图1是根据《一种多晶硅还原炉》的一个实施例的多晶硅还原炉的示意图；

图2是根据《一种多晶硅还原炉》的另一实施例的多晶硅还原炉的示意图。

1.《一种多晶硅还原炉》其特征在于，包括：底盘和炉体，所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室；四十八对电极，所述四十八对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周，所述第一、第二、第三和第四圆周为以所述底盘中心为圆心且半径依次增大的同心圆周；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘上且位于所述第四圆周与所述炉体之间；其中，所述多个喷嘴分别分布于第五、第六、第七和第八圆周上，所述第五、第六、第七和第八圆周均以所述底盘中心为圆心且分别位于所述第一圆周之内和第一与第二圆周、第二与第三圆周以及第三与第四圆周之间；所述多个喷嘴的数量为二十四个，其中在所述第五和第六圆周上分别均匀分布有四个喷嘴，第七和第八圆周上分别均匀分布有八个喷嘴。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，在所述第一、第二、第三和第四圆周上沿圆周方向依次均匀分布有六对、十对、十四对和十八对电极。

3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述进气系统还包括：进气环管，所述进气环管位于所述底盘下方且与外部气源相连通；二十四个进气管，所述二十四个进气管分别与所述二十四个喷嘴一一对应且所述二十四个喷嘴通过所述二十四个进气管与所述进气环管相连接。

4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述多个排气口的数量为八个。5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘内形成有第一冷却腔，且所述第一冷却腔具有第一冷却介质进口和多个第一冷却介质出口，所述第一冷却介质进口位于所述底盘的中央，而所述多个第一冷却介质出口与所述多个排气口一一对应设置，每个所述第一冷却介质出口连接有第一冷却管且每个所述排气口连接有尾气管，所述第一冷却管套设在所述尾气管上。

6.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体内设有第二冷却腔且所述第二冷却腔连接有第二冷却介质进口和第二冷却介质出口，所述第二冷却介质进口位于所述炉体的底部且所述第二冷却介质出口位于所述炉体的顶部，所述第二冷却腔内设有多个隔流挡板，所述多个隔流挡板在所述第二冷却腔内由下至上绕所述反应腔室呈螺旋状分布。

7.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体包括位于下部的筒体和设在所述筒体顶端的封头，所述封头为中空半球体。

8.根据权利要求7所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体上还设有多个观察镜，所述多个观察镜在所述筒体的高度方向上均匀分布成多排且所述多个观察镜沿所述筒体的周向均匀分布。

多晶硅还原炉是多晶硅生产中产出最终产品的核心设备，也是决定系统产能、能耗的关键环节。因此，多晶硅还原炉的设计和制造，直接影响到产品的质量、产量和生产成本。随着全球经济危机的影响下，多晶硅的价格持续下降，产业利润不断被压缩，市场竞争日趋激烈。因此，有效地降低多晶硅能耗，提高产品质量，提高生产效率，是2011年多晶硅生产企业需要解决的重要问题。

截至2011年生产多晶硅主要采用“改良西门子法”，通常将一定配比的三氯氢硅（SiHCl₃）和氢气（H₂）混合气从底部进气口喷入，在还原炉内发生气相还原反应，反应生成的硅（Si）直接沉积在炉内的硅芯表面，随着反应的持续进行，硅棒不断生长最终达到产品要求。由于还原炉内部硅芯需要维持在1050℃-1100℃进行生产，外部用冷却夹套进行冷却，因此，使用12对棒、18对棒等还原炉生产多晶硅还原能耗大，生产成本高，已经不适应2011年激烈市场竞争的要求，迫切需求一种能够节能降耗的新型还原炉的出现。该发明旨在至少解决上述技术问题之一。

一种多晶硅还原炉专利目的

《一种多晶硅还原炉》的目的在于提出一种可以降低能耗并且可以提高产量的多晶硅还原炉。

一种多晶硅还原炉技术方案

根据《一种多晶硅还原炉》实施例的多晶硅还原炉，包括：底盘和炉体，所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室；四十八对电极，所述四十八对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周，所述第一、第二、第三和第四圆周为以所述底盘中心为圆心且半径依次增大的同心圆周；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘上且位于所述第四圆周与所述炉体之间。

根据该发明实施例的多晶硅还原炉，所述四十八对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周，由此，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。

另外，根据该发明上述实施例的多晶硅还原炉还可以具有如下附加的技术特征：

根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，在所述第一、第二、第三和第四圆周上沿圆周方向依次均匀分布有六对、十对、十四对和十八对电极。电极如此布置，可以最大程度的合理利用热能。

根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述多个喷嘴分别分布于第五、第六、第七和第八圆周上，所述第五、第六、第七和第八圆周均以所述底盘中心为圆心且分别位于所述第一圆周之内和第一与第二圆周、第二与第三圆周以及第三与第四圆周之间。由此，可以使工艺气体在所述反应腔室内均匀分布，可以提高单炉产量。

有利地，根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述多个喷嘴的数量为二十四个，其中在所述第五和第六圆周上分别均匀分布有四个喷嘴，第七和第八圆周上分别均匀分布有八个喷嘴。由此，可以使所述多个喷嘴的布局更为合理，可以有效地与所述四十八对电极相配合。

进一步地，根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述进气系统还包括：进气环管，所述进气环管位于所述底盘下方且与外部气源相连通；二十四个进气管，所述二十四个进气管分别与所述二十四个喷嘴一一对应且所述二十四个喷嘴通过所述二十四个进气管与所述进气环管相连接。由此，可以使每个所述喷嘴的进气量都保持一致。

根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述多个排气口的数量为八个。由此，可以使反应尾气及时排出。

根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述底盘内形成有第一冷却腔，且所述第一冷却腔具有第一冷却介质进口和多个第一冷却介质出口，所述第一冷却介质进口位于所述底盘的中央，而所述多个第一冷却介质出口与所述多个排气口一一对应设置，每个所述第一冷却介质出口连接有第一冷却管且每个所述排气口连接有尾气管，所述第一冷却管套设在所述尾气管上。由此，可以改善生产条件，可以保证安全生产。

根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述炉体内设有第二冷却腔且所述第二冷却腔连接有第二冷却介质进口和第二冷却介质出口，所述第二冷却介质进口位于所述炉体的底部且所述第二冷却介质出口位于所述炉体的顶部，所述第二冷却腔内设有多个隔流挡板，所述多个隔流挡板在所述第二冷却腔内由下至上绕所述反应腔室呈螺旋状分布。由此，可以改善生产条件，可以保证安全生产。

根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述炉体包括位于下部的筒体和设在所述筒体顶端的封头，所述封头为中空半球体。由此，可以减小上升气流在所述反应腔室顶部的上升阻力。

有利地，根据该发明一个实施例的多晶硅还原炉，所述炉体上还设有多个观察镜，所述多个观察镜在所述筒体的高度方向上均匀分布成多排且所述多个观察镜沿所述筒体的周向均匀分布。由此，可以及时观察所述反应腔室内的情况。

该发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过该发明的实践了解到。

一种多晶硅还原炉有益效果

根据《一种多晶硅还原炉》实施例的多晶硅还原炉，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。

如图1-2所示，根据该发明实施例的多晶硅还原炉，包括：底盘10，炉体20，四十八对电极30，进气系统和排气系统。

具体地，炉体20连接在底盘10上且在炉体20与底盘10之间限定出反应腔室1020。

四十八对电极30设在底盘10上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周，所述第一、第二、第三和第四圆周为以底盘10中心为圆心且半径依次增大的同心圆周。

所述进气系统包括设在底盘10中部的多个喷嘴41。

所述排气系统包括多个排气口51，排气口51设在底盘10上且位于所述第四圆周与炉体20之间。

根据该发明实施例的多晶硅还原炉，四十八对电极30设在底盘10上且分别分布在四个同心圆周即第一、第二、第三和第四圆周上，由此，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。

如图2所示，根据该发明一个实施例，在所述第一、第二、第三和第四圆周上（即如图2中所示的从内至外的第二个、第四个、第六个和第八个圆周）沿圆周方向依次均匀分布有六对、十对、十四对和十八对电极30。在所述第一、第二、第三和第四圆周的每个圆周上，相邻的两个电极30通过电极板连接，由此成为一对电极。由此，可以简化对电极30的控制，并可以最大程度的合理利用热能。

根据该发明一些实施例，多个喷嘴41分别分布于分别分布于第五、第六、第七和第八圆周上（即如图2中所示的从内至外的第一个、第三个、第五个和第七个圆周）上，所述第五、第六、第七和第八圆周均以所述底盘中心为圆心且分别位于所述第一圆周之内和第一与第二圆周、第二与第三圆周以及第三与第四圆周之间。也就是说，电极30所在的圆周和喷嘴41所在的圆周为相互间隔。由此，可以使工艺气体在反应腔室1020内均匀分布，可以提高单炉产量。

有利地，根据该发明一个示例，多个喷嘴41的数量为二十四个，其中在所述第五和第六圆周上分别均匀分布有四个喷嘴41，第七和第八圆周上分别均匀分布有八个喷嘴41。由此，可以使喷嘴41的布局更为合理，可以有效地与所述四十八对电极相配合。

进一步地，根据该发明一个具体示例，所述进气系统还包括，进气环管42和二十四个进气管43。

具体地，进气环管42位于底盘10下方且与外部气源相连通。

二十四个进气管43的分别与二十四个喷嘴41一一对应且二十四个喷嘴41通过二十四个进气管43与进气环管42相连接。由此，可以使每个喷嘴41的进气量都保持一致，从而可以保证反应腔室1020内气流流畅均匀。

根据该发明一个实施例，多个排气口51的数量为八个。有利地，根据该发明一个具体示例，如图2所示，八个排气口沿以底盘10的中心为圆心的圆周上（即如图2中所示的从内至外的第九个圆周）。由此，可以使反应尾气及时排出。

如图1所示，根据该发明一个实施例，底盘10内形成有第一冷却腔101，且第一冷却腔101具有第一冷却介质进口102和多个第一冷却介质出口103，第一冷却介质进口102位于底盘10的中央，而多个第一冷却介质出口103与多个排气口51一一对应设置，每个第一冷却介质出口103连接有第一冷却管且每个排气口51连接有尾气管，所述第一冷却管套设在所述尾气管上。由此，可以简化多晶硅还原炉的设计并可以改善生产条件，可以保证安全生产。

根据该发明一个示例，炉体20内设有第二冷却腔203且第二冷却腔203连接有第二冷却介质进口204和第二冷却介质出口205，第二冷却介质进口204位于炉体20的底部且第二冷却介质出口205位于炉体20的顶部，第二冷却腔203内设有多个隔流挡板206，多个隔流挡板206在第二冷却腔203内由下至上绕反应腔室1020呈螺旋状分布。由此，可以改善生产条件，可以保证安全生产。

根据该发明一些实施例，炉体20包括位于下部的筒体201和设在筒体201顶端的封头202，封头202为中空半球体。由此，可以减小上升气流在反应腔室1020顶部的上升阻力。

有利地，根据该发明一个实施例，如图1所示，炉体20上还设有多个观察镜60，多个观察镜60在筒体201的高度方向上均匀分布成多排且多个观察镜60沿筒体201的周向均匀分布。由此，可以及时观察所述反应腔室内的情况。

根据该发明实施例的多晶硅还原炉，四十八对电极30在所述第一、第二、第三和第四圆周上（即如图2中所示的从内至外的第二个、第四个、第六个和第八个圆周）沿圆周方向依次均匀分布有六对、十对、十四对和十八对电极30。该电极30的布局有利于最大化合理利用热能，同时避免炉筒内侧的冷却壁面带走过多热量，降低热量损耗。在第五、第六、第七和第八圆周（即如图2中所示的从内至外的第一个、第三个、第五个和第七个圆周）上分别均匀设有四个、四个、八个和八个喷嘴，在沿以底盘10的中心为圆心的圆周上（即如图2中所示的从内至外的第九个圆周）均匀设有八个排气口51，这样的设计取消了中央出气口，避免了中央出气口附近由于憋压造成的流动死区，提高了反应腔室1020内下部区域的生产效率。使用外圈出气的结构，使得还原炉内气流循环时，直接从外圈排出，避免反应副产物回到中央的气流上升区，造成物料反混。炉体10上部的封头202为半球形封头。半球形封头的受力良好，球壳应力小，与筒体201相比，厚度较其他形式的封头可以适当减薄。进过模拟计算，球形封头的下部的上升气流在顶部的上升阻力减小，在高度2400-3200毫米左右气速明显增加，有利于解决硅棒上部菜花严重的问题，对硅棒桥连部分的质量有一定改善作用；这一特征在内圈硅棒上表现更为明显，硅棒表面气速比一般的椭圆形封头有10％左右的提升。

根据该发明实施例的多晶硅还原炉，通过对多晶硅还原炉的底盘10和炉体20的结构尺寸，以及电极30、进气口41和排气孔51的分布进行优化设计后，每公斤多晶硅能耗可以降低25％-35％，单炉产量可达到10-12吨，可有效降低多晶硅生产成本。

2020年7月，《一种多晶硅还原炉》获得第二十一届中国专利银奖。

《一种48对棒还原炉炉体结构》涉及多晶硅制备装置技术领域，具体涉及一种用于多晶硅还原炉的炉体结构。

改良西门子法是国际上生产多晶硅的主流技术，其核心设备为还原炉，还原炉的工作原理是通过通电高温硅芯将三氯氢硅与氢气的混和气体反应生成多晶硅并沉积在硅芯上，最终产物是沉积在硅芯上的多晶硅，产品最终以多晶硅棒的形式从还原炉中采出。

全世界有超过85％的多晶硅是采用改良西门子法生产的。改良西门子法是一种化学方法，首先利用冶金硅（纯度要求在99.5％以上）与氯化氢（HCl）合成产生便于提纯的三氯氢硅气体（SiHCl3，下文简称TCS），然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积（CVD）将高纯度的TCS转化为高纯度的多晶硅。

中国国内大多是厂家在多晶硅生产方面采用24/36对棒还原炉，电耗成本为生产多晶硅的主要成本之一，并且，小容量还原炉的电耗成本更高。高电耗在很大程度上制约着行业的发展，相比小型还原炉，大型还原炉有单炉产量高，产品单耗低、物料利用率高等优势。因此，无论从生产效率，还是节能降耗方面来讲，多晶硅还原工艺采用大型还原炉是必然趋势。

在多晶硅还原炉的容积增加到48对棒时，还原炉内的温场、流场复杂性增加，复杂的炉内温度场及流场环境以及多晶硅生产对低能耗的要求，都促使着更为实用、更为节能、更为先进的48对棒还原炉炉体结构的设计。还原炉容量的扩大，使得进料流速、物料流场、温场等影响多晶硅生长的关键参数变得更加复杂，需要开发一系列关键技术，以保障关键参数的稳定，进而实现大型还原炉的高效、稳定运行，还原炉的炉体是保障多晶硅生长和还原炉稳定运行的主要部件，是实现还原炉大型化和降低还原炉能耗的关键。

因此，如何针对还原炉设计结构更为合理的炉体结构，使其在气流流动、冷却散热、温度控制等方面具有更优良的性能即成为业界亟待解决的问题之一。

一种48对棒还原炉炉体结构专利目的

《一种48对棒还原炉炉体结构》要解决的技术问题是提供一种结构设计更合理、具有更高的强度、炉内热量辐射损失更小、可提高硅棒的沉积生长效率以及保证硅棒的均匀生长的48对棒还原炉炉体结构，主要针对具有48对电极的炉体结构。

一种48对棒还原炉炉体结构技术方案

为解决上述技术问题，《一种48对棒还原炉炉体结构》采用如下技术方案：一种48对棒还原炉炉体结构，炉体部分包括有外壁、夹层和内壁，内壁与夹层连接，夹层与外壁连接，夹层内部设置有内件，其特征在于：内件包括X型加强筋及顶部物料进气管；所述内壁为三层复合结构，外层为壳体，中间层为纳米微孔隔热层，内层为纳米银涂层，纳米微孔隔热层附着于外层的内表面，纳米银涂层则附着于纳米微孔隔热层的内表面，纳米微孔隔热层采用纳米微孔隔热材料制成；在夹层内设有由底向上围绕内壁外部呈螺旋上升的若干组X型加强筋，X型加强筋的两端分别与外壁及内壁连接固定；在炉体的夹层内设有由底向上围绕内壁外部呈螺旋上升的炉体顶部物料进气管，进气管自炉体的顶部伸入内壁中。

纳米微孔隔热材料具有巨大的比表面积，纳米颗粒之间的接触为极小的点接触，点接触的热阻非常大，使得材料的传导传热效应变得非常小，导致纳米级微孔隔热材料的传导传热系数非常小；纳米颗粒之间形成大量的纳米级气孔，其尺寸平均在20纳米，而静止空气的分子常温下的平均热运动自由程为60纳米，这样就把空气分子锁闭在粉料纳米气孔之内，使得静止空气分子之间的微小对流传热作用消失，因而纳米微孔隔热材料的常温导热系数比静止的空气还要低；在高温下，传热的主要作用是热辐射，纳米微孔隔热材料添加特殊的红外添加剂，在高温下阻止和反射红外射线，把辐射传热作用降低到最低点，使得材料高温下的辐射传热系数降低到最低值，从而有效降低炉内热量的流失。

进一步地，进气管的进气口设于外壁的底部，而进气管位于内壁中的末端连接有一半球型进气喷头，进气喷头的半球面上均匀分布有若干出气孔。该进气管可以将物料气通向炉体顶部，作为辅助进气通道与还原炉的底盘主进气喷嘴配合，为还原炉提供更为均匀的物料气分布，使得多晶硅能够更均匀的生长。

进一步地，所述夹层内部设置有内件，其内部形成夹层冷却水通道，在外壁的底部设有夹层冷却水通道的进水口，在外壁的顶部设有夹层冷却水通道的出水口。进一步地，所述纳米银涂层为反射率95％以上的高反射率纳米银涂层，该纳米银涂层的厚度为0.5～2毫米，纳米银涂层能够将炉内红外辐射有效的反射回炉内，从而减少炉内热量的辐射散失。并且纳米银涂层的化学性质稳定，熔点高达961℃，能够很好地适应炉内的高温和腐蚀性工作环境。涂层具有良好的导热性，其导热率（420瓦/米·度）接近铁导热率的七倍，良好的导热性使得炉内具有趋热性的氯化氢气体在涂层表面形成一层气体层，气体层能够有效防止炉内硅粉尘在内壁上的沉积。

进一步地，所述内壁的壳体采用碳钢等合金材料制成，而X型加强筋通过焊接或铸造加工方式连接于内壁的外部壳体上。

进一步地，所述X型加强筋的截面呈X形状，X型加强筋形成两个三角形对顶结构，两个三角形底部分别连接于内壁外侧与外壁内侧。三角形稳定的力学结构能够为炉体内外壁提供有效的结构支撑，从而加强炉体的结构强度。

进一步地，所述X型加强筋的交叉位置设置为圆角结构，通过圆角处理，可避免X型加强筋截面的几何形状突变，从而减缓X型加强筋内部的应力集中情况，提高其耐疲劳强度。

进一步地，所述X型加强筋为中空结构，其下部及上部与夹层形成的冷却水通道连通。夹层中的冷却水可以通过X型加强筋的中空部分沿其分布路径螺旋上升，直接到达夹层顶部，不用将冷却水充满整个夹层也能达到冷却作用，并且，加强筋的X型截面中空部通水后可起到“散热板”的作用，增大冷却水与金属壁的接触面积，从而提高冷却水的散热效率。

进一步地，所述进气管附着于所述X型加强筋上并沿X型加强筋延伸至外壁的顶部，如此可无需为该进气管重新设计进气通道，从而提高炉体的使用功能，降低炉体结构的复杂程度。同时，螺旋形通道也可起到均匀吸收夹层冷却水热量的作用。

进一步地，所述半球型进气喷头的喷头半球面部分竖直朝下设置，喷头半球面上的出气孔沿喷头半球面的半径方向设置。半球型腔可以对进气管中的物料气起到缓冲降压的作用，降低了物料气对炉内硅棒的气流冲击，为还原炉顶部提供了流动较为温和的进气。

同时，气体物料从半球型进气喷头半球面的出气孔中喷出。从喷头中部出气孔中喷出的气体可以为炉内多晶硅棒顶部连接桥提供均匀的物料气，避免了多晶硅棒顶部连接桥爆米花状沉积的产生，更有力与提高对晶硅的成长质量，并且，从喷头中部出气孔中喷出的气体可以为炉内多晶硅棒顶部连接桥进行一定的降温。从喷头外径出气孔中喷出的气体可以为整个炉内物料气体的循环起到气体导流的作用，进一步的提升还原炉内物料气体的均匀分布，为多晶硅的均匀生长体用了更有利的生长环境。

《一种48对棒还原炉炉体结构》所需的炉体冷却水通过炉体外壁底部的冷却水进水口进入炉体夹层，当冷却水充满夹层后，由炉体外壁顶部的夹层冷却水出水口排除。其中，一部分冷却水通过由夹层底向上围绕内壁外部呈螺旋上升的X型加强筋的中空处，沿着X型加强筋的螺旋上升轨迹直接到达夹层顶部空间，从而起到非常好的冷却效果。而物料气体从炉体外壁底部的进气口进入，然后由底向上通过围绕内壁外部呈螺旋上升的物料进气管到达炉体顶部，最后通过进气管末端的半球型进气喷头喷入还原炉内供料，为还原炉提供更为均匀的物料气分布，使得多晶硅能够更均匀地生长。在夹层内设置由底向上围绕内壁外部呈螺旋上升的X型炉体加强筋可提高整个炉体的强度。设置纳米银涂层使炉内热辐射经炉体内壁内部高反射率纳米银涂层反射后，有效反射回炉体内部，大幅降低热量损失。在炉体内壁中间设置纳米微孔隔热材料进一步隔绝了炉内热量向外散失。从而使本炉体结构具有良好的机械强度及承压能力，能够使炉内物料气体更流畅地循环，并有效地减少炉内热量的辐射损失，更有利于多晶硅的快速、均匀成长。