正向电压温度影响

在环境温度升高时，正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移，如图1：正向电压特性受温度影响曲线图所示。在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2~2.5mV；温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。

正向电压材料影响

不同的材料对应的正向电压的值不同，相应的正向电压的变化特性也不同。

正向电压法测量LED灯具的结温

随着绿色低碳理念的倡导，具有高效节能、绿色环保等优点的以LED为光源的灯具(以下简称“LED灯具”)在全球范围内得到迅猛的发展。LED灯具的寿命无疑是其质量特性的一个重要指标。测量LED结温的常用方法有红外热像仪法、正向压降法、光谱法以及光热阻扫描法等等，其中正向压降法最为常用。根据的是LED正向电压随温度变化的原理。

影响镁合金表面微弧氧化膜层厚度

用微弧氧化技术，以30g/L的磷酸钠为电解液，利用系统的XRD手段研究了正向电压对AZ31镁合金表面微弧氧化膜层不同厚度的相组成，计算出晶粒尺寸、晶面间距和残余应力的分布规律。结果表明：电压不同膜层中各深度相的衍射峰强度、相组成和结晶度都不同，晶粒尺寸随电压增加而变粗，且同一电压制备的膜层在同一晶向不同厚度的晶粒尺寸不一样，其值呈至膜层表面距离减小而减小，晶面间距也呈减小趋势；MgO相组成的涂层残余应力处于拉应力，其值随电压增加而显著减小。 2100433B

当电源的正极与二极管的正极相连，电源的负极与二极管的负极相连，此时的电压为正向电压；当电源的正极与二极管的负极相连，电源的负极与二极管的正极相连，此时的电压为反向电压。 二极管是半导体器件，半导体二极管器件的基础。当PN结两端加正向电压（即P侧接电源的正极，N侧接电源的负极），此时PN结呈现的电阻很低，正向电流大（PN结处于导通状态）。相当于在两端加上了正向电压，它处于导通状态，电阻很小，此电阻叫正向电阻，只有几欧姆，如有灯泡和它串联，灯泡会发光；当PN结两端加反向电压（即P侧接电源的负极，N侧接电源的正极），此时PN结呈现很高的电阻，反向电流微弱（PN结处于截止状态），这就是PN结的单向导电性。当在两端加上反向电压时，它处于截止状态，电阻很大，此电阻叫反向电阻，有几千欧姆，如有灯泡和它串联，灯泡不发光。

在外电场作用下，多子将向PN结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要作用。这个内电场就是二极管导通后的压降，它是内电场形成的，所以不能变化。

实际上，当电流较大时则要考虑二极管电阻分量的压降了，目前知道，二极管除了具有PN结，还具有半导体材料的体电阻，封装绑定线的电阻及引脚的电阻，由于电阻的分压，随着电流的增大二极管压降也会增大，这些电阻分量在几百mA至几A的情况下，压降是很明显的，可以认为，在小电流时主要由伏安特性决定压降，而大电流时则主要由体电阻决定压降。

一般情况下，正向电压1V左右就可以“击穿”二极管，此时称为正向击穿，不过我们称之为不导通。工作于正向偏置的PN结，当通过的电流过大时，将会使它的功率损耗过大而烧坏，但由于正向偏置的PN结两端电压很低(锗PN结约为0.2V左右，硅PN结约为0.7V左右)，故当加在PN结两端的正向电压过大时会使PN结发生击穿，称为正向击穿。而工作于反向偏置的PN结，当反偏电压过高时，将会使PN结击穿，如击穿后又未限制流过它的反向击穿电流，将会使击穿成为永久性的、不可逆的击穿，从而造成其彻底损坏。

《电气工程名词》 2100433B

1998年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。