1、BGA(ballgridarray)

球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。

封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。

该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为225。也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。

美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。

2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)

带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用

此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。

3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)

表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。

4、C－(ceramic)

表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。

5、Cerdip

用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。

6、Cerquad

表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。

7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)

带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。

带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。

8、COB(chiponboard)

板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。

9、DFP(dualflatpackage)

双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法，已基本上不用。

10、DIC(dualin-lineceramicpackage)

陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).

11、DIL(dualin-line)

DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。

12、DIP(dualin-linepackage)

双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器 LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为 skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为 cerdip(见cerdip)。

13、DSO(dualsmallout-lint)

双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。

14、DICP(dualtapecarrierpackage)

双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利

用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。

15、DIP(dualtapecarrierpackage)

同上。

日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。

16、FP(flatpackage)

扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。

17、flip-chip

倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。

18、FQFP(finepitchquadflatpackage)

小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。

19、CPAC(globetoppadarraycarrier)

美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。

20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)

带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。

在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。

21、H-(withheatsink)

表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。

22、pingridarray(surfacemounttype)

表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～52，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。

23、JLCC(J-leadedchipcarrier)

J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。

24、LCC(Leadlesschipcarrier)

无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。

25、LGA(landgridarray)

触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑

LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。

26、LOC(leadonchip)

芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。

27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)

薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。

28、L－QUAD

陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。

29、MCM(multi-chipmodule)

多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。

MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。

MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使

用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。

MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。

布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。2100433B

芯片封装测试的定义？ 什么是芯片封装？ 思科微电子芯片研发技术中心

芯片封装方法专利目的

《芯片封装方法》解决的技术问题是提供一种芯片封装方法，可以提高封装效率以及成品率。

芯片封装方法技术方案

《芯片封装方法》提供的芯片封装方法，包括步骤：提供半封装晶圆，所述半封装晶圆上具有切割道以及芯片的金属焊垫；在所述金属焊垫上形成球下金属电极；在所述球下金属电极上形成焊球；沿切割道对晶圆进行划片；还包括在切割道上方形成第一保护层的步骤。

优选的，所述第一保护层的宽度大于切割道的宽度。所述切割道的宽度为30～80微米，所述第一保护层的宽度为50～120微米。

可选的，所述第一保护层为热固性环氧树脂，采用丝网印刷技术形成。

可选的，所述形成球下金属电极的方法为无电解电镀。所述无电解电镀包括：对晶圆表面先进行锌酸盐清洗处理，再无电解电镀镍，然后无电解电镀金，电镀厚度分别为3微米以及0.05微米。

可选的，所述形成球下金属电极的方法为选择性气相沉积。

所述选择性气相沉积包括：在晶圆表面设置掩模板，所述掩模板露出晶圆上需形成球下金属电极的位置；采用物理气相沉积工艺，依次沉积镍金属以及铜金属。

优选的，在形成球下金属电极后，还包括采用丝网印刷技术在晶圆上、球下金属电极以外区域形成第二保护层的步骤。所述第二保护层的厚度为5微米～50微米。

可选的，所述第二保护层的材质为热固性树脂，采用丝网印刷技术形成。

所述丝网印刷时，保持晶圆的温度低于所述热固性环氧树脂的固化温度。所述形成第二保护层后，还包括采用等离子刻蚀去除覆于球下金属电极顶部表面的热固性环氧树脂的步骤。

可选的，所述形成第二保护层后，还包括研磨晶圆表面的步骤。

所述研磨采用机械研磨，具体包括：将晶圆放置于固定工作台；将柔软度小于晶圆的非织造布缠绕于研磨盘上，并紧贴晶圆表面；然后使用研磨液浸润所述非织造布，进行机械研磨。

优选的，所述热固性树脂的固化温度小于200℃。

所述热固性树脂中包含固化填充剂，所述固化填充剂的颗粒直径小于环氧树脂印刷厚度的1/3。

优选的，所述热固性树脂的印刷厚度为15微米，固化填充剂的颗粒直径小于5微米，固化后形成的第二保护层平均厚度为11微米～12微米。

优选的，在进行丝网印刷技术时，先对晶圆进行烘烤处理或者进行表面活性化的等离子处理。

《芯片封装方法》所述封装方法利用丝网印刷技术在切割道上形成第一保护层，具体的可以选择热固性环氧树脂作为保护层材料，一方面在采用电镀工艺形成球下金属电极时，能够防止切割道内的金属被电镀析出；另一方面在划片后，能够保护分立芯片的侧面，尤其是金属引线，不受到损伤。

芯片封装方法改善效果

《芯片封装方法》工艺流程简单，成本低廉，且提高了封装效率以及封装成品率。

通过附图中所示的《芯片封装方法》的优选实施例的更具体说明，《芯片封装方法》的上述及其他目的、特征和优势将更加清晰。附图中与截至2010年11月5日技术相同的部件使用了相同的附图标记。附图并未按比例绘制，重点在于示出《芯片封装方法》的主旨。在附图中为清楚起见，放大了层和区域的尺寸。

图1至图6为一种晶圆级的芯片封装方法各步骤剖面示意图；

图7为《芯片封装方法》所述封装方法的基本流程图；

图8为《芯片封装方法》第一实施例的流程示意图；

图9、图11、图13、图14、图15、图16为图8所示部分步骤的示意图；

图10为图9的俯视示意图；

图12为图11的俯视示意图；

图17为《芯片封装方法》第二实施例的流程示意图；

图18至图20为图17所示部分步骤的示意图；

图21为《芯片封装方法》第三实施例的流程示意图；

图22以及图23为图21所示部分步骤的示意图。

《芯片封装方法》涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆级的芯片封装方法。