Modular Devices,Inc.(MDI)公司从1973年成立开始，一直专注于军品级，宇航级DC/DC模块电源的研发制造。

MDI产品严格按照Mil-std-883的相关规范来进行产品的筛选制造，保证了产品的可靠性。

从1991年到2007年参与的220多个工程项目中，有将近半数是宇航项目。其2004年研制成功的Radiation Hardened 100K 技术应用于5000，7000，8000，9000系列，满足宇航应用的苛刻环境要求。

散热设计

通常情况下，有效地降低电源内部热阻可以有效的散热，同时可靠性也会提高。采用在陶瓷基板上直接键合器件的方式可以最大程度上的提高功率密度，使得散热非常充分。

高功率

为了在某些空间非常紧凑的苛刻环境使用高功率电源，提供最高功率密度比，并兼顾抗冷热能力，往往会采用二次集成键合技术。先将片式裸芯片组合成功能模块，再焊接键合。由于所有芯片采用相同材料基片，不同芯片之间的热匹配更好，同时寄生参数更小。这种设计能大大提高电源的抗冷热环境骤变的能力。

抗辐射

抵御来自战术核武器与外太空的核辐射攻击，一般会采用反射或吸收方式。为了适应各种电离辐射（如能级质子、中子、重离子和 Alpha 粒子等）对器件带来的损坏。一般会用针对性的特殊金属材料吸收或反射辐射。由于辐射种类很多，一种材料无法满足所有形式的抗辐射要求，因此复合金属喷涂技术孕育而生。这种喷涂往往都是各家的核心专利技术，因为每种金属在喷涂时必须保障光滑和无孔。 MDI 在这方面有独到领先的技术水平，在抗电离子(核辐射)轰击上已经达到 20 万拉德(200K RAD)世界最高级别。（单片）

低压大电流输出

在实际使用中，往往会遇到低压输出对效率的要求，为适应这个要求，引入同步整流技术非常关键。但同步整流电路会产生电流倒灌，负载调整率低效，负载降低时效率随之降低等问题。因此，采用同步整流时要慎重，选用最合适电路拓扑的整流电路才能将“矛”与“盾”的关系处理的最为完美。这种设计需要多年的实践经验积累，我们的电路工程师会帮助您完善您的电源系统。

小体积

在狭小的空间，我们都希望获得更高效率的电源模块。减小模块内部焊接阻抗，能提高模块效率是众多厂家的设计目标。使用扁平变压器和嵌入式磁元件能大大缩短引线长度，同时还能减少寄生参数。其中扁平变压器的设计是核心， MDI 公司集多年设计经验成功的解决了困扰扁平变压器的绕组问题。

短路保护

在航天应用中，往往会用多片 DC/DC 模块组合封装成大功率电源模块。但在使用中，封装模块内的任意一个片式的失效会引发短路，这种短路又会对整个封装模块造成无法挽回的损失或灾难。基于这点， MDI 的航天电源的短路保护功能设计就显得非常重要。如果剖开 MDI 电源我们会看到，从输入端输入的电流先经过自动极性保护电路（带自转换功能）经过确认，再进入短路和过载保护电路，和 LC EMI 滤波电路最后进入 DC/DC 核心。虽然这种设计会增加成本，但对价值不菲的航天设备、武器，MDI 提供了最为可靠的能源保障。

高精度

随着现代航天应用技术的发展与武器功能的多样化，系统内部的处理器计算量增大。随之带来的是对大电流的需求。现在航天 DC/DC 的趋势是电压越来越低、电流越来越大。但低电压输出时很小的纹波都会造成系统的判断故障或失误。 MDI 的每片电源都有非常高的输出精度。（详见参数表）

可靠性

使用无源无损软开关技术，使 DC/DC 模块和可靠性大大提高。2100433B

EMBATMSCHC 凌动Z5xx 系列和英特尔系统控制器中心英特尔凌动处理器推动了低功耗设计的发展，可将英特尔®

微架构的优点融入限热的无风扇小型嵌入式应用。这种功耗

优化的处理器基于 45 纳米制程技术而设计，采用 13x14 毫

米超小型封装，提高了每瓦性能。它具有嵌入式生命周期的

支持，并与 32 位英特尔®架构软件和其他芯片兼容。

英特尔系统控制器中心 (SCH) US15W 将图形内存控制器中

心和 I/O 控制器中心集成在一个 22x22 毫米小型封装上。

此外，这种高度集成式低功耗芯片组可满足小尺寸规格应用

的主要需求。

这种开发套件和英特尔的其他开发套件组成了一套工作系

统，具有一系列的性能选项，可修改或立即用于产品开发。

软件厂商可使用经过验证的主板平台测试 BIOS 和操作系统

软件。

利百代印油专用于无吸墨性纸张、金属、塑胶（PE/PP/PO/OPP）、皮革、布、木材、玻璃、陶瓷等，免处理快干，广泛应用于喇叭、小型变压器、水泥电阻、电子元器件、SMT类电子等，着色力强，印迹清晰，效果特佳，印迹历久清晰，永不裉色。

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