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芯片制造--半导体工艺制程实用教程

本书是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书籍，在半导体领域享有很高的声誉。本书的讨论范围包括半导体工艺的每个阶段: 从原材料的制备到封装、测试和成品运输，以及传统的和现代的工艺。全书提供了详细的插图和实例，每章包含回顾总结和习题，并辅以丰富的术语表。

芯片制造--半导体工艺制程实用教程基本信息

书名芯片制造--半导体工艺制程实用教程(第六版)
ISBN9787121243363
出版社电子工业出版社
出版时间2015-01-01

芯片制造--半导体工艺制程实用教程目录

第1章半导体产业 1.1 引言 1.2 一个产业的诞生 1.3 固态时代 1.4 集成电路 1.5 工艺和产品趋势 1.6 半导体产业的构成 1.7 生产阶段 1.8 微芯片制造过程发展的 60年 1.9 纳米时代 习题 参考文献 第2章半导体材料和化学品的特性 2.1 引言 2.2 原子结构 2.3 元素周期表 2.4 电传导 2.5 绝缘体和电容器 2.6 本征半导体 2.7 掺杂半导体 2.8 电子和空穴传导 2.9 半导体生产材料 2.10 半导体化合物 2.11 锗化硅 2.12 衬底工程 2.13 铁电材料 2.14 金刚石半导体 2.15 工艺化学品 2.16 物质的状态 2.17 物质的性质 2.18 压力和真空 2.19 酸、碱和溶剂 2.20 化学纯化和清洗 习题 参考文献 第3章晶体生长与硅晶圆制备 3.1 引言 3.2 半导体硅制备 3.3 晶体材料 3.4 晶体定向 3.5 晶体生长 3.6 晶体和晶圆质量 3.7 晶圆准备 3.8 切片 3.9 晶圆刻号 3.10 磨片 3.11 化学机械抛光 3.12 背面处理 3.13 双面抛光 3.14 边缘倒角和抛光 3.15 晶圆评估 3.16 氧化 3.17 包装 3.18 工程化晶圆(衬底) 习题 参考文献 第4章晶圆制造和封装概述 4.1 引言 4.2 晶圆生产的目标 4.3 晶圆术语 4.4 芯片术语 4.5 晶圆生产的基础工艺 4.6 薄膜工艺 4.7 晶圆制造实例 4.8 晶圆中测 4.9 集成电路的封装 4.10 小结 习题 参考文献 第5章污染控制 5.1 引言 5.2 污染源 5.3 净化间的建设 5.4 净化间的物质与供给 5.5 净化间的维护 5.6 晶片表面清洗 习题 参考文献 第6章生产能力和工艺良品率 6.1 引言 6.2 良品率测量点 6.3 累积晶圆生产良品率 6.4 晶圆生产良品率的制约因素 6.5 封装和最终测试良品率 6.6 整体工艺良品率 习题 参考文献 第7章氧化 7.1 引言 7.2 二氧化硅层的用途 7.3 热氧化机制 7.4 氧化工艺 7.5 氧化后评估 习题 参考文献 第8章十步图形化工艺流程--从表面 制备到曝光 8.1 引言 8.2 光刻工艺概述 8.3 光刻十步法工艺过程 8.4 基本的光刻胶化学 8.5 光刻胶性能的要素 8.6 光刻胶的物理属性 8.7 光刻工艺: 从表面准备到曝光 8.8 表面准备 8.9 涂光刻胶(旋转式) 8.10 软烘焙 8.11 对准和曝光 8.12 先进的光刻 习题 参考文献 第9章十步图形化工艺流程--从显影到最终检验 9.1 引言 9.2 硬烘焙 9.3 刻蚀 9.4 湿法刻蚀 9.5 干法刻蚀 9.6 干法刻蚀中光刻胶的影响 9.7 光刻胶的去除 9.8 去胶的新挑战 9.9 最终目检 9.10 掩模版的制作 9.11 小结 习题 参考文献 第10章下一代光刻技术 10.1 引言 10.2 下一代光刻工艺的挑战 10.3 其他曝光问题 10.4 其他解决方案及其挑战 10.5 晶圆表面问题 10.6 防反射涂层 10.7 高级光刻胶工艺 10.8 改进刻蚀工艺 10.9 自对准结构 10.10 刻蚀轮廓控制 习题 参考文献 第11章掺杂 11.1 引言 11.2 扩散的概念 11.3 扩散形成的掺杂区和结 11.4 扩散工艺的步骤 11.5 淀积 11.6 推进氧化 11.7 离子注入简介 11.8 离子注入的概念 11.9 离子注入系统 11.10 离子注入区域的杂质浓度 11.11 离子注入层的评估 11.12 离子注入的应用 11.13 掺杂前景展望 习题 参考文献 第12章薄膜淀积 12.1 引言 12.2 化学气相淀积基础 12.3 CVD的工艺步骤 12.4 CVD系统分类 12.5 常压CVD系统 12.6 低压化学气相淀积(LPCVD) 12.7 原子层淀积 12.8 气相外延 12.9 分子束外延 12.10 金属有机物CVD 12.11 淀积膜 12.12 淀积的半导体膜 12.13 外延硅 12.14 多晶硅和非晶硅淀积 12.15 SOS和SOI 12.16 在硅上生长砷化镓 12.17 绝缘体和绝缘介质 12.18 导体 习题 参考文献 第13章金属化 13.1 引言 13.2 淀积方法 13.3 单层金属 13.4 多层金属设计 13.5 导体材料 13.6 金属塞 13.7 溅射淀积 13.8 电化学镀膜 13.9 化学机械工艺 13.10 CVD金属淀积 13.11 金属薄膜的用途 13.12 真空系统 习题 参考文献 第14章工艺和器件的评估 14.1 引言 14.2 晶圆的电特性测量 14.3 工艺和器件评估 14.4 物理测试方法 14.5 层厚的测量 14.6 栅氧化层完整性电学测量 14.7 结深 14.8 污染物和缺陷检测 14.9 总体表面特征 14.10 污染认定 14.11 器件电学测量 习题 参考文献 第15章晶圆制造中的商业因素 15.1 引言 15.2 晶圆制造的成本 15.3 自动化 15.4 工厂层次的自动化 15.5 设备标准 15.6 统计制程控制 15.7 库存控制 15.8 质量控制和ISO 9000认证 15.9 生产线组织架构 习题 参考文献 第16章形成器件和集成电路的 介绍 16.1 引言 16.2 半导体器件的形成 16.3 可替换MOSFET按比例缩小的挑战 16.4 集成电路的形成 16.5 Bi MOS 16.6 超导体 习题 参考文献 第17章集成电路的介绍 17.1 引言 17.2 电路基础 17.3 集成电路的类型 17.4 下一代产品 习题 参考文献 第18章封装 18.1 引言 18.2 芯片的特性 18.3 封装功能和设计 18.4 引线键合工艺 18.5 凸点或焊球工艺示例 18.6 封装设计 18.7 封装类型和技术小结 习题 参考文献 术语表

芯片制造--半导体工艺制程实用教程造价信息

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寅意制造

规格型号：
H500×W500×D80 型号:YD-G0031
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
广州三帅光电科技有限公司
报价时间：
2022-12-08

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半导体指纹头

规格型号：
品种:指纹锁;说明:标配换半导体;
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
豪力士
材料税率：
13%
供应商：
杭州紫辰智能科技有限公司
报价时间：
2022-12-08

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控制造柜

规格型号：
HDLK-GM-5.5KW/2/两泵联动（变频ABB主要元件正泰）
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
海德隆
材料税率：
13%
供应商：
上海海德隆流体设备制造有限公司武汉办事处
报价时间：
2022-12-08

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控制器组网芯片

规格型号：
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
四川久远智能监控有限责任公司昆明办事
报价时间：
2022-12-08

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半导体封装树脂用球形氧化铝

规格型号：
2-90μm/CAP α-Al2O3
价格行情：
材料单位：
kg
材料品牌：
天行新材料
材料税率：
13%
供应商：
南京天行纳米新材料有限公司
报价时间：
2022-12-08

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自动洗片机

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年8月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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X光片脱水烘干机

规格型号：
ZTH-340
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年8月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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自发电一体焊机

规格型号：
305A
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
韶关市2010年8月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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二氧化碳气体保护焊机

规格型号：
电流250A
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2011年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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二氧化碳气体保护焊机

规格型号：
电流250A
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
广州市2010年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-10-24

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-16

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-08-15

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-14

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系统芯片

规格型号：
:(Vcc/Vdd)1.81V - 2V数据转换器A/D: 16x12b振荡器类型:内部工作温度:-40°C - 125°C(TA)
需求量：
20个
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-08-09

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芯片制造--半导体工艺制程实用教程图书内容

本书是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书籍，在半导体领域享有很高的声誉。本书的讨论范围包括半导体工艺的每个阶段: 从原材料的制备到封装、测试和成品运输，以及传统的和现代的工艺。全书提供了详细的插图和实例，每章包含回顾总结和习题，并辅以丰富的术语表。 第六版修订了微芯片制造领域的新进展，讨论了用于图形化、掺杂和薄膜步骤的先进工艺和尖端技术，使隐含在复杂的现代半导体制造材料与工艺中的物理、化学和电子的基础信息更易理解。 本书的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍工艺技术内容，并加入了半导体业界的新成果，可以使读者了解工艺技术发展的趋势。

芯片制造--半导体工艺制程实用教程常见问题

什么是LED芯片/半导体照明芯片？

led芯片就是发光二极管芯片，也就是你说的照明芯片。本质上来说，就是一个pn节，电子和空穴在pn节的耗尽层复合，复合后多出的能量以光子的形式发射出去，也就是发光照明了。这个产业分成三个部分：外延生长，...
什么是半导体? 为什么芯片要用半导体做

我想你是要问芯片应用了半导体的什么性质了吧，由于半导体可以进行不同掺杂性形成pn结，使其具有整流特性实现电路的与或非门，即逻辑表达。对于集成电路来讲，最底下的一层叫衬底（一般为P型半导体），是参与集成...
台湾的芯片和半导体为什么那么牛?

1、半导体是技术与资本密集产业,更重要的是专利,许多专利已被先进者卡位,后进入产业者动辄侵权,被告的很惨,中芯与台积电,Intel与VIA(威盛)都是例子 2、台湾半导体产业进入得早,与政府有计划的辅...

芯片制造--半导体工艺制程实用教程文献

多芯片半导体激光器光纤耦合设计

多芯片半导体激光器光纤耦合设计

多芯片半导体激光器光纤耦合设计

格式：pdf

大小：343KB

页数：未知

应用ZEMAX光学设计软件模拟了一种多芯片半导体激光器光纤耦合模块,将12支808nm单芯片半导体激光器输出光束耦合进数值孔径0.22、纤芯直径105μm的光纤中,每支半导体激光器功率10 W,光纤输出端面功率达到116.84W,光纤耦合效率达到97.36%,亮度达到8.88MW/(cm2·sr)。通过ZEMAX和ORIGIN软件分析了光纤对接出现误差以及单芯片半导体激光器安装出现误差时对光纤耦合效率的影响,得出误差对光纤耦合效率影响的严重程度从大到小分别为垂轴误差、轴向误差、角向误差。

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半导体芯片系统设计与工艺博士生培养方案

半导体芯片系统设计与工艺博士生培养方案

半导体芯片系统设计与工艺博士生培养方案

格式：pdf

大小：343KB

页数： 6页

1 / 6 半导体芯片系统设计与工艺博士生培养方案（专业代码：授工学学位）一、培养目标．培养严谨求实的科学态度和作风，具有创新精神和良好的科研道德；．具有坚实、宽广的基础理论和系统、深入的专门知识；．在本学科或专门技术上做出创造性的成果；．具有独立从事科学研究工作的能力。二、研究方向．集成电路系统结构．嵌入式系统与系统芯片设计．微传感器与微执行器．小尺寸半导体器件．半导体芯片封装与测试．集成电路工艺三、学习年限．实行弹性学制全日制博士生的学习年限一般为－年。博士生毕业时间由博士生导师决定。提前答辩的博士研究生必须向系提出书面申请，并经主管系主任批准。对于在规定时间内未完成博士学位论文的博士研究生，则作肄业处理。．硕博连读和直攻博士生的学习年限一般为－年。四、学分要求与分配一览表：已获硕士学位博士生总学分要求≥学分。硕博连读、直攻博研究

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芯片制造——半导体工艺制程实用教程（第六版）（英文版）图书内容

本书是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书籍，在半导体领域享有很高的声誉。本书的范围包括半导体工艺的每个阶段：从原材料的制备到封装、测试和成品运输，以及传统的和现代的工艺。全书提供了详细的插图和实例，每章包含回顾总结和习题，并辅以丰富的术语表。第六版修订了微芯片制造领域的新进展，讨论了用于图形化、掺杂和薄膜步骤的先进工艺和尖端技术，使隐含在复杂的现代半导体制造材料和工艺中的物理、化学和电子的基础知识更易理解。 本书的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍工艺技术内容；加入了半导体业界的新成果，可以使读者了解工艺技术发展的趋势。

芯片制造——半导体工艺制程实用教程（第六版）（英文版）Contents

1 The Semiconductor Industry 1 Introduction 1 Birth of an Industry 1 The Solid-State Era 3 Integrated Circuits (ICs) 4 Process and Product Trends 5 Moore’s Law 6 Decreasing Feature Size 6 Increasing Chip and Wafer Size 8 Reduction in Defect Density 9 Increase in Interconnection Levels 10 The Semiconductor Industry Association Roadmap 10 Chip Cost 11 Industry Organization 11 Stages of Manufacturing 12 Six Decades of Advances in Microchip Fabrication Processes 14 The Nano Era 16 Review Topics 17 References 17 2 Properties of Semiconductor Materials and Chemicals 19 Introduction 19 Atomic Structure 19 The Bohr Atom 19 The Periodic Table of the Elements 20 Electrical Conduction 23 Conductors 23 Dielectrics and Capacitors 23 Resistors 24 Intrinsic Semiconductors 24 Doped Semiconductors 25 Electron and Hole Conduction 26 Carrier Mobility 28 Semiconductor Production Materials 29 Germanium and Silicon 29 Semiconducting Compounds 29 Silicon Germanium 31 Engineered Substrates 31 Ferroelectric Materials 31 Diamond Semiconductors 32 Process Chemicals 32 Molecules, Compounds, and Mixtures 32 Ions 33 States of Matter 34 Solids, Liquids, and Gases 34 Plasma State 34 Properties of Matter 34 Temperature 34 Density, Specic Gravity, and Vapor Density 35 Pressure and Vacuum 36 Acids, Alkalis, and Solvents 37 Acids and Alkalis 37 Solvents 38 Chemical Purity and Cleanliness 38 Safety Issues 38 The Material Safety Data Sheet 39 Review Topics 39 References 39 3 Crystal Growth and Silicon Wafer Preparation 41 Introduction 41 Semiconductor Silicon Preparation 41 Silicon Wafer Preparation Stages 42 Crystalline Materials 42 Unit Cells 43 Poly and Single Crystals 43 Crystal Orientation 44 Crystal Growth 45 Czochralski Method 45 Liquid-Encapsulated Czochralski 47 Float Zone 47 Crystal and Wafer Quality 49 Point Defects 49 Dislocations 50 Growth Defects 50 Wafer Preparation 51 End Cropping 51 Diameter Grinding 51 Crystal Orientation, Conductivity, and Resistivity Check 51 Grinding Orientation Indicators 52 Wafer Slicing 53 Wafer Marking 54 Rough Polish 54 Chemical Mechanical Polishing 55 Backside Processing 55 Double-Sided Polishing 56 Edge Grinding and Polishing 56 Wafer Evaluation 56 Oxidation 57 Packaging 57 Wafer Types and Uses 57 Reclaim Wafers 57 Engineered Wafers (Substrates) 57 Review Topics 58 References 58 4 Overview of Wafer Fabrication and Packaging 59 Introduction 59 Goal of Wafer Fabrication 59 Wafer Terminology 59 Chip Terminology 61 Basic Wafer-Fabrication Operations 63 Layering 63 Patterning 64 Circuit Design 66 Reticle and Masks 68 Doping 69 Heat Treatments 69 Example Fabrication Process 72 Wafer Sort 74 Packaging 75 Summary 75 Review Topics 76 References 76 5 Contamination Control 77 Introduction 77 The Problem 77 Contamination-Caused Problems 80 Contamination Sources 81 General Sources 81 Air 81 Clean Air Strategies 82 Cleanroom Workstation Strategy 83 Tunnel or Bay Concept 85 Micro- and Mini-Environments 86 Temperature, Humidity, and Smog 87 Cleanroom Construction 88 Construction Materials 88 Cleanroom Elements 89 Personnel-Generated Contamination 93 Process Water 94 Process Chemicals 96 Equipment 99 Cleanroom Materials and Supplies 99 Cleanroom Maintenance 100 Wafer-Surface Cleaning 100 Particulate Removal 102 Wafer Scrubbers 102 High-Pressure Water Cleaning 103 Organic Residues 103 Inorganic Residues 103 Chemical-Cleaning Solutions 104 General Chemical Cleaning 104 Oxide Layer Removal 105 Room Temperature and Ozonated Chemistries 106 Water Rinsing 108 Drying Techniques 110 Contamination Detection 112 Review Topics 112 References 113 6 Productivity and Process Yields 115 Overview 115 Yield Measurement Points 115 Accumulative Wafer-Fabrication Yield 116 Wafer-Fabrication Yield Limiters 117 Number of Process Steps 118 Wafer Breakage and Warping 118 Process Variation 119 Mask Defects 120 Wafer-Sort Yield Factors 120 Wafer Diameter and Edge Die 121 Wafer Diameter and Die Size 122 Wafer Diameter and Crystal Defects 122 Wafer Diameter and Process Variations 123 Die Area and Defect Density 124 Circuit Density and Defect Density 125 Number of Process Steps 125 Feature Size and Defect Size 125 Process Cycle Time 125 Wafer-Sort Yield Formulas 125 Assembly and Final Test Yields 128 Overall Process Yields 128 Review Topics 129 References 130 7 Oxidation 131 Introduction 131 Silicon Dioxide Layer Uses 131 Surface Passivation 131 Doping Barrier 132 Surface Dielectric 132 Device Dielectric (MOS Gates) 133 Device Oxide Thicknesses 134 Thermal Oxidation Mechanisms 134 Influences on the Oxidation Rate 137 Thermal Oxidation Methods 140 Horizontal Tube Furnaces 140 Temperature Control System 141 Source Cabinet 143 Vertical Tube Furnaces 143 Rapid Thermal Processing 146 High-Pressure Oxidation 149 Oxidant Sources 151 Oxidation Processes 154 Preoxidation Wafer Cleaning 154 Postoxidation Evaluation 155 Surface Inspection 156 Oxide Thickness 156 Oxide and Furnace Cleanliness 156 Thermal Nitridation 156 Review Topics 157 References 157 8 The Ten-Step Patterning Process—Surface Preparation to Exposure 161 Introduction 161 Overview of the Photomasking Process 162 Ten-Step Process 165 Basic Photoresist Chemistry 167 Photoresist 167 Photoresist Performance Factors 169 Resolution Capability 169 Adhesion Capability 170 Process Latitude 171 Pinholes 172 Particle and Contamination Levels 173 Step Coverage 173 Thermal Flow 173 Comparison of Positive and Negative Resists 173 Physical Properties of Photoresists 175 Solids Content 175 Viscosity 175 Surface Tension 176 Index of Refraction 176 Storage and Control of Photoresists 176 Light and Heat Sensitivity 176 Viscosity Sensitivity 177 Shelf Life 177 Cleanliness 177 Photomasking Processes—Surface Preparation to Exposure 178 Surface Preparation 178 Particle Removal 178 Dehydration Baking 178 Wafer Priming 179 Spin Priming 180 Vapor Priming 180 Photoresist Application (Spinning) 181 The Static Dispense Spin Process 181 Dynamic Dispense 183 Moving-Arm Dispensing 183 Manual Spinners 183 Automatic Spinners 184 Edge Bead Removal 185 Backside Coating 185 Soft Bake 185 Convection Ovens 186 Manual Hot Plates 187 In-Line, Single-Wafer Hot Plates 187 Moving-Belt Hot Plates 187 Moving-Belt Infrared Ovens 188 Microwave Baking 188 Vacuum Baking 188 Alignment and Exposure 189 Alignment and Exposure Systems 189 Exposure Sources 191 Alignment Criteria 191 Aligner Types 193 Postexposure Bake 196 Advanced Lithography 198 Review Topics 198 References 198 9 The Ten-Step Patterning Process—Developing to Final Inspection 201 Introduction 201 Development 201 Positive Resist Development 201 Negative Resist Development 203 Wet Development Processes 203 Dry (or Plasma) Development 206 Hard Bake 207 Hard-Bake Methods 207 Hard-Bake Process 207 Develop Inspect 208 Develop Inspect Reject Categories 209 Develop Inspect Methods 209 Causes for Rejecting at the Develop Inspection Stage 211 Etch 212 Wet Etching 212 Etch Goals and Issues 212 Incomplete Etch 212 Overetch and Undercutting 213 Selectivity 214 Wet-Spray Etching 214 Silicon Wet Etching 214 Silicon Dioxide Wet Etching 215 Aluminum-Film Wet Etching 216 Deposited-Oxide Wet Etching 216 Silicon Nitride Wet Etching 216 Vapor Etching 217 Dry Etch 217 Plasma Etching 218 Etch Rate 220 Radiation Damage 220 Selectivity 220 Ion-Beam Etching 222 Reactive Ion Etching 222 Resist Effects in Dry Etching 223 Resist Stripping 223 Wet Chemical Stripping of Nonmetallized Surfaces 224 Wet Chemical Stripping of Metallized Surfaces 225 Dry Stripping 225 Post–Ion Implant and Plasma Etch Stripping 226 New Stripping Challenges 226 Final Inspection 227 Mask Making 227 Summary 229 Review Topics 229 References 230 10 Next Generation Lithography 233 Introduction 233 Challenges of Next Generation Lithography 233 High-Pressure Mercury Lamp Sources 235 Excimer Lasers 236 Extreme Ultraviolet 236 X-Rays 237 Electron Beam or Direct Writing 238 Numerical Aperture of a Lens 240 Other Exposure Issues 241 Variable Numerical Aperture Lenses 242 Immersion Exposure System 242 Amplified Resist 242 Contrast Effects 243 Other Resolution Challenges and Solutions 244 Off-Axis Illumination 245 Lens Issues and Reection Systems 245 Phase-Shift Masks 245 Optical Proximity Corrected or Optical Process Correction 245 Annular-Ring Illumination 246 Pellicles 247 Surface Problems 248 Resist Light Scattering 248 Subsurface Reectivity 248 Antireective Coatings 249 Standing Waves 249 Planarization 251 Photoresist Process Advances 252 Multilayer Resist or Surface Imaging 252 Silylation or DESIRE Process 254 Polyimide Planarization Layers 255 Etchback Planarization 256 Dual-Damascene Process 256 Chemical Mechanical Polishing 256 Slurry 259 Polishing Rates 259 Planarity 260 Post-CMP Clean 261 CMP Tools 261 CMP Summary 262 Reow 262 Image Reversal 262 Contrast Enhancement Layers 262 Dyed Resists 264 Improving Etch Denition 264 Lift-Off Process 264 Self-Aligned Structures 264 Etch Prole Control 266 Review Topics 266 References 266 11 Doping 269 Introduction 269 The Diffusion Concept 269 Formation of a Doped Region and Junction 271 The N-P Junction 272 Doping Process Goals 273 Graphical Representation of Junctions 273 Concentration versus Depth Graphs 273 Lateral Diffusion 273 Same-Type Doping 275 Diffusion Process Steps 275 Deposition 275 Dopant Sources 278 Drive-In Oxidation 280 Oxidation Effects 281 Introduction to Ion Implantation 281 Concept of Ion Implantation 283 Ion-Implantation System 284 Implant Species Sources 284 Ionization Chamber 284 Mass Analyzing or Ion Selection 284 Acceleration Tube 286 Wafer Charging 286 Beam Focus 287 Neutral Beam Trap 287 Beam Scanning 287 End Station and Target Chamber 289 Ion-Implant Masks 290 Dopant Concentration in Implanted Regions 291 Crystal Damage 292 Annealing and Dopant Activation 292 Channeling 293 Evaluation of Implanted Layers 294 Uses of Ion Implantation 295 The Future of Doping 297 Review Topics 297 References 298 12 Layer Deposition 299 Introduction 299 Film Parameters 301 Chemical Vapor Deposition Basics 302 Basic CVD System Components 303 CVD Process Steps 305 CVD System Types 305 Atmospheric-Pressure CVD Systems 306 Horizontal-Tube Induction-Heated APCVD 306 Barrel Radiant-Induction-Heated APCVD 307 Pancake Induction-Heated APCVD 307 Continuous Conduction-Heated APCVD 308 Horizontal Conduction-Heated APCVD 309 Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 309 Horizontal Conduction-Convection-Heated LPCVD 309 Ultra-High Vacuum CVD 310 Plasma-Enhanced CVD (PECVD) 310 High-Density Plasma CVD 312 Atomic Layer Deposition 313 Vapor-Phase Epitaxy 315 Molecular Beam Epitaxy 315 Metalorganic CVD 317 Deposited Films 318 Deposited Semiconductors 318 2100433B

半导体芯片制造技术内容简介

《半导体芯片制造技术》全面系统地介绍了半导体芯片制造技术，内容包括半导体芯片制造概述、多晶半导体的制备、单晶半导体的制备、晶圆制备、薄膜制备、金属有机物化学气相沉积、光刻、刻蚀、掺杂及封装。书中简要介绍了半导体芯片制造的基本理论基础，系统介绍了多晶半导体、单晶半导体与晶圆的制备，详细介绍了薄膜制备、光刻与刻蚀及掺杂等工艺。由于目前光电产业的不断发展，对于化合物半导体的使用越来越多，《半导体芯片制造技术》以半导体硅材料芯片制造为主，兼顾化合物半导体材料芯片制造，比如在介绍薄膜制备工艺中，书中用单独的一章介绍了如何通过金属有机物化学气相沉积来制备化合物半导体材料薄膜。《半导体芯片制造技术》针对高职高专学生的特点，以"实用为主、够用为度"为原则，系统地介绍了半导体芯片制造技术。《半导体芯片制造技术》可作为微电子、光电子、光伏、电子等相关专业高职高专的教材，也可作为相关专业学生和技术人员的自学参考用书。

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