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氧化锌和氧化硅纳米薄膜材料的微结构和光学特性

《氧化锌和氧化硅纳米薄膜材料的微结构和光学特性》是2015年9月出版的图书,作者是陈海霞、丁继军。

本书系统地研究了氧化锌和氧化硅纳米材料的晶体结构、表面形貌和光发射等性质。全书共包括10 章:第1 章为绪论;第2 章详细地介绍了纳米材料的发光理论研究;第3 章~第8 章全面系统地研究了采用射频磁控溅射制备的铝、镁、钛和铜掺杂氧化锌纳米薄膜以及多层膜的结构特征和光学性质;第9 章全面系统地研究了采用磁控共溅射制备的锗镶嵌氧化硅、硅镶嵌氧化硅和碳镶嵌氧化硅纳米薄膜的光学性质;第10 章为部分主要结论。本书可以作为高等院校材料学和物理学及相关专业高年级本科生和研究生的参考书,也可作为从事纳米科技教学与研究工作者的参考用书。

氧化锌和氧化硅纳米薄膜材料的微结构和光学特性基本信息

氧化锌和氧化硅纳米薄膜材料的微结构和光学特性目录

第1章绪论1

1.1纳米材料概述1

1.2纳米材料的制备方法2

1.2.1磁控溅射法2

1.2.2化学气相沉积法5

1.2.3金属有机化学气相沉积5

1.2.4分子束外延法6

1.2.5溶胶-凝胶法7

1.2.6脉冲激光沉积法8

1.2.7喷雾热分解法9

1.3纳米材料的表征方法9

1.3.1X射线衍射10

1.3.2扫描隧道显微镜11

1.3.3原子力显微镜13

1.3.4扫描电子显微镜14

1.3.5透射电子显微镜15

1.3.6场发射电子显微镜15

1.3.7椭圆偏振光谱仪15

1.3.8二次离子质谱探针16

1.3.9透射谱和吸收谱16

1.3.10拉曼光谱17

1.3.11红外光谱测试仪18

1.3.12光致发光谱19

1.3.13光致激发谱20

1.3.14荧光寿命光谱20

1.3.15发光量子产率20

1.3.16发光强度20

1.3.17X射线光电子能谱仪(XPS) 21

1.3.18俄歇电子能谱仪21

1.3.19伏安特性22

1.3.20场发射特性22

1.3.21穆斯堡尔谱26

1.3.22方块电阻27

1.4纳米材料的理论模拟方法28

1.4.1量子化学法 29

1.4.2分子动力法 29

1.4.3Monte Carlo法30

1.5纳米材料结构中的缺陷31

1.5.1点缺陷 31

1.5.2线缺陷 32

1.5.3面缺陷 32

1.6纳米材料的应用33

1.6.1纳米技术在微电子学上的应用33

1.6.2纳米技术在光电领域的应用35

1.6.3纳米技术在分子组装方面的应用37

1.6.4纳米技术在其他方面的应用38

1.7几种纳米材料的发展趋势38

1.7.1硅材料38

1.7.2GaAs和InP单晶材料41

1.7.3半导体超晶格、量子阱材料41

1.7.4一维量子线、零维量子点半导体微结构材料44

1.7.5碳纳米材料45

1.7.6团簇材料46

1.7.7宽带隙半导体材料48

1.8氧化锌纳米材料概述49

1.8.1ZnO的基本性质50

1.8.2ZnO的制备63

1.8.3ZnO薄膜的应用 70

1.8.4ZnO的研究进展 74

1.8.5ZnO薄膜光学特性研究中的不足77

1.9氧化硅纳米材料概述79

1.9.1SiO2的基本性质 80

1.9.2研究进展81

1.9.3半导体纳米镶嵌SiO2材料的研究意义84

1.9.4纳米粒子镶嵌SiO2材料的制备85

1.9.5纳米粒子镶嵌SiO2材料光致发光和电致发

光机制86

参考文献88

第2章纳米材料发光的基础理论95

2.1固体发光基本概念95

2.2固体中电子的能量状态99

2.3晶格热容的量子理论100

2.3.1量子谐振子(晶格振动可近似为简谐振动)101

2.3.2晶格热容的量子理论103

2.3.3爱因斯坦模型104

2.3.4德拜模型104

2.4半导体的激发与发光109

2.4.1直接带隙半导体和间接带隙半导体109

2.4.2半导体辐射复合发光类型110

2.5半导体纳米材料的量子效应113

2.5.1量子尺寸效应114

2.5.2介电限域效应114

2.5.3量子隧穿效应115

2.5.4库仑阻塞效应116

2.6纳米材料的发光机理研究117

2.6.1量子限制发光模型118

2.6.2界面层中的激子效应发光模型118

2.6.3与氧有关的缺陷发光模型119

2.6.4量子限制效应-发光中心发光模型120

2.6.5直接跃迁发光模型120

2.7ZnO中与可见光发射相关的缺陷理论121

2.8功函数123

参考文献124

第3章铝掺杂氧化锌薄膜的微结构及光学特性126

3.1引言126

3.2实验工艺和基本参数126

3.3Zn1-xAlxO薄膜的微结构及光学性质研究127

3.3.1Al的掺杂浓度对ZnO薄膜微结构和光学特性的影响128

3.3.2氧分压对Zn0.976Al0.024O薄膜微结构和光学特性的影响134

3.3.3衬底温度对Zn0.976Al0.024O薄膜微结构和光学特性的影响139

3.3.4溅射功率对Zn0.976Al0.024O薄膜微结构和光学特性的影响142

3.3.5退火温度对Zn0.976Al0.024O薄膜微结构和光学特性的影响147

3.3.6退火时间对Zn0.976Al0.024O薄膜微结构和光学特性的影响150

3.4小结153

参考文献153

第4章Mg掺杂ZnO薄膜的光学性质研究156

4.1引言156

4.2实验工艺和基本参数156

4.3Zn1-xMgxO薄膜的微结构及光学性质研究157

4.3.1Zn1-xMgxO薄膜的晶体结构157

4.3.2Zn1-xMgxO薄膜的表面形貌160

4.3.3Zn1-xMgxO薄膜的光学特性162

4.4小结166

参考文献167

第5章Ti掺杂ZnO薄膜的光学性质研究170

5.1引言170

5.2实验工艺和基本参数170

5.3Zn1-xTixO薄膜微结构表征及光学性质研究171

5.3.1溅射功率对Zn1-xTixO薄膜微结构及光学性质的影响171

5.3.2衬底类型对Zn1-xTixO薄膜微结构及光学性质的影响180

5.3.3氧分压对Zn1-xTixO薄膜微结构及光学性质的影响182

5.4小结186

参考文献187

第6章Cu掺杂ZnO薄膜的光学性质研究190

6.1引言190

6.2实验工艺和基本参数190

6.3Zn1-xCuxO薄膜结构表征及光学性质研究191

6.3.1Cu掺杂浓度对ZnO薄膜微结构和光学特性的影响191

6.3.2氧分压对ZnO薄膜微结构和光学特性的影响194

6.3.3衬底温度对ZnO薄膜微结构和光学特性的影响199

6.3.4退火温度对ZnO薄膜微结构和光学特性的影响203

6.4小结204

参考文献205

第7章Si/Al2O3/Zn/ZnO多层薄膜的微结构和光学性质208

7.1引言208

7.2实验工艺和基本参数209

7.3Si/Al2O3/Zn/ZnO多层膜的微结构和光学特性209

7.3.1Si/Al2O3/Zn/ZnO多层膜的晶体结构209

7.3.2Si/Al2O3/Zn/ZnO多层膜的表面形貌211

7.3.3Si/Al2O3/Zn/ZnO多层膜的光学特性211

7.4小结217

参考文献217

第8章不同缓冲层对ZnO薄膜的微结构和光学性能影响220

8.1引言 220

8.2实验工艺和基本参数221

8.3不同缓冲层ZnO薄膜的微结构和光学特性222

8.3.1不同缓冲层类型对ZnO薄膜光学特性的影响222

8.3.2不同Zn缓冲层厚度对ZnO薄膜光学特性的影响226

8.4小结230

参考文献230

第9章镶嵌纳米锗粒、纳米碳粒和纳米硅粒氧化硅膜的电致发射对比研究232

9.1引言232

9.2实验工艺和基本参数235

9.3镶嵌纳米锗粒(碳粒或硅粒)氧化硅膜的电致发射

对比研究235

9.3.1锗/氧化硅纳米多层膜的电致黄光发射研究235

9.3.2锗/氧化硅和硅/氧化硅薄膜电致发光的比较研究238

9.3.3锗/氧化硅和碳/氧化硅薄膜电致发光的比较研究241

9.3.4镶嵌纳米碳粒和纳米硅粒氧化硅膜的电致红光发射研究243

9.4小结247

参考文献247

第10章结论与展望249

10.1总结 249

10.1.1ZnO薄膜的发光性质249

10.1.2硅基纳米镶嵌材料250

10.2展望251

10.2.1实现掺杂ZnO薄膜中三基色的同时发射251

10.2.2可用于太阳能电池中的ZnO基异质结的研究251

10.2.3硅基纳米器件252"

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氧化锌和氧化硅纳米薄膜材料的微结构和光学特性造价信息

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纳米氧化硅

  • UG-SP100/UG-SP50 粉末
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  • 苏州优锆新材料有限公司
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氧化锌

  • 类型:氧化物;品种:氧化锌;详细规格型号:500g;生产厂家:中心化验室;
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  • 2022-12-06
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氧化锌

  • 0.9995
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氧化锌

  • 25公斤/间接法
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氧化锌

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氧化

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氧化

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氧化锌

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  • 2015-12-18
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  • 2018-04-17
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氧化锌和氧化硅纳米薄膜材料的微结构和光学特性基本信息

书名:氧化锌和氧化硅纳米薄膜材料的微结构和光学特性

书号:978-7-118-10495-0

作者:陈海霞、丁继军

出版时间:2015年9月

译者:

版次:1版1次

开本:32

装帧:平装

出版:基金

页数:252

字数:258

中图分类:TB383

丛书名:西安石油大学优秀学术著作出版基金资助出版

定价:48.00

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氧化锌和氧化硅纳米薄膜材料的微结构和光学特性常见问题

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氧化锌和氧化硅纳米薄膜材料的微结构和光学特性文献

纳米二氧化硅-姜黄素杂化材料的制备及防霉性能 纳米二氧化硅-姜黄素杂化材料的制备及防霉性能

纳米二氧化硅-姜黄素杂化材料的制备及防霉性能

格式:pdf

大小:382KB

页数: 未知

采用硅烷偶联剂3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)将具有生物活性的植物多酚姜黄素接枝在纳米二氧化硅上得到二氧化硅-姜黄素有机无机杂化材料。用红外光谱、XRD对产物结构进行了必要表征。元素分析仪确定了产物中被接枝的二氧化硅量为28.5%(质量比)。并选用黑曲霉和青霉作供试菌种,对其防霉性能和对霉菌的光毒性作了一定研究。研究结果表明:姜黄素通过APTES能接枝在纳米二氧化硅表面,并得到含希夫碱(C=N)官能团有机无机杂化材料;制备的杂化材料对青霉和黑曲霉均表现出较好的抗菌效果,特别是对黑曲霉表现更强的抗菌防霉性能,且对黑曲霉有较优异的光毒性反应。

透明耐磨薄膜材料的研究进展 透明耐磨薄膜材料的研究进展

透明耐磨薄膜材料的研究进展

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大小:382KB

页数: 未知

透明耐磨薄膜材料性能优良,应用广泛。本文简述了透明耐磨薄膜的性能,种类和制备方法及研究重点和发展方向。

微结构光纤特性

微结构光纤作为一种新型光纤,有许多独特特性,在光纤激光器和放大器应用中也有与众不同的优势。

大模场面积

微结构光纤可获得非常大的模场面积,可以根据需要灵活地设计光纤模场面积。例如多孔微结构光纤可通过改变孔间距调节有效模场面积,调节范围可到800。瓣形微结构光纤可通过光纤瓣数、折射率差、折射率系数、内外半径来调节有效模场面积,调节范围可达900。具有大模场面积的光纤可降低功率密度和非线性效应,并提高连续波和脉冲激光器系统的标定功率,这对开发光纤激光器和放大器非常有利,即能经受更高的功率,又不会达到使器件损伤的功率密度。大芯径光纤还可调节波导色散,使单模截止移到更短的波长,并扩大有用的传输光谱。

色散可调特性

对于光子晶体光纤而言,其一个重要特点是其可以灵活控制的色散特性。就光子晶体光纤的结构特征来说,它对波导色散有较高的控制性。常规光纤是在石英玻璃中掺杂而在截面内形成一定的折射率分布制成的,由于材料不匹配会造成光纤损耗,因此纤芯和包层的折射率差不能过大.光子晶体光纤由单一材料(纯二氧化硅)构成,它不存在常规光纤的材料不匹配现象。通过合理调节空气孔的尺寸和间距,可以获得较大的折射率差,从而更有效的控制波导色散。因此,通过设法改进PCF的波导结构就可以实现各种期望的色散特性。光子晶体光纤的一个重要特点是零色散点可以向短波长大大推进。传统常规单模光纤的零色散点通常在1310nm处。而通过合理的调节PCF的气孔大小和间距,可以将零色散点移至800nm左右。零色散点向短波长移动,使得PCF能够在波长低于1.3μm获得反常色散(正色散),这是传统阶跃光纤无法做到的,该反常色散特性第一次为短波光孤子传输提供了可能。另外,通过适当设计空气孔的参数,可以在极宽的波段范围内具有平坦色散瓣形微结构光纤中,色散特性也可以灵活调节。基于微结构瓣形微结构光纤结构的特殊性,它是由高折射率介质n,作纤芯,高低折射率介质(n、,n2)在角向周期性交错排列作包层,形成一种花瓣形结构。其包层的折射率分布可以等效成梯度折射率分布。通过改变nl,瓣数N,相对折射率差,折射率系数Y,内半径a和外半径b,得到不同的色散曲线。K.S.Chiang等人就通过设置合理的光纤参数,使得瓣形微结构光纤在全波段单模,单模直径达到34μm,并且基模的色散损耗始终小于10dB/m。

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纳米光电薄膜材料内容简介

《纳米光电薄膜材料》内容新颖,深入浅出,适于作为高年级本科生和研究生的教学参考书,有助于他们在学习纳米光电薄膜材料的过程中掌握基本原理和实验方法,《纳米光电薄膜材料》也可供从事相关领域研究的科研人员参考。

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什么是氮氧化硅薄膜材料?

氮氧化硅薄膜材料的介绍

1、氮氧化硅薄膜的性质

氮氧化硅薄膜性质主要有发光特性和折射率可调。

(1)发光特性

目前为止,一般认为SiOxNy薄膜发光机制有3种:缺陷态辐射复合发光、带尾态辐射复合发光和量子点辐射复合发光。

(2)折射率可调

折射率可调是指通过改变反应气体混合物比例来控制其折射率沿膜层表面法线方向连续变化。为了制备渐变折射率薄膜,使其在光波导材料、梯度折射率薄膜及减反射膜等领域得以运用。目前,研究者们对SiOxNy薄膜折射率可调性质进行了大量的研究。

2、氮氧化硅薄膜的制备

目前氮氧化硅薄膜的制备方法主要有:化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)和高温氮化法。

(1)化学气相沉积法(CVD)

化学气相沉积法是指气态物质(可以是单质或化合物气体)在基板上发生化学反应而沉积成膜。在射频为13.56MHe的等离子体增强化学气相沉积系统中使用一定比例的SiH4和NH3混合气在硅衬底和石英衬底沉积制膜,其中衬底温度保持室温,射频功率和反应压强维持一定值,薄膜厚度控制在100nm左右。

化学气相沉积的优点是:薄膜组成成分可控,沉积温度低,沉积速度快,所得薄膜均匀且纯度高等。

缺点是:制备的SiOxNy薄膜通常会引入氢元素(主要来源于反应物的引入或反应器中的气体残余),从而影响材料的性能,如影响薄膜的电性能和耐腐蚀性能。

(2)高温氮化法

高温氮化法是指在一定条件下含氮气体(如N2O、NO、NH3、N2)高温氮化SiO2薄膜而制得氮氧化硅薄膜的方法。这种方法因涉及氧化和氮化两个过程,所以不同的氧化和氮化条件制备出来的薄膜的性质不一样。

(3)物理气相沉积

物理气相沉积法(PVD)是指在真空条件下,采用物理方法,将原料气化成气体原子、分子或电离成离子,并通过溅射或等离子体技术,在基体表面沉积形成SiOxNy膜。 物理气相沉积主要方法有真空镀膜、离子镀膜、等离子体镀膜和溅射镀膜。溅射镀膜是目前研究应用较成熟的方法,溅射镀膜是指在真空条件下,让具有特定能量粒子轰击固体(靶材)表面,使固体表面原子获得足够能量而逃逸,最终在基材表面上沉积形成薄膜。

深圳方泰新材料技术有限公司方圆有度、安若泰山,是精密陶瓷行业标杆,主营:陶瓷柱塞、氮化硅陶瓷,按照需求定制,价格实惠,另外还生产氧化铝陶瓷和氧化锆陶瓷等,定制和咨询热线:0755-27826396.公司已掌握了冷等静压、凝胶注模、干压等成型技术,能够为广大客户订制各类精密陶瓷柱塞、精密陶瓷轴套、陶瓷基片、介质谐振器以及各种精密氮化硅结构件等工业陶瓷产品,并建立了行之有效的质量保证体系,致力于为国内外客户提供耐磨损、耐腐蚀材料、耐高温应用等行业陶瓷应用解决方案。

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