这种材料的热膨胀系数可调，热导率高，耐高温性能优异，在电子封装中得到了广泛的运用。铜钼铜材料属于金属基平面层状复合型电子封装材料，这类电子封装复合材料的结构是层叠式，一般分为三层，中间层为低膨胀材料层，两边为高导电导热的材料层，当然，也有两层，或者四层复合层板。生产工艺一般采用轧制复合，电镀复合，爆炸成形等方法加工制备的，这类材料在平面方向有很好的热导率和较低的膨胀系数，并且基本上不存在致密问题，此外，这种材料加工成本比较低，例如可以成卷的连续轧制复合生产Cu/Invar/Cu复合板材，能够大大降低生产成本，还可加工成70um箔材，可以广泛的应用于PCB的芯层和引线框架材料。由于CMC理论热导率高、膨胀系数与Si相匹配，早在上世纪90年代，国内外专家学者就对其进行了深入研究，美国的AMAX公司和Climax Specialty Metals公司利用热轧复合的方法，生产出来Cu/Mo/Cu（CMC）复合材料，并申请了专利，已用在B2隐形轰炸机的电子设备上.CMC的结构与CIC一样都是三层复合结构，但硬度、抗拉强度、热导率和电导率却比CIC高的多，这是因为CMC的中间是钼板，而钼的强度、导电、和导热性都要高于Inar合金。

美国Polymetallurgical、Polese、Elcon等公司采用在线连续轧制复合的技术可生产多种尺寸、局部或全包复的电子封装材料，与Mo/Cu、W/Cu等粉末冶金方法生产的颗粒增强型电子封装材料相比，轧制复合方法生产平面复合型电子封装材料的效率高，生产成本低，并且可以生产大尺寸的封装材料，因此平面复合型电子封装材料非常有利于电子行业的生产，容易产生“规模效益”。Ploymetallurgical公司在包复型材料的生产上是行业内的引导者，公司的产品非常全面，可以生产Ag/Cu、Ni/Cu、Au/Ni、CIC和CMC等局部或全面复合型封装材料，尺寸控制精确，其中CMC的性能在国际上处于一流水平。国内也有杨扬和李正华等人试验了爆炸复合方法制备CMC电子封装材料的可行性，对爆炸复合CMC封装材料界面的结合机制进行了详细的研究。研究发现Cu/Mo/Cu爆炸复合材料有波形结合界面和平直结合界面。波形界面上存在熔区，熔区内为Cu与Mo的非晶态混合组织，其组成为Cu约占90%，Mo约占10%，熔区内的显微硬度为1220MPa高于Cu基体的显微硬度（80MPa）低于Mo基体的显微硬度（2100MPa）。结果表明，用爆炸复合方法一次性制备Cu/Mo/Cu复合材料是可行的，恰当的工艺参数可制得无显微裂纹的复合材料，但是爆炸复合的制备方法较为复杂，且成本较高，不适合规模化生产。国内还有江苏鼎启科技有限公司 正在研发的高热导铆合型铜钼铜材料项目，已经取得了可喜的进展。

Cu/Mo/Cu电子封装材料具有优良的导热性能和可调节的热膨胀系数，是国内外大功率电子元器件首选的电子封装材料，并能与Be0、Al203陶瓷匹配，广泛用于微波、通讯、射频、航空航天、电力电子、大功率半导体激光器、医疗等行业。例如，现在国际上流行的BGA封装就大量采用该材料作为基板。另外，在微波封装和射频封装领域，也大量采用该材料做热沉。在军用电子设备中，它常常被采用为高可靠线路板的基体材料。

CMC也是我国诸多高技术领域所必需的关键性配套材料，是我国高端电子产品开发与生产的基础，例如，现代的微波通信发射装置、电力电子器件、高性能集成电路、网络通信器件等产品，都需要这种性能优良的封装材料。2100433B

钼铜是钼和铜的复合材料,一种很好的替代铜、钨铜应用的材料。

钼铜合金综合铜和钼的优点,高强度、高比重、耐高温、耐电弧烧蚀、导电电热性能好、加工性能好。采用高品质钼粉及无氧铜粉,应用等静压成型(高温烧结-渗铜),组织细密,断弧性能好,导电性好,导热性好,热膨胀小。

从矿床成因看，钼铜矿成因类型可划分为斑岩型、接触交代型、火山热液型、热液型四种成因类型。全省钼矿储量主要来源于斑岩型矿床，接触交代型次之。斑岩型钼矿数量虽少，但资源量大。小兴安岭一张广岭地区钼矿金属储量以斑岩型为主。接触交代型次之，就钼铜矿产地数量而言，以热液型数量居多，但资源量较少。 2100433B

本规范适用于制造军用大功率微电子器件作为热沉封接材料与三氧化二铝陶瓷封接和结构材料用钼铜合金棒，也适用于制造民用大功率微电子器件中高热导定膨胀封接热沉用钼铜合金棒。