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原生多晶硅

原生多晶硅具有灰色金属光泽。密度2.32-2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形。

原生多晶硅基本信息

原生多晶硅应用

具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下反应(氯化),再经冷凝、精馏、还原而得。 多晶硅是单质硅的一种形态。多晶硅可作拉制单晶硅的原料,用于(是)半导体行业和太阳能。从目前来讲,要使太阳能发电具有较大的市场,被广大的消费者接受,就必须提高太阳电池的光电转换效率,降低生产成本。

多晶硅技术指标:电阻率>100Ω·cm(N型),电阻率>1000Ω·cm(P型);少子寿命>25μs;C<1ppma.

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原生多晶硅造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

156多晶硅光伏组件(四线)

  • 品种:多晶硅太阳能电池板;产品说明:峰值功率(W):170最佳电流:7.08A 最佳电压:23.2V;规格:sy170P(48);
  • 赛荧
  • 13%
  • 青岛赛荧新能源有限公司
  • 2022-12-06
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156多晶硅光伏组件(四线)

  • 品种:多晶硅太阳能电池板;产品说明:峰值功率(W):120最佳电流:6.82A 最佳电压:17.6V;规格:SY120P(36);
  • 赛荧
  • 13%
  • 青岛赛荧新能源有限公司
  • 2022-12-06
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156多晶硅光伏组件(四线)

  • 品种:多晶硅太阳能电池板;产品说明:峰值功率(W):160最佳电流:6.98A 最佳电压:23.1v;规格:sy160P(48);
  • 赛荧
  • 13%
  • 青岛赛荧新能源有限公司
  • 2022-12-06
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156多晶硅光伏组件(四线)

  • 品种:多晶硅太阳能电池板;产品说明:峰值功率(W):195最佳电流:8.19A 最佳电压:23.8V;规格:SY195P(48);
  • 赛荧
  • 13%
  • 青岛赛荧新能源有限公司
  • 2022-12-06
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156多晶硅光伏组件(四线)

  • 品种:多晶硅太阳能电池板;产品说明:峰值功率(W):200最佳电流:8.30A 最佳电压:24.1V;规格:SY200P(48);
  • 赛荧
  • 13%
  • 青岛赛荧新能源有限公司
  • 2022-12-06
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原生石粉渣

  • 东莞市2022年8月信息价
  • 建筑工程
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原生石粉渣

  • 东莞市2022年10月信息价
  • 建筑工程
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原生石粉渣

  • 东莞市2022年9月信息价
  • 建筑工程
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原生石粉渣

  • 东莞市2022年5月信息价
  • 建筑工程
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原生石粉渣

  • 东莞市2022年4月信息价
  • 建筑工程
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多晶硅光伏组件

  • 湖南兴业 260Wp
  • 576块
  • 1
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-06-01
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多晶硅光伏组件

  • 湖南兴业 260Wp
  • 576个
  • 1
  • 湖南兴业
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2019-05-15
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多晶硅光伏组件

  • Jkm270PP-60,尺寸 1650mm×992mm,功率270Wp
  • 1块
  • 2
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2017-10-26
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光伏组件(多晶硅)

  • 260Wp,0+3%,总容量93.6kwp
  • 360块
  • 3
  • 中国英利、南玻、天合
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2016-03-16
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多晶硅光伏组件

  • 型号:YL235P-29b
  • 182m²
  • 1
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-04-13
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原生多晶硅性质

物理性质

具有灰色金属光泽。密度2.32-2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形。

化学性质

常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。

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原生多晶硅常见问题

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原生多晶硅文献

多晶硅工艺流程 多晶硅工艺流程

多晶硅工艺流程

格式:pdf

大小:24KB

页数: 6页

多晶硅工艺流程简述 (改良西门子法及氢化) 氢气制备与净化工序 在电解槽内经电解脱盐水制得氢气。电解制得的氢气经过冷 却、分离液体后,进入除氧器,在催化剂的作用下,氢气中的微量氧 气与氢气反应生成水而被除去。 除氧后的氢气通过一组吸附干燥器而 被干燥。净化干燥后的氢气送入氢气贮罐,然后送往氯化氢合成、三 氯氢硅氢还原、四氯化硅氢化工序。 电解制得的氧气经冷却、分离液体后,送入氧气贮罐。出氧气 贮罐的氧气送去装瓶。 气液分离器排放废吸附剂、 氢气脱氧器有废脱氧催化剂排放、 干 燥器有废吸附剂排放,均供货商回收再利用。 氯化氢合成工序 从氢气制备与净化工序来的氢气和从合成气干法分离工序返 回的循环氢气分别进入本工序氢气缓冲罐并在罐内混合。 出氢气缓冲 罐的氢气引入氯化氢合成炉底部的燃烧枪。 从液氯汽化工序来的氯气 经氯气缓冲罐, 也引入氯化氢合成炉的底部的燃烧枪。 氢气与氯气的 混合气体在燃烧

多晶硅生产中废气处理工艺改造 多晶硅生产中废气处理工艺改造

多晶硅生产中废气处理工艺改造

格式:pdf

大小:24KB

页数: 1页

多晶硅生产中废气的处理方法主要有水洗法、焚烧法和碱液淋洗法.水洗法是多晶硅厂最传统的废气处理方法,是通过大量的喷淋水吸收废气中氯化氢和氯硅烷,该方法资源浪费量巨大,同时存在重大的安全隐患,现在已基本不使用.焚烧法是将废气进行高温燃烧和水解,得到二氧化硅和盐酸,该方法因前期投资过大、设备要求过高、工艺复杂、运行成本高等原因,其应用受到限制.碱液淋洗法因其工艺简单、投资和运行成本较低、处理效果好等优点,成为目前多晶硅厂最常用的废气处理方法.

硅锭制作工艺

硅料定向凝固做成的产品。一般来说,硅料包括原生多晶硅料和单晶硅回用料,原生多晶硅一般称为正料,其纯度较高,价格亦不菲;单晶硅回用料如单晶硅棒头尾料、边皮料、埚底料、电池片经过清洗处理后得到的原料等等。将硅料在单晶炉(在太阳能级单晶硅的生产工艺中以直拉炉较常见)中融化后再经过一系列工序可生长成单晶硅棒子,对单晶硅棒子进行后续机加工,得到单晶硅锭,再使用切片机器对硅锭进行切片加工,则得到硅片。

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四川瑞昱光伏材料有限公司简介

昱辉阳光(ReneSola)是一家在美国纽约证券交易所(Ticker: SOL)挂牌的上市公司。公司不断开拓进取、持续创新,立志发展成专注企业效益、社会效益、员工效益的现代化国际企业,经营业务包括原生多晶硅、单晶硅棒、多晶硅锭、硅片制造与销售、电池片、组件的制造与销售、光伏系统解决方案等。是国内最具活力的太阳能企业之一,同时也是全球第一大单晶硅片厂、第三大硅片制造商。

ReneSola作为一个品牌,已是世界一流,行业领先。我们引以为傲的不仅是我们的业绩和规模的不断扩大,还有公司的人力资源政策。那是一套可以抛弃对经验资历的倾斜,信任有胆识、有理想、愿意和公司一起拼搏发展的年轻人,培训他们、提拔他们,委以重任并充分授权的政策。我们因此仅用了其他公司五分之一的时间实现了在世界市场的领先地位。

自2005年成立至今,ReneSola已经成功打造了一条从原生多晶硅到光伏应用系统的完整产业链,铸造了最优质的光伏行业品牌,跻身为全球一流的光伏企业。集团公司下设有六家子公司:浙江昱辉阳光能源有限公司、四川瑞能硅材料有限公司、无锡佳诚太阳能科技有限公司、四川瑞昱光伏材料有限公司、四川瑞晟光伏材料有限公司、四川瑞欣光伏材料有限公司。此外,集团公司在上海及嘉善总部分别设立了战略发展业务中心及研发中心,诚邀海内外各界有志之士加盟,共谋创举。

四川瑞能硅材料有限公司由瑞能集团全资30亿元人民币于2007年在眉山投建,眉山市地处交通便利的成都平原核心区域,毗邻成都,距离成都市仅1个小时车程,交通十分便利。四川瑞能3000吨/年的多晶硅项目已于2009年7月投入商业运营。该项目已经列入了全省重点扶持发展的50大重点产业项目,各级领导多次亲临现场视察。

四川瑞昱光伏材料有限公司由瑞能集团2010年8月全资在眉山投建,注册资本5000万人民币,占地近270亩,总投资6亿人民币,一期投资3亿人民币。四川瑞昱处于项目建设期,计划2011年6月投产,主要产品为太阳能硅片切割钢丝和坩埚。计划一期达产后年产切割钢丝8400吨、坩埚9万只,投产后预计年产值可达10亿人民币。作为瑞能集团公司旗下的专业光伏材料制造商,四川瑞昱的成立在集团的光伏价值链整合中具有非常重要的战略意义。

四川瑞晟光伏材料有限公司由集团于2010年10月在眉山投建,计划年产1万吨多晶硅,采用先进的多晶硅冷氢化技术,项目投产后可大大缓解整个集团产业链中原料紧缺的现状。

地址:四川省眉山市修文镇铝硅产业园104号 邮编: 620010

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硅片回收技术切片、退火、倒角

硅片回收是闽来新能源回收利用由专业机构专业回收废或过期原生多晶硅,125太阳能单晶电池片,156太阳能多晶片(整片,碎片),抛光片,头尾料,半导体硅片,及稀有金属硅片回收工艺流程具体介绍如下:

切片:将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。

退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500℃,硅片表面和氧气发生反应,使硅片表面形成二氧化硅保护层。

倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形,防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生,增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。

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