带匹配网络 7.3.4 巴伦型宽带匹配技术 7.3.5 t形桥式匹配网络 参考文献 习题 第8章放大器分类及分析 8.1 放大器的分类 8.2 a类放大器的分析 8.3 b类放大器的分析 8.3.1 单端式b类放大器 8.3.2 推挽式b类放大器 8.3.3 过激励b类放大器 8.4 c类放大器的分析 8.5 e类放大器的分析 8.6 f类放大器的分析 8.7 不同种类放大器的比较 参考文献 习题 第9章放大器设计方法 9.1 放大器的设计 9.1.1 晶体管类型和制造工艺 9.1.2 晶体管尺寸的选择 9.1.3 设计方法 9.1.4 电路拓扑 9.1.5 电路分析和优化 9.1.6 稳定性和热分析 9.2 放大器设计技术 9.2.1 负载线法 9.2.2 低损耗匹配设计技术 9.2.3 非线性设计方法 9.2.4 taguchi实验法 9.3 匹配网络 9.3.1 电抗/电阻性的匹配网络 9.3.2 群匹配技术 9.4 放大器设计的例子 9.4.1 低噪放设计 9.4.2 最大增益放大器设计 9.4.3 功放设计 9.4.4 多级驱动放大器的设计 9.4.5 gaas hbt功放 9.5 基于硅的放大器设计 9.5.1 si ic lna 9.5.2 si ic功率放大器 参考文献 习题 第10章高效率放大器技术 10.1 高效率设计 10.1.1 过驱动放大器设计 10.1.2 b类放大器设计 10.1.3 e类放大器设计 10.1.4 f类放大器设计 10.2 谐波作用放大器 10.3 谐波注入技术 10.4 谐波控制放大器 10.5 高pae设计考虑 10.5.1 谐波调节平台 10.5.2 匹配网络损耗计算 10.5.3 匹配网络损耗的减小 参考文献 习题 第11章宽带放大器 11.1 晶体管的带宽限制 11.1.1 晶体管的增益滚降 11.1.2 变化的输入和输出阻抗 11.1.3 功率-带宽积 11.2 宽带放大技术 11.2.1 电抗/电阻性拓扑 11.2.2 反馈放大器 11.2.3 平衡放大器 11.2.4 分布式放大器 11.2.5 有源宽带匹配技术 11.2.6 共源共栅结构 11.2.7 宽带技术的比较 11.3 宽带功率放大器设计的考虑事项 11.3.1 拓扑图的选择 11.3.2 器件长宽比 11.3.3 低损耗匹配网络 11.3.4 增益平坦技术 11.3.5 谐波终端 11.3.6 热设计 参考文献 习题 第12章线性化技术 12.1 非线性分析 12.1.1 单音信号分析 12.1.2 双音信号分析 12.2 相位失真 12.3 功率放大器的线性化技术 12.3.1 脉冲掺杂器件及匹配优化 12.3.2 预失真技术 12.3.3 前馈技术 12.4 提高线性放大器效率的技术 12.4.1 反相 12.4.2 doherty 放大器 12.4.3 包络消除与恢复 12.4.4 自适应偏置 12.5 线性放大器的设计 12.5.1 放大器增益 12.5.2 减小源和负载失配 12.6 线性放大器设计实例 参考文献 习题 第13章高压功率放大器设计 13.1 高压晶体管性能概述 13.1.1 优点 13.1.2 应用 13.2 高压晶体管 13.2.1 si双极型晶体管 13.2.2 si ldmos晶体管 13.2.3 gaas场板mesfet 13.2.4 gaas 场板phemt 13.2.5 gaas hbt 13.2.6 sic mesfet 13.2.7 sic gan hemt 13.3 高压放大器设计的必要考虑 13.3.1 有源器件的热设计 13.3.2 无源元件的功率处理 13.4 功率放大器设计实例 13.4.1 高压混合放大器 13.4.2 高压单片式放大器 13.5 宽带hv放大器 13.6 串联fet放大器 参考文献 习题 第14章混合放大器 14.1 混合放大器技术 14.2 印制电路板 14.3 混合集成电路 14.3.1 薄膜mic技术 14.3.2 厚膜mic技术 14.3.3 共烧陶瓷和玻璃--陶瓷技术 14.4 内匹配功率放大器设计 14.5 低噪声放大器 14.5.1 窄带低噪声放大器 14.5.2 超宽带低噪声放大器 14.5.3 宽带分布式低噪声放大器 14.6 功率放大器 14.6.1 窄带功率放大器 14.6.2 宽带功率放大器 参考文献 习题 第15章单片放大器 15.1 单片放大器的优点 15.2 单片ic技术 15.2.1 mmic制作 15.2.2 mmic基底 15.2.3 mmic有源器件 15.2.4 mmic匹配元件 15.3 mmic设计 15.3.1 cad工具 15.3.2 设计流程 15.3.3 em仿真器 15.4 设计实例 15.4.1 低噪声放大器 15.4.2 大功率限幅器/lna 15.4.3 窄带pa 15.4.4 宽带pa 15.4.5 超宽带pa 15.4.6 高功率放大器 15.4.7 高效率pa 15.4.8 毫米波pa 15.4.9 无线功率放大器设计实例 15.5 cmos制造 参考文献 习题 第16章热设计 16.1 热力学基础 16.2 晶体管热设计 16.2.1 cooke 模型 16.2.2 单栅热模型 16.2.3 多栅热模型 16.3 放大器热设计 16.4 脉冲工作 16.5 导热槽设计 16.5.1 传导降温和强制降温 16.5.2 设计实例 16.6 热阻测量 16.6.1 ir成像测量 16.6.2 液晶测量 16.6.3 电气测量技术 参考文献 习题 第17章稳定性分析 17.1 偶模振荡 17.1.1 偶模稳定性分析 17.1.2 偶模振荡消除技术 17.2 奇模振荡 17.2.1 奇模稳定性分析 17.2.2 奇模振荡抑制技术 17.2.3 分布式放大器的不稳定性 17.3 参数式振荡 17.4 杂散参数式振荡 17.5 低频振荡 参考文献 习题 第18章偏置网络 18.1 晶体管偏置 18.1.1 晶体管偏置点 18.1.2 偏置方案 18.2 偏置电路设计需要考虑的条件 18.2.1 微带偏置电路 18.2.2 集总元件偏置电路 18.2.3 高pae偏置电路 18.2.4 迁移电流限制 18.3 自偏置技术 18.4 多级放大器偏置 18.5 偏置电路的低频稳定性 18.6 偏置顺序 参考文献 习题 第19章功率合成 19.1 器件级功率合成 19.2 电路级功率合成 19.2.1 功能衰减 19.2.2 功率合成效率 19.3 功分器、正交混合网络和耦合器 19.3.1 功分器 19.3.2 90°混合网络 19.3.3 耦合线定向耦合器 19.4 n路合成器 19.5 共同合成器结构 19.6 隔离电阻的功率处理 19.7 空间功率合成 19.8 功率合成技术的比较 参考文献 习题 第20章集成的功能放大器 20.1 集成的限幅器/lna 20.1.1 限幅器/lna拓扑结构 20.1.2 限幅器的要求 20.1.3 肖特基二极管设计与限幅器结构 20.1.4 10 w限幅器/lna设计 20.1.5 测试数据与讨论 20.2 发射链 20.2.1 可变增益放大器 20.2.2 可变功率放大器 20.2.3 放大器的温度补偿 20.2.4 功率监视/检测 20.2.5 负载失配保护 20.3 放大器的级联 参考文献 习题 第21章放大器封装 21.1 放大器封装概述 21.1.1 历史简介 21.1.2 封装类型 21.2 封装材料 21.2.1 陶瓷 21.2.2 高分子化合物 21.2.3 金属 21.3 陶瓷封装设计 21.3.1 rf馈通的设计 21.3.2 腔孔设计 21.3.3 偏置线 21.3.4 陶瓷封装结构 21.3.5 陶瓷封装模型 21.4 塑料封装设计 21.4.1 塑料封装 21.4.2 塑料封装模型 21.5 封装组装 21.5.1 芯片贴装 21.5.2 芯片引线键合 21.5.3 陶瓷封装的组装 21.5.4 塑料封装的组装 21.5.5 密封和包装 21.6 热性能考虑 21.7 封装使用的cad工具 21.8 功率放大器模块 参考文献 习题 第22章晶体管和放大器的测量 22.1 晶体管测量 22.1.1 i-v测量 22.1.2 s参数测量 22.1.3 噪声参数测量 22.1.4 源牵引和负载牵引测量 22.2 放大器测量 22.2.1 使用rf探针测量 22.2.2 驱动放大器和hpa的测试 22.2.3 大信号输出vswr 22.2.4 噪声系数测量 22.3 失真测量 22.3.1 am-am和am-pm 22.3.2 ip3/im3测量 22.3.3 acpr测量 22.3.4 npr测量 22.3.5 evm测量 22.4 相位噪声测量 22.5 恢复时间测量 参考文献 习题 附录a 物理常数和其他数据 附录b 单位和符号 附录c 频带命名 附录d 分贝单位 附录e 数学关系式 附录f 史密斯圆图 附录g 图形符号 附录h 首字母缩略词及缩写词 附录i 符号列表 附录j 多通道与调制技术

射频与微波晶体管放大器基础基本信息

作者: (美)Inder J. Bahl [作译者介绍] 译者: 鲍景富孙玲玲 丛书名: 国外电子与通信教材系列 出版社:电子工业出版社 ISBN:9787121196393 上架时间:2013-3-15 出版日期:2013 年3月 开本:16开 页码:499 版次:1-1 所属分类:通信 > 无线电、电子学的应用

射频与微波晶体管放大器基础常见问题

晶体管共射极单管放大器实验的结论是什么

基极电流和集电极电流之和等于发射极电流；基极电流和发射极电流有一定的正比关系，也就是二者的电流大小的比值在一定范围内不变，也就是基极小的电流变化，在发射极就能有大的电流变化。基极开路时，Iceo非常小...
晶体管共射极单管放大器实验报告怎么写

晶体管共射极单管放大器一、实验目的　　1、学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响。　　2、掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的测试方法。 ...
实验二晶体管共射极单管放大器实验总结答案

Rc越大，电压放大倍数越大、输入电阻不受影响、输出电阻越大。Ri越大，电压放大倍数越小、输入电阻越小、输出电阻不受影响。静态工作点中电流越大，电压放大倍数越大、输入电阻越小、输出电阻不受影响。但静态工...

射频与微波晶体管放大器基础作译者

本书提供作译者介绍 Inder J.Bahl博士，研究微波和毫米波GaAs集成电路已经有30多年。他设计了超过400个单片微波集成电路(MMIC)，包括低噪声放大器、驱动放大器、宽带放大器和功率放大器(高功率、高效率、宽带)、直流和交流耦合跨阻抗放大器和限幅放大器、多位移相器、窄带和宽带单刀多置(SPDT)开关、冗余转换开关、可编程衰减器、平衡混频器、正交下变频器、上变频器、发射芯片、接收芯片及收发芯片。Bahl博士还为PAR和ECM的应用开发了包含MMIC的模块。 .. << 查看详细

射频与微波晶体管放大器基础文献

微波功率晶体管放大器匹配电路的设计

微波功率晶体管放大器匹配电路的设计

微波功率晶体管放大器匹配电路的设计

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大小：771KB

页数： 4页

对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法。着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果。根据本文方法,制作了某功率晶体管的放大测试电路并进行测试,其输出功率及效率均优于晶体管手册给出的典型值。

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射频功率放大器

射频功率放大器

射频功率放大器

格式：pdf

大小：771KB

页数： 1页

射频功率放大器随着绿色环保、低碳经济理念在全球不断的推广深入人心，运营商对于移动通信基站的效率提出了越来越高的需求。与此同时，由于移动通信市场数据业务的飞速增长，移动通信基站的带宽要求也从最初的 20MHz 向 40MHz、60MHz 直至 100MHz 一路攀升，未来的 5G系统甚至需要 1GHz。而在基站设备中，射频功放的能耗占到总能耗的 60%左右，因此，大带宽、高效率、小体积，轻重量、低成本的射频功率放大器成为了未来移动运营商降低 OPEX(运营成本 )、实现绿色节能的最为有效的手段。 ? ? 目前，整个业界移动通信基站使用的基本上都是基于 LDMOS 技术射频功率放大器。 LDMOS 技术自上世纪九十年代应用于移动通信基站射频功率放大器应用以来，以其优异的性能迅速占领了几乎全部的 2G和 3G市场份额。全球每年用于移动通信基站的射频功率器件的销售数量大约一亿只，

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ADS射频电路设计基础与典型应用内容简介

本书内容丰富，对于现已在通信、电子、计算机及微电子等领域从事射频及微波设计的工程师，是一本很好的参考书。同时本书也可以作为电子、通信和微电子专业本科生的教材。 本书有3篇共20章内容，全面介绍了ADS射频电路设计的基础知识与典型应用。ADS初识篇系统地介绍了ADS的界面构成和射频电路的基础知识。ADS使用篇系统地介绍了ADS的使用方法和仿真功能。ADS设计篇介绍了20多个利用ADS进行射频电路设计的典型实例，这些电路可以构成完整的射频电路解决方案。本书有配套的视频光盘，可以帮助读者迅速掌握ADS的使用方法。

ADS射频电路设计基础与典型应用目录

第1篇 ADS初识篇 第1章射频电路与ADS 第2章 ADS主视窗 第3章 ADS设计仿真视窗 第4章射频电路基础 第2篇 ADS使用篇 第5章 ADS基本操作 第6章 ADS仿真概述 第7章 ADS仿真例程 第8章 ADS系统级设计与仿真 第3篇 ADS设计篇 第9章集总参数滤波器的设计 第10章分布参数低通滤波器的设计 第11章分布参数带通和带阻滤波器的设计 第12章功率分配器的设计 第13章分支定向耦合器的设计 第14章混合环的设计 第15章匹配网络的设计 第16章偏置电路的设计 第17章低噪声放大器的设计 第18章混频器的设计 第19章射频振荡器的设计 第20章射频接收与发射系统的设计

微波晶体管放大器分析与设计【前言】

本书在第1版的基础上又丰富了相当多的内容。新的内容贯穿全书，详细讲述了散射参数技术。另外还包括放大器和振荡器的设计流程。根据广大读者的建议，对于第1版习题中出现的一些关系式，都做了详细的推导。书中无论修订之处还是添加的新内容，都尽可能做到衔接自然，行文流畅。本书还增加了许多新的例题和习题。 本书的主要宗旨仍是充分体现运用散射参数技术，分析和设计微波晶体管放大器的处理方法。微波频率这一术语，是指那些波长只有厘米(1-10cm)数量级的频率。然而，本书中所阐述的设计流程以及分析方法，决不仅限于微波频段。实际上，只要能了解晶体管在该频段内的散射参数，这些方法可..

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