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弯曲强度是指材料在弯曲负荷作用下破裂或达到规定弯矩时能承受的最大应力,此应力为弯曲时的最大正应力,以MPa(兆帕)为单位。它反映了材料抗弯曲的能力,用来衡量材料的弯曲性能。横力弯曲时,弯矩M随截面位置...
视频线是否当然是 也要计算弯曲损耗系数的呀,
把B和H的值输进去就可以了,弯钩的长度软件会自动加进去的。虽然在这里是这样写的公式,因为还要看抗震。但是弯钩还是计算了,不行你去试一个,计算后在编辑钢筋里面查看了。
光纤的弯曲损耗、抗弯曲光纤标准G.657及试验
光纤的弯曲损耗、抗弯曲光纤标准G.657及试验
单模光纤的弯曲损耗分析
在修正弯曲单模光纤几何模型的基础上,采用一个简单的弯曲损耗公式,对单模光纤的弯曲损耗和弯曲半径及波长之间的关系进行了仿真和实验,观察到弯曲损耗随弯曲半径和波长的变化呈现振荡现象,且振荡现象是由光纤中的基模和在包层和涂覆层中传播的whispering gallery模之间的耦合引起的。并对关系曲线的特性进行了分析,得出了弯曲损耗曲线峰-谷值位置的计算式,具有一定的参考价值。理论分析和实验结果基本一致。
剩余损耗指除了涡流损耗和磁滞损耗以外的其他所有损耗。它是由具有不同机制的磁弛豫过程所导致的。在低频和弱磁场中,剩余损耗主要是磁后效损耗,且与频率无关。高频下剩余损耗主要包括尺寸共振、畴壁共振和自然共振等引起的损耗。在铁氧体中剩余损耗占优势。
磁后效引起的剩余损耗与频率、畴壁位移和磁化矢量转动的阻尼系数成比例。这种损耗大致有两类:里希特型和约旦型损耗。前者与温度和频率有关;后者对温度和频率的依赖性甚小。里希特型损耗主要是由杂质扩散产生的感生各向异性引起的。约旦型损耗则主要是由热涨落引起的。铁氧体的里希特损耗是由于价电子在离子间扩散引起的。
在10赫以上的高频和超高频区,铁氧体磁谱与磁损耗有关的磁导率虚分量μ″在不同频率区域可能出现几个吸收峰,它们对应着共振损耗,也是一种弛豫损耗。随着频率升高,这些吸收峰分别是由尺寸共振、畴壁共振、自然共振和自然交换共振引起的。
磁性导体在交变磁场中,由于电磁感应而产生涡电流,这就引起磁场强度H和磁感应强度B的振幅和相位在材料内部的不均匀分布,并使B的相位落后于H的相位而增加一部分能量损耗,称为涡流损耗。对一些金属磁性材料的实验研究表明:测得的磁损耗要比理论计算的涡流损耗和准静态损耗之和大得多。实验与理论之差的额外损耗称为反常损耗。反常损耗部分来源于畴壁移动时通过电磁感应在畴壁附近感生的微涡流;另一部分则是由于畴壁的钉扎或畴壁的变形。值得注意的是,反常损耗在一些金属磁性材料(如硅钢片)总损耗中占很大部分。
磁滞损耗是由于磁性材料中存在不可逆的磁化过程(畴壁的不可逆位移,磁畴的不可逆转动)。在准静态磁化情形下,磁滞损耗与磁滞回线的面积成正比。在中等和强交变磁场下,一些金属磁性材料的磁滞损耗适合施泰因梅茨型经验公式。