魔T为立体分支结构, 较难用其他传输线实现。环形电桥为平面分支结构,容易用其他传输线来实现。 魔T和环形电桥的主要技术指标是输入端口的电压驻波比、两个输出的不平衡度、隔离端口的隔离度和它们的工作频带等。其性能取决于结构尺寸的精度和匹配装置的设计、调整。就魔T来说,由于接头不连续性的影响，各端口不能完全匹配，也就得不到完全隔离。若在接头区域插入膜片或销钉等匹配装置，便可在较窄的频带内降低各端口的电压驻波比并提高隔离度。若采用阶梯过渡或渐近过渡作为匹配装置，则可在较宽的频带内提高性能。

混合接头常用于平衡混合器、平衡放大器、和差器以及阻抗测量器等部件中。此外,3分贝定向耦合器也有类似混合接头的特性，但两个输出端口的信号有90°的相位差。

混合接头有魔T和环形电桥两种型式，图是它们的矩形波导结构。在魔T中,当TE10模微波信号从端口①输入时,不能在端口④内激发电磁场，即端口④隔离，信号由端口②和③同相等分输出;当信号从端口④输入时,不能在端口①内激发电磁场,即端口①隔离，信号由端口②和③反相等分输出。在环形电桥中,微波信号从端口①输入时即在环内激起驻波,端口②和④均在波腹处，有反相等分信号输出，而端口③处于波节处，无输出，是隔离端口。同样，信号从其他端口输入时也会发生类似情况。按照互易定理，分配器也可用作合成器，当信号从端口②和③等幅同相或反相输入时，合成后则由端口①或④输出 。 微波混合接头